參考文獻 |
References
1. J. I. Pankove and J. A. Hutchby, J. Appl. Phys. 47, 5387 (1976).
2. J. H. Edgar, “Properties of Group III Nitrides”, p273(INSPEC, London, United Kingdom, 1994)
3. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. B. Vartuli, J. C. Zolper, C. Yuan, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 67, 1435 (1995).
4. J. C. Zolper, H. H. Tan, J. S. Williams, . Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, M. Hagerott Crawford and R. F. Karlicek, Jr., Appl. Phys. Lett. 70, 2729 (1997).
5. H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 2364(1996).
6. C. J. Eting, P. A. Grudowski, R. D. Dupuis, H. Hsia, Z. Tang, D. Becher, H. Kou, G. E. Stillman and M. Feng, Appl. Phys. Lett. 73, 3875(1998).
7. X. A. Cao, C. R. Abernathy, R. K. Singh, S. J. Pearton, M. Fu, V. Sarvepalli, J. A. Sekhar, J. C. Zolper, D. J. Rieger, J. Han, T. J. Drummond and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett. 73, 229(1998).
8. W. C. Lai, M. Yokoyama, C. C. Tsai, C. S. Chang, J. D. Guo, J. S. Chan and C. Y. Chang, Jpn. J. Appl. Phys, 38, L802(1999)
9. J. K. Sheu, C. J. Tun, M. S. Tsai, C. C. Lee, G. C. Chi, S. J. Chang and Y. K. Su, J. Appl. Phys. Vol.91,1845 (2002)
10. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., Vol. 22, 460(2001).
11. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 13, 848(2001).
12. W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 13, 559(2001).
13. Y. K. Su, Y. Z. Chiou, F. S. Juang, S. J. Chang and J. K. Sheu, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, pp. 2996-2999 (2001)
14. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu and I. C. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, pp. 2762-2764, (2001).
15. S. J. Chang, Y. K. Su, T. L. Tsai, C. Y. Chang, C. L. Chiang, C. S. Chang, T. P. Chen and K. H. Huang, Appl. Phys. Lett., Volume 78, pp. 312-313 (2001).
16. K. S. Ramaiah, Y. K. Su, S. J. Chang, F. S. Juang and C. H. Chen, J. Crystal Growth, Vol. 220, pp. 405-412, (2000).
17. W. C. Lai, M. Yokoyama, S. J. Chang, J. D. Guo, C. H. Sheu, T. Y. Chen, W. C. Tsai, J. S. Tsang, S. H. Chang and S. M. Sze, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., Vol. 39, pp. L1138-L1140 (2000).
18. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. Vol.74, 2340-2342(1999).
19. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, W. C. Hung, J. S. Bow and Y. C. Yu, J. Vac. Sci & Tech, B.18, 729(2000).
20. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J.Molnar, Physica B185, 36(1993)
21. C. Liu, B. Mensching, M. Zeitler, K. Volz and B. Rauschenbach, Physical Rev. B57, 25302535(1998)
22. S. M. Sze, “ Semiconductor device physics and technology”,(John Wiley, 1985)
23. N. F. Mott,” Metal-Insulator Transitions”(Taylor&Francis, Landon,1990)
24. I. H. Lee, I.H.Choi, C.R.Lee, and S.J.Son, et al., J. Cryst. Growth., 182, 314(1997)
25. L. B. Rowland, K.Doverspike and D.K.Gaskill, Appl. Phys. Lett., 66, 1495(1995)
26. T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, H. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike, Appl. Phys. Lett., 65, 2024(1994)
27. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994).
28. P. Debye and E. M. Conwell, Phys. Rev. 93,693(1954)
29. N. F. Mott and W. D. Twose, Adv. Phys., 10, 107(1961).
30. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H.Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic and P. Schlotter, Appl. Phys. Lett. Vol.72, 1326(1998).
31. F. Shahedipour and W. Wessels, Appl. Phys. Lett. Vol.76, 3011(2000).
32. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994).
33. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett., Vol.69, 503(1996)
34. X. Zhang, P. Kung, D. Walker, A. Saxler and M. Razeghi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc, Vol.395, 625(1996)
35. J. I. Pankove and J. A. Hutchby, J. Appl. Phys. Vol.47, 5387(1976).
36. T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczynski, I. Grzegory, J.Jun, M. Bockowski, S. Porowski, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. Vol.67, 2188(1995).
37. D. M. Hoffman, et al., Phys. Rev. B 52, 16 702 (1995); A. Hoffman,et al., Solid-State Electron. Vol. 41, 275(1997).
38. R. A. Abram, G. J. Rees and B. L. H. Wilson, Adv. Phys., Vol.27, 799(1978)
39. K. Boer, “Survey of Semiconductor Physics”, van Nostrand Reinhold, New York, 1990.
40. H. Yao, and A. Compaan, Appl. Phys. Lett., Vol.57, 147(1990)
41. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).
42. R. J. Molnar, T. Lei and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett., 62,72(1993).
43. A. Y. Polyakov, M. Shin, M. Skowronski, R. G. Wilson, D.W. Greve, S. J. Pearton, Solid-State Electron., Vol.41, 703(1997).
44. J. B. Fedison, T. P. Chow, H. Lu, and I. B. Bhat, Appl. Phys. Lett., Vol.72, 2841(1998).
45. M. M. Anikin, V. V. Evstropov, I. V. Popov, V. N. Rastegaev, A. M. Strel’chuk, and A. L. Syrkin, Sov. Phys. Semicond. 23, 405 (1989)
46. J. S. Escher, H. M. Berg, G. L. Lewis, C. D. Moyer, T. U. Robertson, and H. A. Wey, IEEE Trans. Electron. Dev. ED-29, 1463(1982)
47. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 30, L1998(1991).
48. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Aakasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 28, L2112(1989).
49. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors ( Prentice-Hall, New JERSEY, 1971 ), PP. 147-152.
50. H. C.Casey,Jr., J. Muth, S. Krishnankutty, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett., 68, 2867(1996).
51. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.34, L797 (1995).
52. S. Nakamura, T. Mokia and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. Vol.64, 1689 (1994).
53. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyodo, Appl. Phys. Lett. Vol.70, 868 (1996).
54. M. A. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuzunia, Q. Chen, J. Burm, and W. Schaff, Appl. Phys. Lett. Vol.66, 1083 (1995).
55. O. Aktas, Z. F. Fan, S. N. Mmohammad, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. Vol.69, 3872 (1996).
56. M. A. Khan, A. R. Bhattarai, J. N. Kkuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. Vol.63, 1214(1993).
57. J. Pankove, S. S. Chang, H. C. Lee, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, and B. Van Zeghbroeck, IEDM, Vol.94, 389(1994).
58. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars,U. K. Mishra, and E. J. Tarsa, Appl. Phys. Lett. Vol.75, 247(1999).
59. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and M. A. Khan, Vol.72, 2868(1999).
60. Mohammad A. Saleh, Majeed M. Hayat, Oh-Hyun Kwon, Archie L. Holmes, Jr., Joe C. Campbell, Bahaa E. A. Saleh and Malvin C. Teich, Appl. Phys. Lett. Vol.79, 4037(2001).
61. M. A. Khan, J. N. Kkuznia, D. T. Olson, and M. Blasingame, Appl. Phys. Lett. Vol.63, 2455(1993).
62. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys., Vol.79, 7433(1996) and references therein.
63. D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys.Lett., Vol.72, 3303(1996), and references therein.
64. Q. Chen, J. W. Yang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, D. Kuksenkov and H. Temkin, Appl. Phys.Lett., Vol.70, 2277(1997)
65. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, J. W. Yang, R. Gaska, D. Kuksenkov, H. Temkin, I. K. Shmagin, Y. C. Chang, J. F. Muth, and R. M. Kolbas, Appl. Phys.Lett., Vol.72, 551(1998)
66. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys.Lett., Vol.73, 975(1998)
67. J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, D. Lambert, J. D. Schaub, R. D. Dupuis and J. C. Compbell, Electron. Lett. Vol. 34, 692(1998)
68. W. Yang, T. Nohova, S. Krishnankutty, R. Torreano, S. Mcpherson and H. Marsh, Appl. Phys. Lett. Vol.73, 1086(1998).
69. David Wood, Optoelectronic Semiconductor Devices(Prentice Hall, London,1994)
70. X. Zhang, P. Kung, D. Walker, J. Piotrowski, A. Rogalski, A. Saxler and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett., Vol. 67, 2028(1995).
71. S. M. Sze, “Semiconductor Devices Physics and Technology”, Ch. 10, Fig 19 |