低溫製作大晶粒複晶矽薄膜之研究

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：12

、訪客IP：18.119.255.94

姓名

彭智宏(Zhi-Hong Peng) 查詢紙本館藏

畢業系所

光電科學與工程學系

論文名稱

低溫製作大晶粒複晶矽薄膜之研究
(Fabrication of Poly-Silicon Thin Films at Low Temperature by PECVD)

相關論文

★ 大面積低溫微波電漿輔助化學氣相沉積矽薄膜之研究	★ 超硬保護膜之抗腐蝕研究
★ 大面積低溫微波電漿輔助化學氣象沉積薄膜之研究	★ 以電漿輔助化學氣相沉積法室溫成長氧化鋅薄膜之研究
★ 低溫大面積直接沉積複晶矽薄膜之技術開發

檔案

[Endnote RIS 格式]

[Bibtex 格式]

[相關文章]

[文章引用]

[完整記錄]

[館藏目錄]

[檢視]

[下載]

本電子論文使用權限為同意立即開放。
已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的，進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
請遵守中華民國著作權法之相關規定，切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送，以免觸法。

摘要(中)

本實驗採用自行設計組裝的高週波偏壓輔強射頻感應耦合電漿輔助化學氣相沉積系統，用矽烷/氫氣/氬氣等氣體為原料，在玻璃基板及矽基板上於低溫（＜50 ℃）合成矽薄膜，研究不同參數對薄膜的影響及沉積矽薄膜的最佳參數。所得之矽薄膜以探針測厚儀量測薄膜厚度、傅立葉轉換紅外光光譜儀分析薄膜的鍵結結構、掃描式電子顯微鏡來觀察薄膜表面形態及結晶尺寸、拉曼光譜儀測量薄膜的鍵結狀態、 X光繞射分析儀分析薄膜的結晶結構及其方向性。
經實驗發現最佳參數為SiH4分壓為20 mTorr，H2分壓為40 mTorr，Ar分壓為40 mTorr，高週波能量（W1）為90 watts，輔助偏壓能量（W2）為10 watts，可成長出晶粒尺寸高達0.6 μm的大晶粒矽薄膜。

關鍵字(中)

★ 化學氣相沉積法
★ 多晶矽薄膜
★ 低溫

關鍵字(英)

★ low temperature
★ poly-silicon thin films
★ PECVD

論文目次

摘要………………………………………………………………….….i
謝誌…………………………………………………………………..…ii
目錄…………………………………………………………………….iii
圖目錄…………………………………………………………………….v
表目錄……………………………………………………………..……vi
第一章簡介……………………………………………………………..1
第二章文獻回顧……………………………………………….…….…3
2.1 矽薄膜的分類…………………………………………….3
2.2 矽薄膜的特性與應用…………………………………….7
2.2.1 矽薄膜的特性…………………………………….7
2.2.2 矽薄膜的應用……………………………………10
2.3 複晶矽薄膜的製造技術………………………………..13
2.4 電漿技術…………………………………………………18
2.4.1 冷、熱電漿的區別………………………………18
2.4.2 能量傳送方式與供應之頻率……………………22
2.4.3 PECVD之反應機構………………………………..23
2.5 高週波偏壓應用………………………………….…….26
第三章實驗方法與步驟………………………………….……………28
3.1 系統設備………………………………………………….28
3.1.1 實驗材料……………………………………………28
3.1.2 鍍膜系統………………………………….……….29
3.2 流量與系統壓力的關係…………………………………33
3.2.1 原理………………………………………………33
3.2.2 求各個氣體壓力時變率的步驟………………..34
3.3 薄膜的製作………………………………………………37
3.4 薄膜的分析……………………………………………..39
第四章結果與討論…………………………………………………..41
第五章結論與展望……………………………………………………67
參考文獻……………………………………………………………….68

參考文獻

2.A.J.Lewis,G.A.N Conneil,W.Paul and J.R. Pawlik, Proc. Int. Conf. Tetrahedrally Bonded Amorphous Semicond.,American Institute of Physics,New York,（1974）27.
3.T. Sameshima, J. Non-Cryst. Solids, 227-230（1998）1196.
4.R.E.I. Schropp, B. Stannowski, A.M. Brockhoff, P.A.T.T. van Veenendaal and J.K.Rath, Mater. Phys. Mech. 1 （2000）73.
5.M. Kondo, Y. Nasuno, H. Mase, T. Wada, A. Matsuda, J. Non-Cryst. Solids, 299-302（1002）108.
6.M. Kondo, M. Fukawa, L. Guo, A. Matsuda, J. Non-Cryst. Solids, 266-269（2000）84
7.V. Svrcek, A. fejfar, P. fojtik, et al., J. Non-Cryst. Solids, 299-302（2002）395.
8.M. Vieira, E. Morgado, A. Macarico, S. Koynov, R. Schwarz,Vacuum 52（1999）67
9.Sensors and Actuators A 99（2002）25
10.P. Rieve, M. Sommer, M. Wagner, K. Seibel, M. Bohm, J. Non-Cryst. Solids, 266-269（2000）1168.
11.Jin Jang, Jai II Ryu, Soo Young Yoon, and Kyung Ha Lee, vacuum, vol. 51, no. 4,（1998）, 769.
12.M. K. Hatalis, D.N. Kouvatsos, J. H. Kung, A. T. Voutsas, J. Kanicki, Thin Solid Films 338,（1999）, 281.
13.Seok-woon Lee and Seung-Ki Joo, IEEE Elcetron Device letters, Vol. 17, No. 4,（1996）, 160.
14.A. Matsuda, J. Non-Cryst. Solids, 59（1983）767.
15.K. Nagamine, A. Yamada, M. Konagai and K. Takahashi, Jpn.J. Appl. Phys., 26（1987）L951.
16.T. Hamasaki, H. Kurata, M. Hirose and Y. Osaka, Appl. Phys. Lett., 37 （1980）1084.
17.Y. Okada, J.Chen, I. H. Campbell, P.M. Fauchet and S. Wanger, Proc. Mat, Res. Soc.Sump., 149（1989）93.
18.S. Nishida, T. Shiimoto, A. Yamada, S. Karasawa, M. Konagai and K. Takahashi, Appl. Phys. Lett., 49（1986）79
19.H. Matsumura, ISSN0098-0966X/98/2901 (1998)
20.R.E.I. Schropp, J. K. Rath, B. Stannowski, C.H.M. Van Der Werf , Y. Chen, S. Wager, Mat. Res.Soc. Symp. Proc. Vol. 609 (2000), A31.3.1-A31.3.6
21.Hong Joo Lim, Bong Yeol Ryu, and Jin Jang, Appl. Phys. Lett. 66 (21), 1995, p.2888-2890
22.Atsushi Kohno, Toshiyuki Sameshima, Naoki Sano, Mitsunobu Sekiya, and Masaki Hara, IEEE Transactions on Electron Devices.Vol. 42, No. 2, 1995, p.251-257
23.N. Fujiki, Y.Nakatani, Appl.Phys.Lett., 28（1989）829.
24.A. Kermani and F. Wong, Solid State Technology, 33（1990）41.
25.M. Matsui., J. Appl. Phys., 53（1982）995.
26.P .C. Zalm, Appl. Phys. Lett., 41（1982）167.
27.A. Hiraki, J. Phys., 42（1981）Suppl. C4-277.
28.http://www.sharp.co.jp/corporate/rd/journala-69/pdf/69-10.pdf
29.Y. Mishima, M. Takei, T. Uematsu, N. Matsumoto, T. Kakehi, U. Wakino, and M. Okabe, J. Appl. Phys. 78 (1), 1995, p.217-223
30.Eiji Fujii, Kohji Senda, Fumiaki Emoto, Atsuya Yamamoto, Akira Nakamura, Yasuhiro Uemoto, and Gota Kano, IEEE, Transactions on Electron Devices, Vol. 37, No. 1, 1990, p.121-127
31.T. Matsuyama, N. Terada, T. Baba, T. Sawada, S. Tsuge, K. Wakisaka, S. Tsuda, Journal of Non-Crystalline Solids 198-200, 1996, p.940-944
32.Soo Young Yoon, Jae Young Oh, Chae Ok Kim, Jin Jang, J. Appl. Phys., Vol. 84, No. 11, 1998, p.6463-6465
33.Gang Liu and Stephen J. Fonash, Appl. Phys. Lett. 62 (20), 1993, p.2554-2556
34.M. Konuma, Films Deposition by Plasma Technique, Published by Springer-Verlag, （1992）.
35.陳一通，應用透明導電膜之室溫製作技術以改良太陽能電池之效率，國立中央大學光電科學研究所碩士論文，民國八十六年七月.
36.Y. Hamukawa, Amophous Semiconductor Technologies & Devices, Tokyo,（1981）64.

指導教授

陳培麗(Pei-Li Chen)

審核日期

2002-7-23

推文