博碩士論文 90222009 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:35 、訪客IP:3.236.228.250
姓名 周安泰(An-Tai Chou)  查詢紙本館藏   畢業系所 物理學系
論文名稱 自聚性矽鍺多層量子點光學特性研究
(Self-assembled Ge/Si multi quantum dots optical character research)
相關論文
★ 應力緩衝自聚性砷化銦量子點之電場調制反射光譜★ 垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之光學特性研究
★ 氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井之光學特性研究★ 自聚性砷化銦鎵量子點之光電特性
★ 熱退火處理之量子點的能階變化及其理論計算★ 碲硒化鋅磊晶層之光學特性研究
★ 硒化鋅磊晶層之光學性質★ 氮化銦鎵卅氮化鎵多層量子井發光二極體之電性研究
★ 低溫成長氮化鎵的光電性質★ III--氮族半導體的極化電場效應
★ 應力緩衝層對砷化銦量子點侷限能階之影響★ 砷化銦量子點在二維光子晶體中共振模態之光學特性研究
★ 高銦含量氮化銦鎵薄膜之光學性質研究★ 氮化銦奈米柱之光學性質研究
★ 砷化銦鎵量子點在砷化鎵多面體結構之光學性質研究★ 表面電漿子增強氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井結構之自發性復合速率探討
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載]
  1. 本電子論文使用權限為同意立即開放。
  2. 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
  3. 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。

摘要(中) 我們利用多層量子點的特性來提高矽鍺發光特性,並利用改變間隔層厚度,提高載子侷限。再利用快速熱退火實驗改變量子點發光波段。最後製作矽鍺量子點發光二極體,並改變頓化層的條件,提高室溫發光效率。
摘要(英) We use self-assembled quantum dots to raise the optical efficiency of Ge/Si. And then we tune the wavelength of Ge/Si from 1.3um to 1.55 um with rapid thermal annealing. At last we have three different passivation processes of Ge/Si multi-layer quantum dots LED to improve our room optical efficiency.
關鍵字(中) ★ 量子點
★ 矽鍺
關鍵字(英) ★ Ge
★ quantum dots
★ Si
論文目次 目錄
摘要
誌謝
第一章 簡介................................01
第二章 基本原理............................05
2-1 矽鍺多層量子點以其能帶結構......05
2-1-1 應力作用..................05
2-1-2 原子相互擴散..............12
2-2 光譜實驗原理....................13
2-2-1 光激發螢光................13
2-2-2 電激發螢光................16
第三章 樣品結構與實驗技術..................22
3-1 樣品結構........................22
3-1-1 矽鍺多層量子點............22
3-1-2 矽鍺發光二極體............22
3-2 光譜實驗技術....................25
3-2-1 光激發螢光................25
3-2-2 電激發螢光................28
第四章 結果分析與討論......................31
4-1 矽鍺多層量子點..................31
4-1-1 不同間隔層厚度............31
4-1-2 不同熱退火溫度............43
4-2 矽鍺多層量子點發光二極體........49
第五章 結論................................61
參考文獻......................................62
參考文獻 參考文獻
1. A .Gruhle, H.Kibbel, U.Erben, and E. Kasper, Electron lett 29, 415
2. A. G. O’Nell and D.A.Antoniadis IEEE. Trans. Electron Devices 43, 911 (1996).
3. R. P. G Karunasiri, J. S. Park, L. W. Kang and K. C. Sang, Opt. Eng(Bellingham)33. 1468(1994).
4. J. C. Sturm, H. Manoharan, L. C. Lenchyshyn, M. L. W. Thewalt, N. L. Rowell, J.-P. Noël, and D. C. Houghton, Phys. Rev. Lett. 66, 1362 (1991).
5. L. Vescan, A. Hartmann, K. Schmidt, Ch. Dieker, H. Lüth, and W. Jäger, Appl. Phys. Lett. 60, 2183 (1992).
6. S. Fukatsu, N. Usami, Y. Shiraki, A. Nishida, and A. Nakagawa, Appl. Phys. Lett. 63, 967 (1993).
7. D.J.Eagleham, and Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64(16) p.1943 (1990)
8. R.Apetz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker and H. Lüth, Appl. Phys. Lett. 66, 455 (1995).
9. M.WDashiel, U Denker and O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 79, 2261 (2001).
10. S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, and S. Komiyama, Appl. Phys. Lett. 71, 258 (1997).
11. Q. Xie, A. Madhukar, P.Chen, and N. P. Kobayashi, Phys. Rev. Lett., 75(13), p.2542 (1995).
12. G. S. Solomon, J. A. trezza, A.F. Marshall and J. S. Harris, Jr. Phys. Rev. Lett., 76(6), p.952 (1996).
13. O. G. Schmidt, O. Kienzle, Y. Hao, K. Eberl, and F. Ernst, Appl. Phys. Lett. 74, 1272 (1999).
14. T. M. Hsu, Y. S. Lan and W. H. chang, Appl. Phys. Lett. 76, 691(1999).
15. O.G. Schmidt, C. Lange, and K. Eberl, Appl. Phys. Lett. 75, 1905 (1999).
16. S. Fukatsu, Y. Mera, M. Inoue, K. Maeda, H. Akiyama, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 68, 1889 (1996)
17. O. G. Schmidt, K. Eberl, and Y. Rau, Phys. Rev. B 62, 16715 (2000).
18. M. W. Dashiell, U. Denker, and O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 79, 2261 (2001).
19. O. G. Schmidt and K. Eberl, Phys. Rev. B 61, 13 721 (2000).
20. K. Eberl, O. G. Schmidt, O. Kienzle and F. Ernst, Thin Solid Films 373, 164 (2000).
21. R. Leon, Y. Kim, C. Jagadish, M. Gal, J. Zou, and D.J.H. Cockayne, Appl. Phys. Lett. 69, 1888 (1996).
22. R. Leon, S.Fafard,P. G. Piva, S. Ruvimov and Z. Liliental-Weber, Phys. Rev. B, 58, R4262 (1998).
23. N. Usami, Y. Shiraki and S.Fukatsn Appl. Phys. Lett. 68, 2340 (1996).
24. R. Apetz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker, and H. Lüth, Appl. Phys. Lett., 66, 445 (1995).
25. T. Stoica, L. Vescan and M. Goryll, J. Appl. Phys. 83(6) 3367 (1998).
指導教授 徐子民(T. M Hsu) 審核日期 2003-7-1
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明