參考文獻 |
[1] V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov,
V. V. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima,
A. V. Mudryi, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Aderhold,
J. Graul, and E. E. Haller:
phys. stat. sol. (b), Vol. 230, No. 2, pp. R4-R6 (2002)
[2] R. N. Hall, G. E. Fenner, J. D. Kingsley, T. J. Soltys,
and R. O. Carlson:
Phys. Rev. Lett., Vol. 9, No. 9, pp.366-368 (1962)
[3] 郭奕玲 沈慧君編著, 李精益校定,
“科學的榮耀 諾貝爾物理學獎 百年回顧”,
科技圖書股份有限公司 (2002)
[4] M. B. Panish, I. Hayashi, and S. Sumski:
Appl. Phys. Lett., Vol. 16, No. 8, pp.326-327 (1970)
[5] I. Hayashi, M. B. Panish, P. W. Foy and S. Sumski:
Appl. Phys. Lett., Vol. 17, No. 3, pp.109-111 (1970)
[6] R. Dingle, W. Wiegmann, and C. H. Henry:
Phys. Rev. Lett., Vol. 33, No. 14, pp.327-330 (1974)
[7] R. Dingle, K. L. Shaklee, R. F. Leheny, and R. B. Zetterstrom:
Appl. Phys. Lett., Vol. 19, No. 1, pp.5-7 (1971)
[8] X. H. Yang, T. J. Schmidt, W. Shan, and J. J. Song:
Appl. Phys. Lett., Vol. 66, No. 1, pp.1-3 (1995)
[9] I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka,
and M. Koike:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 34, No. 11B, pp.L1517-L1519 (1995)
[10] I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike,
and H Amano:
Electronics Letters, Vol. 32, No. 12, pp.1105-1106 (1996)
[11] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, No. 1B, pp.L74-L76 (1996)
[12] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku:
Appl. Phys. Lett., Vol. 69, No. 10, pp.1477-1479 (1996)
[13] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku:
Appl. Phys. Lett., Vol. 69, No. 20, pp.3034-3036 (1996)
[14] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku:
Appl. Phys. Lett., Vol. 69, No. 26, pp.4056-4058 (1996)
[15] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku:
Appl. Phys. Lett., Vol. 70, No. 7, pp.868-870 (1997)
[16] K. Itaya, M. Onomura, J. Nishio, L. Sugiura, S. Saito:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, No. 10B, pp.L1315-L1317 (1996)
[17] A. Kuramata, K. Demon, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota,
and T. Tanahashi:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, No. 9A/B, pp.L1130-L1132 (1997)
[18] A. Kuramata, S. Kubota, R. Soejima, K. Domen, K. Horino,
and T Tanahashi:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 11B, pp.L1373-L1375 (1998)
[19] A. Kuramata, S. Kubota, R. Soejima, K. Domen, K. Horino,
P. Hacke, and T Tanashi:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 5A, pp.L481-L483 (1999)
[20] A. Tsujimura, Y. Hasegawa, A. Ishibashi, S. Kamiyama,
I. Kidoguchi, R. Miyanaga, M. Suzuki, M. Kume,
K. Harafuji, and Y. Ban:
Electronics Letters, Vol. 35, No. 12, pp.998-999 (1999)
[21] A. Tsujimura, A. Ishibashi, Y. Hasegawa, S. Kamiyama, I. Kidoguchi, N. Otsuka, R. Miyanaga, G. Sugahara,
M. Suzuki, M. Kume, K. Harafuji, and Y. Ban:
phys. stat. sol. (a) 176, No. 1, pp.53-57 (1999)
[22] D. P. Bour, M. Kneissl, L. T. Romano, M. D. McCluskey,
C. G. Van deWalle, B. S. Krusor, R. M. Donaldson,
J. Walker, C. Dunnrowicz, and N. M. Johnson:
IEEE Journal of Selected Topics Quantum Electronics,
Vol. 4, No. 3, pp498-504 (1998)
[23] D. P. Bour, M. Kneissl, C. G. Van deWalle, J. Northrup,
L. T. Romano, M. Teepe, R. Wood, T. Schmidt,
and N. M. Johnson:
phys. stat. sol. (a), Vol. 180, No. 1, pp.139-147 (2000)
[24] F. Nakamura, T. Kobayashi, T. Tojo, T. Asatsuma,
K. Naganuma, H. Kawai, and M. Ikeda:
Electronics Letters, Vol. 34, No. 11, pp.1105-1107 (1998)
[25] G. E. Bulman, K. Doverspike, S.T. Sheppard, T. W. Weeks,
H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown,
J. T. Swindell, and Schetzina:
Electronics Letters, Vol. 33, No. 18, pp.1556-1557 (1997)
[26] G. E. Bulman, K. Doverspike, K. W. Haberern, H. Dieringer, H. S. Kong, J. A. Edmond, Y. K. Song, M. Kuball,
and A. V. Nurmikko:
Proceedings of SPIE, Vol. 3628, pp.1556-1557 (1999)
[27] H. Katoh, T. Takeuchi, C. Anbe, R. Mizumoto, S. Ymaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, and N. Yamada:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 4B, pp.L444-L446 (1998)
[28] K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima,
A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano,
and I. Akasaki
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 43, No. 4A, pp.L499-L500 (2004)
[29] M. Kneissl, D. P. Bour, N. M. Johnson, L. Romano, B. Krusor,
R. Donaldson, J. Walker, C. Dunnrowicz, and R. Bringans:
Appl. Phys. Lett., Vol. 72, No. 13, pp.1539-1541 (1998)
[30] M. Kneissl, D. P. Bour, C. G. Van de Walle, L. T. Romano,
J. E. Northrup, R. M. Wood, M. Teepe, and N. M. Johnson:
Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 4, pp.581-583 (1999)
[31] M. Kneissl, D. P. Bour, L. Romano, C. G. Van de Walle,
J. E. Northrup, W. S. Wong, D. W. Treat, T. Schmidt,
and N. M. Johnson:
Appl. Phys. Lett., Vol. 77, No. 13, pp.1931-1933 (2000)
[32] M. Kneissl, T. L. Paoli, P. Kiesel, D. W. Treat, M. Teepe,
N. Miyashita, and N. M. Johnson:
Appl. Phys. Lett., Vol. 80, No. 18, pp.3283-3285 (2002)
[33] M. Kneissl, W. S. Wong, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita,
and N. M. Johnson:
IEEE Journal of Selected Topics Quantum Electronics,
Vol. 7, No. 2, pp188-191 (2001)
[34] M. Kneissl, W. S. Wong, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita,
and N. M. Johnson:
phys. stat. sol. (a), Vol. 188, No. 1, pp.23-29 (2001)
[35] M. Kneissl, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita,
and N. M. Johnson:
phys. stat. sol. (a), Vol. 200, No. 1, pp.118-121 (2003)
[36] M. Koike, S. Yamasaki, Y. Tezen, S. Nagai, S. Iwayama,
and A. Kojima:
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W1.2 (2000)
[37] M. Kuramoto, A. Kimura, C. Sasaoka, T. Arakida, M. Nido,
and M. Mizuta:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 9A/B, pp.L925-L927 (2001)
[38] M. Kuramoto, C. Sasaoka, Y. Hisanaga, A. Kimura,
A. A. Yamaguchi, H. Sunakawa, N. Kuroda, M. Nido, A. Usui, and M. Mizuta:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 2B, pp.L184-L186 (1999)
[39] M. Kuramoto, C. Sasaoka, Y. Hisanaga, A. Kimura,
A. A. Yamaguchi, H. Sunakawa, N. Kuroda, M. Nido, A. Usui, and M. Mizuta:
phys. stat. sol. (a), Vol. 176, No. 1, pp.35-38 (1999)
[40] M. Miyachi, H. Ota, Y. Kimura, A. Watanabe, T. Tanaka,
H. Takahashi, and K. Chikuma:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 11A, pp.L1237-L1239 (1999)
[41] M. Miyachi, Y. Kimura and K. Chikuma:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 43, No. 2A, pp.L136-L138 (2004)
[42] M. P. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodoy, S. Keller, U. K. Mishra, L. Coldren, and S. DenBaars:
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. Vol. 2, No. 41 (1997)
[43] M. P. Mack, G. D. Via, A. C. Abare, M. Hansen, P. Kozodoy,
S. Keller, J. S. Speck, U. K. Mishra, L. A. Coldren
and S. P. DenBaars:
Electronics Letters, Vol. 34, No. 13, pp.1315-1316 (1998)
[44] M. Takeya, T. Tojyo, T. Asano, S Ikeda, T. Mizuno, O. Matsumoto, S. Goto, Y. Yabuki, S. Uchida, and M. Ikeda:
phys. stat. sol. (a), Vol. 192, No. 2, pp.269-276 (2002)
[45] M. Razeghi, A. W. Saxler, P. Kung, D. Walker, X. Zhang, A. Rybaltowski, Y. Xiao, H. J. Yi, and J. E. Diaz:
Proceedings of SPIE, Vol. 3284, pp.113-121 (1998)
[46] R. Czernetzki, M. Leszczynski, I. Grzegory, P. Perlin,
P. Prystawko, C. Skierbiszewski, M. Krysko, M. Sarzynski,
P. Wisniewski, G. Nowak, A. Libura, S. Grzanka, T. Suski,
L. Dmowski, E. Litwin-Staszewska, M. Bockowski,
and S. Porowski:
phys. stat. sol. (a), Vol. 200, No. 1, pp.9-12 (2003)
[47] R. Kehl Sink, “Cleaved-Facet Group-III Nitride Lasers”,
Electrical and Computer Engineer Dept., Ph.D., UCSB (2000)
[48] R. Soejima, A. Kuramata, S. Kubota, K. Domen, K. Horino,
and T. Tanahashi:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 10B, pp.L1205-L1207 (1998)
[49] S. Bader, B. Hahn, H. -J. Lugauer, A. Lell, A. Weimar,
G. Brüderl, J. Baur, D. Eisert, M. Scheubeck, S. Heppel,
A. Hangleiter, and V. Härle:
phys. stat. sol. (a), Vol. 180, No. 1, pp.177-182 (2000)
[50] S. Goto, M. Ohta, Y. Yabuki, Y. Hoshina, K. Naganuma,
K. Tamamura, T. Hashizu, and M. Ikeda:
phys. stat. sol. (a), Vol. 200, No. 1, pp.122-125 (2003)
[51] S. Ito, Y. Yamasaki, S. Omi, K. Takatani, T. Kawakami, T. Ohno,
M. Ishida, Y. Ueta, T. Yuasa, and M. Taneya:
phys. stat. sol. (a), Vol. 200, No. 1, pp.131-134 (2003)
[52] S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 5A, pp.3075-3081 (2001)
[53] S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano and T. Mukai:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 8A, pp.L788-L791 (2001)
[54] S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 1, pp.5-10 (2002)
[55] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, H. Kiyoku, and T. Mukai:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, No. 2B, pp.L217-L220 (1996)
[56] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada,
T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku:
Appl. Phys. Lett., Vol. 70, No. 11, pp.1417-1419 (1997)
[57] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, T. Matsushita,
H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano,
and T. Mukai:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 3A, pp.L226-L229 (1999)
[58] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa,
T. Matsushita, and T. Mukai:
Appl. Phys. Lett., Vol. 76, No. 1, pp.22-24 (2000)
[59] S. Nunoue, M. Yamamoto, M. Suzuki, C. Nozaki, J. Nishio,
L. Sugiura, M. Onomura, K. Itaya, and M. Ishikawa:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 3B, pp.1470-1473 (1998)
[60] S. Kijima, T. Tojyo, S. Goto, M. Takeya, T. Asano, T. Hino,
S. Uchida, and M. Ikeda:
phys. stat. sol. (a), Vol. 188, No. 1, pp.55-58 (2001)
[61] T. Asano, K. Yanashima, T. Asatsuma, T. Hino, T. Yamaguchi,
S. Tomiya, K. Funato, T. Kobayashi, and M. Ikeda:
phys. stat. sol. (a), Vol. 176, No. 1, pp.23-30 (1999)
[62] T. Asano, M. Takeya, T. Tojyo, T. Mizuno, S. Ikeda, K. Shibuya,
T. Hino, S. Uchida, and M. Ikeda:
Appl. Phys. Lett., Vol. 80, No. 19, pp.3497-3499 (2002)
[63] T. Böttcher, Ch. Zellweger, S. Figge, R. Kröger, Ch. Petter,
H. -J. Bühlmann, M. Ilegems, P.L. Ryder, D. Hommel:
phys. stat. sol. (a), Vol. 191, No. 1, pp.R3-R5 (2002)
[64] Tim Böttcher, “Heteroepitaxy of Group-Ⅲ-Nitrides for the Application in Laser Diodes”, Institute of Solid State Physics, Ph.D., University of Bremen (2002)
[65] T. Kobayashi, F. Nakamura, K. Naganuma, T. Tojyo,
H. Nakajima, T. Asatsuma, H. Kawai, and M. Ikeda:
Electronics Letters, Vol. 34, No. 15, pp.1494-1495 (1998)
[66] T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Yano, M. Yamaguchi,
N. Hayashi, M. Iwaya, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano,
I. Akasaki, Yw. Kaneko, S. Watanabe, Y. Yamaoka,
R. Shioda, T. Hidaka, Ys. Kaneko, and N. Yamada:
phys. stat. sol. (a), Vol. 176, No. 1, pp. 31-34 (1999)
[67] T. Tojyo, T.Asano, M. Takeya, T. Hino, S. Kijima, S. Goto,
S. Uchida, and M. Ikeda:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 40, No. 5A, pp.3206-3210 (2001)
[68] T. Tojyo, S. Uchida, T. Mizuno, T. Asano, M. Takeya, T. Hino,
S. Kijima, S. Goto, Y. Yabuki, and M. Ikeda:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 3B, pp.1829-1833 (2002)
[69] Umesh K. Mishra and Steven P. DenBaars:
Optoelectronic and Microelectronic Materials Devices, 1998. Proceedings 1998 Conference on , 14-16 Dec. 1998
pp.175–178
[70] Y. Kimura, M. Miyachi, H. Takahashi, T. Tanaka, M. Nishitsuka,
A. Watanabe, H. Ota and K. Chikuma:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, No. 10B, pp.L1231-L1233 (1998)
[71] Y. Ohba and S. Iida:
phys. stat. sol. (a), Vol. 200, No. 1, pp. 126-130 (2003)
[72] 行政院國家科學委員會 委託 光電科技工業協進會 辦理,
“2003年 光電半導體產業及技術動態調查報告” (2004)
[73] 史光國,“現代半導體發光及雷射二極體材料技術”,
全華科技圖書股份有限公司 (2001)
[74] 史光國,“現代半導體發光及雷射二極體材料技術-進階篇”,
全華科技圖書股份有限公司 (2004)
[75] BPA International, Compound Semiconductor.net,
“Taiwanese university develops violet laser diode”,
http://compoundsemiconductor.net/articles/news/7/2/23/1
[76] Shuji Nakamura, Stephen Pearton, Gerhard Fasol:
“The Blue Laser Diode”, 2nd. Ed., Springer-Verlag (2000)
[77] S. Nakamura:
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 30, No. 10A, pp.L1705-L1707 (1991)
[78] 陳冠廷, “氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體研製與特性分析”,
電機工程系, 碩士論文, 國立中央大學 (2000)
[79] P. Kozodoy, Y. P. Smorchkova, M. Hansen, H. Xing, S. P. DenBaars, U. Mishra, A. W. Saxler, R. Perrin,
and W. C. Mitchel:
Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 16, pp.2444-2446 (1999)
[80] A. Motayed, R. Bathe, M. C. Wood, O. S. Diouf, R. D. Vispute,
and S. Noor Mohammad:
J. Appl. Phys., Vol. 93, No. 2, pp.1087-1094 (2003)
[81] Y. Wu, W. Jiang, B. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. DenBaars, and U. K. Mishra:
Proceedings of the Topical Workshop on III–V Nitrides,
Nagoya, Japan (1995)
[82] 林明儀, “P型氮化銦鎵歐姆接觸層對氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體之影響”, 電機工程系, 碩士論文, 國立中央大學 (2001)
[83] X. A. Cao, S. J. Pearton, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren,
R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman and J. M. Van Hove:
Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 17, pp.2569-2571 (1999)
[84] S. W. Pang:
J. Electrochem. Soc., Vol. 133, No. 4,, pp 784-786 (1986)
[85] Stephen J. Pearton, ”Wide Bandgap Semiconductors”,
William Andrew Publishing (2000)
[86] T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda:
Appl. Phys. Lett., Vol. 76, No. 23, pp.3421-3423 (2000)
[87] Mitsuo Fukuda, “Reliability and Degradation of Semiconductor Lasers and LEDs”, Artech House Inc. (1991)
[88] Mitra Dutta, and Michael A. Stroscio, “Advances in Semiconductor Lasers and Applications to Optoelectronics”,
World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. (2000)
[89] 卓昌正, “氮化銦鎵量子井與藍紫光雷射二極體結構之成長與分析”, 電機工程系, 博士論文, 國立中央大學 (2001)
[90] V. E. Bougrov and A. S. Zubrilov:
J. Appl. Phys., Vol. 81, No. 7, pp.2952-2956 (1997) |