參考文獻 |
1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. M. Bockowski, Cryst. Res. Technol. 42, 1162 (2007).
3. Y. Kato, S. Kitamura, K. Hiramatsu, N. Sawaki, J. Cryst. Growth 144, 133 (1994).
4. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2559 (1997).
5. K. Linthicum, T. Gehrke, D. Thomson, E. Carlson, P. Rajagopal, T. Smith, D. Batchelor, and R. Davis, Appl. Phys. Lett. 75, 196 (1999).
6. H. Kazumasa, N. Katsuya, O. Masaru, M. Hiromitsu, N. Mitsuhisa, M. Atsushi, M. Hideto, I. Yasushi, and M. Takayoshi, J. Cryst. Growth 221, 316 (2000).
7. I. Kidoguchi, A. Ishibashi, G. Sugahara, and Y. Ban, Appl. Phys. Lett. 76, 3768 (2000).
8. S. Nakamura, S. Masayuki, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T, Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
9. K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 43, L499-L500, (2004).
10. S. Kamiyama, M. Iwaya, S. Takanami, S. Terao, A. Miyazaki, H. Amano, I. Akasaki, Phys. Stat. Sol. A 192 296 (2002).
11. K. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and A. Bandoh, J. Cryst. Growth 298, 265 (2007).
12. Website of Picogiga: http://www.soitec.com/picogiga/.
13. Website of Nitronex: http://www.nitronex.com/index.html.
14. Website of AZZURRO Semiconductors: http://azzurrosemeconductor.com.
15. Website of Shimei Semiconductor: http://www.shimeisemicon.com/
16. H. M. Manasevit, F. M. Erdmann, and W. J. Simpson, J. Electrochem. Soc. 118, 1864 (1971).
17. T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 115, 634 (1991).
18. A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Kurosawa, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 128, 391 (1993).
19. J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. S. Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, C. Hu, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 69, 3566 (1996).
20. N. P. Kobayashi, J. T. Kobayashi, P.D. Dapkus, W. J. Choi, A. E. Bond, X. Zhang, and D. H. Rich, Appl. Phys. Lett. 71, 3569 (1997).
21. L. Wang, X. Liu, Y. Zan, J. Wang, D. Wang, D. Lu, and Z. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 109 (1998).
22. A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken, and A. Krost, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1183 (2000).
23. A. Dadgar, M. Poschenrieder, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 80, 3670 (2002).
24. J. Bläsing, A. Reiher, A. Dadgar, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 81, 2722 (2002).
25. A. Dadgar, M. Poschenrieder, A. Reiher, J. Bläsing, J. Christen, A. Krtschil, T. Finger, T. Hempel, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 82, 28 (2003).
26. K. Y. Zang, Y. D. Wang, L. S. Wang, S. Y. Chow, and S. J. Chua, J. Appl. Phys. 101, 093502 (2007).
27. S. Tanaka, Y. Kawaguchi, N. Sawaki, M. Hibino, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 76, 2701 (2000).
28. A. Strittmater, S. Rodt, L. Reißmann, D. Bimberg, H. Schröder, E. Obermeier, T. Riemann, J. Christen, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 78, 727 (2001).
29. T. M. Katona, M. D. Craven, P. T. Fini, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 79, 2907 (2001).
30. A. Dadgar, A. Alam, T. Riemann, J. Bläsing, A. Diez, M. Poschenrieder, M. Strassburg, M. Heuken, J. Christen, and A. Krost, Phys. Stat. Sol. 188, 155 (2001).
31. Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 80, 222 (2001).
32. S. D. Hersee, D. Zubia, X. Sun, R. Bommena, M. Fairchild, S. Zhang, D. Burckel, A. Frauenglass, and S. R. J. Brueck, J. Quantum Electronics 38, 1017 (2002).
33. S. D. Hersee, X. Y. Sun, X. Wang, M. N. Fairchild, J. Liang, and J. Xu, J. Appl. Phys. 97, 124308 (2005).
34. J. Liang, S. K. Hong, N. Kouklin, R. Beresford, and J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 83, 1752 (2003).
35. K. Y. Zang, Y. D. Wang, S. J. Chua, and L. S. Wang, Appl. Phys. Lett. 87, 193106 (2005).
36. L. S. Wang, S. Tripathy, B. Z. Wang, J. H. Teng, S. Y. Chow, and S. J. Chua, Appl. Phy. Lett. 89, 011901 (2006).
37. K. Y. Zang, Y. D. Wang, L. S. Wang, S. Tripathy, S. J. Chua, and C. V. Thompson, Thin Solid Films 515, 4505 (2007).
38. G.-T. Chen, J.-I. Chyi, C.-H. Chan, C.-H. Hou, C.-C. Chen, and M.-N. Chang, Appl. Phys. Lett. 91, 261910 (2007).
39. F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, T. Hempel, A. Diez, J. Christen, and A Krost, J. Cryst. Growth 289, 485 (2006).
40. F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, and A Krost, Appl. Phys. Lett. 84, 4747 (2004).
41. F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, and A Krost, Appl. Phys. Lett. 88, 121114 (2006).
42. F. Schulze, O. Kisel, A. Dadgar, A. Krtschil, J. Bläsing, M. Kunze, I. Daumiller, T. Hempel, A. Diez, R. Clos, J. Christen, and A. Krost, J. Cryst. Growth 299, 399 (2007).
43. Y. Honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, S. Tanaka, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 230, 346 (2001).
44. Y. Honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 242, 82 (2002).
45. T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, Phys. Stat. Sol. (c) 1-4 (2008).
46. S. Tripathy, V. K. X. Lin, S. L. Teo, A. Dadgar, A. Diez, J. Bläsing, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 91, 231109 (2007).
47. Y. Okada and Y. Tokumaru, J. Appl. Phys. 56, 314 (1984).
48. Landolt-Börnstein, III/41 A1a (Springer, Berlin/Heidelberg/New York, 2001)
49. R. Hull, Properties of crystalline silicon, (EMIS datareview series No. 20, 1999).
50. M. S. Shur and M. A. Khan, Mater. Res. Bull. 22, 44 (1997).
51. G. A. Slack, R. A. Tanzilli, R. O. Pohl, and J. W. Vandersande, J. Phys. Chem. Solids 48, 641 (1987).
52. E. K. Sichel and J. I. Pankove, J. Phys. Chem. Solids 38, 330 (1977).
53. Landolt-Börnstein, Vol. 17 (Spinger, New York, 1992).
54. Madelung, Semiconductors Group IV and III-V compounds (Spinger, Berlin, 1991).
55. Cree Inc., product specification.
56. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett 48, 353 (1986).
57. A. Ohtani, K.S. Stevens, and R. Beresford, Appl. Phys. Lett. 65, 61(1994).
58. P. Kung, A. Saxler, X. Zhang, D. Walker, T. C. Wang, I.Ferguson, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 66, 2958 (1995).
59. M. Godlewski, J.P. Bergmann, B. Monemar, U. Rossner, and A. Barski, Appl. Phys. Lett. 69, 2089 (1996).
60. S. Guha and N.A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998).
61. S. Guha and N.A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 73, 1487 (1998).
62. B.H. Bairamov, O.Gürdal, A. Botchkarev, H. Morkoc, G. Irmer, and J. Monecke, Phys. Rev. B 60, 16741 (1999).
63. H. Ishikawa, G.Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, and M. Umeno, Phys. Stat. Sol. (a) 176, 599 (1999).
64. A. Krost and A. Dadgar, Mat. Sci. Tech. B93, 77 (2002).
65. F. W. Tausch, Jr. and A. G. Lapierre III, J. Electrochem. Soc. 112, 706 (1965).
66. D. W. Shaw, J. Electrochem. Soc. 113, 904 (1966).
67. S. K. Mathis, A. E. Romanov, L. F. Chen, G. E. Beltz, W. Pompe, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 231, 371 (2001).
68. H. D. Li, T. Wang, N. Jiang, Y. H. Liu, J. Bai, and S. Sakai, J. Cryst. Growth 247, 28 (2003).
69. J.-M. Wagner and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 77, 346 (2001).
70. S. K. Mathis, A. E. Romanov, L. F. Chen, G. E. Beltz, W. Pompe, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 231, 371 (2001).
71. D. Zubia and S. D. Hersee, J. Appl. Phys. 85, 6492 (1999).
72. S. C. Lee, X. Y. Sun, S. D. Hersee, S. R. J. Brueck, and H. Xu, Appl. Phys. Lett. 84, 2079 (2004).
73. S. C. Lee, X. Y. Sun, S. D. Hersee, and S. R. J. Brueck, J. Cryst. Growth 279, 289 (2005).
74. S. C. Lee, B. Pattada, S. D. Hersee, Y. B. Jiang, and S. R. J. Brueck, J. Quantum Electronics 41, 596 (2005).
75. U. C. Fischer and H. P. Zingsheim, J. Vac. Sci. Technol. 19, 881 (1981).
76. H. W. Deckman and J. H. Dunsmuir, Appl. Phys. Lett. 41, 377 (1982).
77. Ormonde AD, Hicks ECM, Castillo J, Van Duyne RP, LANGMUIR 20, 6927
(2004).
78. S. Zamir, B. Meyler, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett. 78, 288 (2001).
79. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 36, L899 (1997).
80. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
81. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998).
82. A. Sakai, H. Sunakawa, A. Kimura, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 76, 442 (2000).
83. M. Hao, S. Mahanty, T. Sugahara, Y. Morishima, H. Takenaka, J. Wang, S. Tottori, K. Nishino, Y. Naoi, and S. Sakai, J. Appl. Phys. 85, 6497 (1999).
84. Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, and J. Washburm, Phys. Rev. Lett. 79, 2835 (1997).
85. H. D. Li, T. Wang, N. Jiang, Y. H. Liu, J. Bai, and S. Sakai, J. Cryst. Growth 247, 28 (2003).
86. J.-M. Wagner and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 77, 346 (2001).
87. S. Tripathy, S. J. Chua, P. Chen, and M. L. Miao, J. Appl. Phys. 92, 3503 (2002).
88. T. Detchprohm, K. Hiramatsu, K. Itoh, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1454 (1992).
89. C. Y. Yeh, Z. W. Lu, S. Froyen, and A. Zunger, Phys. Rev. B 46, 10086 (1992).
90. A. Chtanov, T. Baars, and M. Gal, Phys. Rev. B 53, 4704 (1996).
91. Y. Narukawa, Y. Kawakami, and S. Fujita, Phys. Rev. B 59, 10283 (1999).
92. D. B. Williams and C. B. Carter, Transmission Electron Microscopy (Plenum Press), p. 150.
93. T. Kanata, M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakawa, and T. Nishino, Proc. SPIE 56, 1286 (1990).
94. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), p. 794.
95. G. Bastard, E. E. Mendez, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. B 28, 3241 (1983). |