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姓名	王聖瑜(Sheng-Yu Wang)  查詢紙本館藏	畢業系所	電機工程學系
論文名稱	磷化銦異質接面雙極性電晶體元件製作與特性分析 (Fabrication and Characteristic Analysis of InP Based Heterojunction Bipolar Transistors)
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摘要(中)	本論文主要研究內容在於磷化銦雙異質接面雙極性電晶體的製程技術發展與其高頻特性分析。在製程技術方面，我們利用利用剝離光阻(Lift Off Resist，以下簡稱LOR)改善苯並環丁烯(BCB)在曝光顯影後容易殘留的問題，發展出一套以苯並環丁烯曝光、顯影的方式，完成鈍化層披覆、平坦化、以及層與層之間之間隔層，並以此製程技術為基礎，發展出以一次金屬完成射極(Emitter)、基極(Base)、集極(Collector)的射頻元件快速製程，做為驗證磊晶結果的有效工具；此外，為了追求元件的高頻特性，本研究亦發展了一套小線寬製程，配合隔絕墊(isolation pad)的設計，以傳統接觸式光罩對準機，實現了射極面積1x10μm2的元件。 在元件特性分析方面，主要內容在於探討磷化銦雙異質接面電晶體的電流阻擋效應，在本論文中我們分別利用加入四元砷化鋁銦鎵材料及複合集極結構來降低電流阻擋效應，在本論文中將會討論鋁含量對於降低電流阻擋效應的的影響，以及在複合集極結構中，不同砷化銦鎵間隔層厚度對於元件高頻特性的影響，就射極面積為2x20μm2之元件，電流增益截止頻率(ft)可達126GHz，同時其崩潰電壓可達8.5伏特，不遜於前人所發表之成果。
摘要(英)	This research is focus on Fabrication and Characteristic Analysis of InP Based Heterojunction Bipolar Transistors. First, we invent a new technique to prevent BCB remain on the contact window. By using this technique, we invent " Quick Process of HBT RF device" . In order to reduce current blocking effect, we use a composite collector structure to minimize the conduction band discontinuity. We demonstrate max current density above 200kA/cm2 and cutoff frequency about 120GHz. Final, In order to reduce the space charge time, we scale down our device to 1x10um2.
關鍵字(中)	★ 苯並環丁烯 ★ 磷化銦異質接面電晶體 ★ 電流密度 ★ 砷化鋁銦鎵	關鍵字(英)	★ Current density ★ InAlGaAS ★ InP ★ HBT ★ BCB
論文目次	第一章、導論 1 第二章、異質接面電晶體射頻元件快速製程 3 2-1、序論 4 2-2、以剝離光阻改善苯並環丁烯曝光顯影製程 5 2-3、異質接面雙極性電晶體射頻元件快速製程 10 2-4、製程比較 18 2-5、元件特性分析 20 2-6、結論 23 第三章、複合集極結構對元件特性之影響 24 3-1、序論 25 3-2、元件製作 26 3-3、四元材料漸變層對最大電流密度的影響 27 3-4、砷化銦鎵厚度對電流密度及高頻特性的影響 39 3-5、結論 44 第四章、小線寬元件製程 45 4-1簡介 46 4-2 元件製作 47 4-3元件特性分析 49 4-4 結論 54 第五章、結論 55
參考文獻	參考文獻 [1] www.ece.ucsb.edu/Faculty/rodwell/Downloads/workshops/IPRM_02_ course_rodwell.pdf [2] 李孟麟, “磷化銦/砷化銦鎵雙異質接面雙極性電晶體製作與特性分析”碩士論文，國立中央大學，民國92年。 [3] M. Dahlström et al., “InGaAs/InP DHBT’s with > 370GHz ft and Fmax using a Graded Carbon-Doped Base”IPRM 2002 [4] M. Ida et al., ”InP/InGaAs DHBTs with 341-GHz fT at high current density of over 800 kA/cm”，Electron Devices Meeting, 2001. IEDM Technical Digest. International , 2-5 Dec. 2001 [5] S. Krishnan et al.,”InP/InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors with 300 GHz Fmax” Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM. IEEE International Conference On , 14-18 May 2001 [6] C.R. Bolognesi.,” InP/GaAsSb/InP double HBTs: a new alternative for InP-based DHBTs” Electron Devices, IEEE Transactions on , Volume: 48 , Issue: 11 , Nov. 2001 Pages:2631 – 2639 [7] William Liu, “Handbook of Ⅲ-Ⅴ of Heterojuntion Bipolar Transistors”,John Wiley and Sons [8] D. Ritter et al.,”Bistable Hot Electron Transport in InP/InGaAs Composite collector Heterojunction Bipolar Transistors ,”Appl. Phys. Lett., Vol. 61, (July 1992), pp.70-72. [9] Po-Han Chen et al., ”InP/InGaAs DHBT with Doped Base collector Spacer” EDMS Taiwan 2003. [10] OSAMU WADA, HIDEKI HASEGAWA, “InP-Based Materials and Devices” JOHN WILEY & SONS, INC 1998. [11] Y. Kawamura et al.,Jpn. Appl. Phys. Vol. 33(1994) [12] Kenji Kurishima et al.,”High-Performance InP HBTs With a composite collector” SSDM. 2003 [13] A. Fujihara et al., “High-speed InP/InGaAS DHBTs with Ballistic Collector launcher Structure.” IEDM 2001 [14] J. S. Yu et al.,” Pt/Ti/Pt/Au and Pd/Ti/Pt/Au ohmic contacts to P-InGaAs,” International Symposium Compound Semiconductors IEEE. Aug. 1997 ,pp. 175-178. [15] G. Stareev et al., “Acontrollable mechanism of forming exremently low-resistance nonalloyed ohmic contacts to group Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors.” J. Appl. Phys. 75, 8246(1994). [16] Milton Feng et al., “Over 500GHz InP Heterojunction Bipolar Transistors.” IPRM 2004.
指導教授	綦振瀛(Jen-Inn Chyi)	審核日期	2004-7-10
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