博碩士論文 92323046 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:16 、訪客IP:3.81.29.254
姓名 郭威廷(Wei-Ting Kuo)  查詢紙本館藏   畢業系所 機械工程學系
論文名稱 低壓鋁電解電容器用鋁箔之電蝕條件最佳化研究
相關論文
★ 鋁電解電容器用陽極鋁箔電蝕時電化學舉動之研究★ 汽車車體用鋁合金板材、擠型材之研究
★ 汽車車體骨架用6000系鋁合金低溫時效與擠型條件之研究★ 材料製程對汽車車體用鋁合金彎曲加工特性之影響研究
★ 鋁電解電容器用低壓陽極箔鋁箔之研發★ 鋁原箔對鋁電解電容器用高壓陽極鋁箔電解腐蝕舉動之影響研究
★ 電蝕條件對鋁電解電容器用高壓陽極鋁箔電蝕時電化學舉動之影響研究★ 鋁原箔製程參數對低壓鋁電解電容器用陽極鋁箔電解腐蝕舉動影響之研究
★ 微量元素對高壓鋁電解電容器用 陽極鋁箔電解腐蝕舉動影響之研究★ 微量元素對低壓鋁電解電容器用 陽極鋁箔電解腐蝕舉動影響之研究
★ 製程履歷對汽車車體用6022 鋁合金析出舉動之影響研究★ 製程條件對汽車車體用6022鋁合金析出擧動之影響
★ 均質化處理及時效處理條件對航空用鋁合金金屬疲勞舉動之影響★ 鋁電解電容器用高純度鋁箔直流電蝕擧動之模型分析
★ 腐蝕環境對航空用7050鋁合金金屬疲勞擧動之影響★ 比較硬質鋁箔與退火後鋁箔在電蝕時 電蝕結構及特性之研究
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   至系統瀏覽論文 ( 永不開放)
摘要(中) 本論文針對低壓鋁電解電容器用陽極鋁箔之最佳電蝕條件探討。選取不同厚度之鋁原箔,探討鋁箔經不同電化學蝕刻條件後表面積增加率之影響,並歸納出適合業界生產之最佳化電蝕參數。
本實驗根據探討之主題來控制不同的電蝕參數,經電化學蝕刻之後,再按照EIAJ的規範對電蝕箔做化成處理,並量測其靜電容量、重量損失率、引張與折曲強度。利用光學顯微鏡(OM)及掃描式電子顯微鏡(SEM)來觀察電蝕箔之截面腐蝕形態及表面的腐蝕孔洞分佈情形。依據上述分析方法,比較不同電蝕條件所造成之腐蝕組織對鋁電解電容器用陽極鋁箔之靜電容量的影響。
由實驗結果得知,電蝕頻率愈高,所形成之腐蝕孔洞愈小,而當溫度愈高,腐蝕速率愈快,此兩者的互相配合,方能得到最佳性能之電蝕箔。而E2各段電蝕頻率不一致時,逐段降低頻率在擴面效果上相較於E2固定電蝕頻率而言,有較佳的孔洞結構。相同總通電量下,E2使用不同電流密度形式對於鋁箔擴面效果將有很大的影響。
關鍵字(中) ★ 鋁箔
★ 靜電容量
★ 交流電蝕
★ 機械強度
★ 電容器
關鍵字(英) ★ Capacitance
★ AC Etching
★ Aluminum Foil
論文目次 目 錄
頁次
摘要………………………………………………………………… Ⅰ
謝誌……………………………………………………………..….. Ⅱ
目錄 ……………………………………………………………….. Ⅲ
表目錄 …………………………………………………………….. Ⅴ
圖目錄 …………………………………………………………….. Ⅵ
第一章 緒論 ………………………………………………………. 1
一、序言 ……………………………………………………… 1
二、理論基礎與論文回顧 …………………………………… 3
2.1 電容器的基本構造與原理 …………………………... 3
2.2 增加陽極鋁箔表面積的方法 ………………………... 7
2.3 交流電蝕的機構與原理………………………………. 8
2.4 鋁箔性質對電蝕工程之影響 ………………………... 8
2.4.1 微量元素 ………………………………………… 9
2.4.2 織構 (Texture) …………………………………… 10
2.4.3 差排密度 (Dislocation Density) ………………… 11
2.5 電蝕前處理之影響 …………………………………... 11
2.6 電蝕溶液之影響 ……………………………………... 12
2.6.1 氯離子在電蝕過程中的影響 …………………… 12
2.6.2 硫酸根離子在電蝕過程中的影響 ……………… 13
2.6.3 電蝕溶液之濃度控制 …………………………… 14
2.6.4 電蝕溶液之溫度控制 …………………………… 15
2.7 洗淨、後處理及乾燥的影響 ………………………... 15
2.8 化成處理……………………………………………….. 15
2.9 電蝕鋁箔之CV特性…………………………………... 16
第二章 本文 ………………………………………………………. 17
一、前言 ……………………………………………………… 17
二、實驗步驟與方法 ………………………………………… 18
2.1 鋁原箔材料之選用及分析 …………………………… 18
2.2 電蝕前處理…………………………………………….. 18
2.3 電化學蝕刻處理 ……………………………………… 18
2.4 電蝕後之化學洗淨、後處理、乾燥………….……….. 19
2.5 電蝕箔之化成處理…………………………………….. 19
2.5.1 低壓化成…………………………………………... 19
2.6 靜電容量的量測……………………………………….. 20
2.7 電蝕後鋁箔之機械強度量測…………………….……. 20
2.7.1 引張強度…………………………………………... 20
2.7.2 折曲強度…………………………………………... 21
2.8 腐蝕組織之觀察 ……………………………………… 21
2.8.1 腐蝕截面之觀察 …………………………………. 21
2.8.2 腐蝕表面之觀察 …………………………………. 21
三、結果與討論 ……………………………………………… 22
3.1高純度鋁原箔厚度110μm之高容量製程開發……….. 22
3.1.1時間、溫度、電流密度對製程之影響…………….. 22
3.2高純度鋁原箔厚度100μm之高容量製程開發……….. 24
3.2.1電蝕頻率對製程之影響…………………………… 24
3.2.2電流密度形式對製程之影響……………………... 26
3.2.3不同頻率與電流密度對E2處理之影響…………. 28
四、結論 ……………………………………………………… 30
五、參考文獻 ………………………………………………… 31
表 …………………………………………………………….…….. 33
圖 …………………………………………………………….……. 36
表 目 錄
頁次
表1. E2各段採用相同頻率之電蝕製程參數表…………………  33
表2. 不同電流密度之電蝕製程參數……………………………      34
表3. 不同頻率與電流密度之電蝕製程…………………………   35
圖 目 錄
頁次
圖 1. (a)平行板電容器示意圖(b)當平行板間的距離遠小於平
行板的大小時,此時平行板間的電場可視為相互平行的
均強電場………………………………………………….. 36
圖 2. 電容器的基本構造(平板電容器).……………………….. 36
圖 3. 有極性鋁電解電容器的基本構造..……………………… 37
圖 4. (a) 平板間為真空之電力線分佈 (b)平板間的介電層表
面產生了感應電荷,導致平板間的電場強度降低…….. 37
圖 5. 陽極鋁箔及陰極鋁箔的界面放大圖..…………………… 38
圖 6. 鋁電解電容器的等效迴路示意圖..……………………… 38
圖 7. 交流電蝕下的立方蝕孔增殖機構(cube-by-cube pit
propagation)………………………………………………. 39
圖 8. (a) 陽極和陰極皮膜(anodic/etch films)覆蓋於立方孔蝕
(cubic pits)表面之示意圖(b)鋁的陽極皮膜和陰極皮膜的橫截面穿透式電子顯微鏡(TEM)照片………………... 39
圖 9. 鐵含量對靜電容量的影響..……………………………… 40
圖 10. 矽含量對靜電容量的影響..……………………………… 40
圖 11. 銅含量對靜電容量的影響..……………………………… 41
圖 12. 高、低壓用陽極箔的腐蝕組織(a)高壓用陽極箔之隧道
式腐蝕(b)低壓用陽極箔之海綿狀腐蝕…………………. 41
圖 13. 鋁箔經電蝕處理及化成處理後的表面形態..…………… 42
圖 14. 鋁箔於電化學蝕刻時,添加硫酸根離子之作用示意圖... 42
圖 15. 化成電壓與電容量之關係……………………………….. 43
圖 16. 實驗流程圖 ……………………………………………… 44
圖 17. 低壓交流電電蝕設備示意圖 …………………………… 45
圖 18. 交流電蝕之試片尺寸 …………………………………… 46
圖 19. 化成及靜電容量量測的試片規格 ……………………… 46
圖 20. 化成處理設備示意圖 …………………………………… 47
圖 21. 低壓(200Vfe)化成處理流程圖 …………………………. 47
圖 22. 靜電容量量測示意圖 …………………………………… 48
圖 23. E2各段133秒搭配五種不同電蝕液溫度之靜電容量、重
量損失率與電蝕時間之間的關係圖………………….. 49
圖 24. E2各段111.6秒搭配五種不同電蝕液溫度之靜電容量、
重量損失率與電蝕時間之間的關係圖……………… 50
圖 25. E2各段133秒搭配五種不同電蝕液溫度之引張強度、折
曲強度與電蝕時間之間的關係圖…………………….. 51
圖 26. E2各段111.6秒搭配五種不同電蝕液溫度之引張強度、
折曲強度與電蝕時間之間的關係圖………………… 52
圖 27. E2各段111.6秒加大電流密度為110%搭配五種不同電蝕
液溫度之靜電容量、重量損失率與電蝕時間之間的關係圖… 53
圖 28. E2各段111.6秒加大電流密度為110%搭配五種不同電蝕液溫
度之引張強度、折曲強度與電蝕時間之間的關係圖………… 54
圖 29. E2各段124秒加大電流密度為110%搭配五種不同電蝕液
溫度之靜電容量、重量損失率與電蝕時間之間的關係圖… 55
圖 30. E2各段124秒加大電流密度為110%搭配五種不同電蝕
液溫度之引張強度、折曲強度與電蝕時間之間的關係圖… 56
圖 31. E2-1至E2-5電流密度分別為0.164 A/cm2、0.272 A/cm2
、0.300 A/cm2、0.328 A/cm2、0.367 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之重量損失率與靜電容量圖…57
圖 32. E2-1至E2-5電流密度分別為0.164 A/cm2、0.272 A/cm2
、0.300 A/cm2、0.328 A/cm2、0.367 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之引張強度與折曲強度圖… 58
圖 33. E2-1至E2-5電流密度分別為0.164 A/cm2、0.272 A/cm2
、0.300 A/cm2、0.328 A/cm2、0.367 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之截面OM圖(200x)………… 59
圖 34. E2-1至E2-5電流密度分別為0.164 A/cm2、0.272 A/cm2
、0.300 A/cm2、0.328 A/cm2、0.367 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之截面OM圖(500x)………… 60
圖 35. E2-1至E2-5電流密度分別為0.164 A/cm2、0.272 A/cm2
、0.300 A/cm2、0.328 A/cm2、0.367 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之表面SEM圖 (1000x)…… 61
圖 36. E2-1至E2-5電流密度分別為0.164 A/cm2、0.316 A/cm2
、0.316 A/cm2、0.316 A/cm2、0.316 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之重量損失率與靜電容量圖 62
圖 37. E2-1至E2-5電流密度分別為0.286 A/cm2、0.286 A/cm2
、0.286 A/cm2、0.286 A/cm2、0.286 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之重量損失率與靜電容量圖 63
圖 38. E2-1至E2-5電流密度分別為0.164 A/cm2、0.316 A/cm2
、0.316 A/cm2、0.316 A/cm2、0.316 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之引張強度與折曲強度… 64
圖 39. E2-1至E2-5電流密度分別為0.286 A/cm2、0.286 A/cm2
、0.286 A/cm2、0.286 A/cm2、0.286 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之引張強度與折曲強度… 65
圖 40. E2-1至E2-5電流密度分別為0.164 A/cm2、0.316 A/cm2
、0.316 A/cm2、0.316 A/cm2、0.316 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之截面OM圖(200x)…… 66
圖 41. E2-1至E2-5電流密度分別為0.164 A/cm2、0.316 A/cm2
、0.316 A/cm2、0.316 A/cm2、0.316 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之截面OM圖(500x)…… 67
圖 42. E2-1至E2-5電流密度分別為0.286 A/cm2、0.286 A/cm2
、0.286 A/cm2、0.286 A/cm2、0.286 A/cm2,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之截面OM圖(200x)…… 68
圖 43. E2-1至E2-5電流密度分別為0.286 A/cm2、0.286 A/cm2
、0.286 A/cm2、0.286 A/cm2、0.286 A/cm2 ,將E2頻率分別以
25Hz~60Hz八種不同電蝕頻率電蝕之截面OM圖(500x)…… 69
圖 44. 條件A、條件B與條件C以最佳化製程條件進行電化學蝕刻
後之電蝕箔表面SEM(1000x)觀察……………… 70
圖 45. 條件A、條件B與條件C以最佳化製程條件進行電化學蝕刻
後之電蝕箔表面SEM(3000x)觀察……………… 71
圖 46. E2不同頻率與電流密度形式 (如表3條件1、條件2所示)進
行電化學蝕刻與20Vfe化成處理後之重量損失率與靜電容量圖 72
圖 47. E2不同頻率與電流密度形式 (如表3條件1、條件2所示)進
行電化學蝕刻後之引張強度與折曲強度圖……… 73
圖 48. E2不同頻率與電流密度形式 (如表3條件1、條件2所示)進
行電化學蝕刻與20Vfe化成處理後之截面OM圖(200x)… 74
圖 49. E2不同頻率與電流密度形式 (如表3條件1、條件2所示)進
行電化學蝕刻與20Vfe化成處理後之截面OM圖(500x) 75
參考文獻 [1]. 山口謙四郎, ’’電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔’’﹔日
本輕金屬雜誌., vol.35, no.11, p365-371, (1985)
[2]. 小島浩一;表面技術協會第12回ARSコンファレンスp6(1996)
[3]. 永田伊佐也;電解蓄電器評論, vol.31, no.2 (1977)
[4]. 永田伊佐也;アルミニウム乾式電解コンデンサ(中譯);日本蓄電器工業株式會社刊 (1985)
[5]. K.R. Hebert and R.C. Alkire;This Journal, Accepted for publication.
[6]. 柯賢文﹔腐蝕極其防制,1st ed,全華科技圖書股份有限公司, chap 7,(1995)
[7]. 日比野 淳, 玉置 沖宏, 渡邊 吉章, 沖 猛雄﹔’’アルミニウム箔のトンネルエツチング及にぼす硫酸の影響’’, 輕金屬, vol.42,no.8, p440-445, (1992)
[8]. 川島浪夫, 中村雄造﹔輕金屬, vol.21, no.54,(1956)
[9]. 川島浪夫, 中村雄造, 西坂 基﹔輕金屬, vol.5, no.121,(1952)
[10].川島浪夫, 中村雄造, 西坂 基﹔輕金屬, vol.17, no.75,(1955)
[11].R.S. Alwitt and T. Yamasaki;IEEE Trans on Parts, Hybirds and Packaging, PHP 12, p217, (1976)
[12].福岡 潔, 倉橋正晴;’’高純度アルミニウム箔のトンネルエツチング及にぼす微量インジウムの影響’’;住友輕金屬技報,vol.34 no.4, p205-210, (1993)
[13].H. Biloni, M.F. Bolling, and H.A. Domain;TMS-AIME, 233, 1926 (1965)
[14].A.P. Bond, M.F. Bolling, and H.A. Domain, Tech. Rep. No. SL65-50, Ford Motor Company Science Laboratory (1965)
[15].H.P. Hack, Metals Handbook, vol.13, Corrosion 9th ed., ASM,
Metals Park, OH, p234,(1987)
[16].P.C.M.de Haan, J.van Ri jkom and J.A.H. Sontgerath;Materials Science Forum, vol.217-222, p765-770, (1996)
[17].福井 康司, 清水 遵, 牧本 昭一;輕金屬, vol.40, p712-724 (1990)
[18].新井 浩三, 鈴木 崇生;輕金屬,vol.31, p675,(1981)
[19].川島 浪夫, 中村 雄造, 西坂 基;日本輕金屬雜誌., vol.21, p54, (1956)
[20].W. Lin and G.C Tu;Proc. 1996 Annual Convention of Chinese
Society For Material Science, Hsinchu, R.O.C., p443-444, (1996)
[21] W. Lin, G.C Tu, C.F. Lin and Y.M Peng;Chinese J. of Materials Science, vol.29, no.3, p23 (1997)
[22].K.R. Hrbert. Ph.D. Thesis University of Illionis at Urban-Champaign (1985)
[23].C.F.Lin Ph.D. Thesis, Iowa State University, Ames, LA(1992)
[24].Aluminua Walzwerke Singen GmbH;Brit. Pat 709,537(1952)
[25].大澤伸夫, 福岡潔, 田部善一;表面技術vol.42, no.4 (1991)
指導教授 歐炳隆(Bin-Lung Ou) 審核日期 2005-6-30
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明