博碩士論文 92521063 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:13 、訪客IP:3.144.93.73
姓名 蘇佩徵(Pei-Cheng Su)  查詢紙本館藏   畢業系所 電機工程學系
論文名稱 選擇性氧化複晶矽鍺形成鍺量子點的光特性與光二極體研製
(Optical Properties of Ge Dots Formed by Oxidation of Poly-SiGe and Photodiode)
相關論文
★ 高效能矽鍺互補型電晶體之研製★ 高速低功率P型矽鍺金氧半電晶體之研究
★ 應變型矽鍺通道金氧半電晶體之研製★ 金屬矽化物薄膜與矽/矽鍺界面反應 之研究
★ 矽鍺異質源/汲極結構與pn二極體之研製★ 矽鍺/矽異質接面動態啓始電壓金氧半電晶體之研製
★ 應用於單電子電晶體之矽/鍺量子點研製★ 矽鍺/矽異質接面動態臨界電壓電晶體及矽鍺源/汲極結構之研製
★ 選擇性氧化複晶矽鍺形成鍺量子點及其在金氧半浮點電容之應用★ 鍺量子點共振穿隧二極體與電晶體之關鍵製程模組開發與元件特性
★ 自對準矽奈米線金氧半場效電晶體之研製★ 鍺浮點記憶體之研製
★ 利用選擇性氧化單晶矽鍺形成鍺量子點之物性及電性分析★ 具有自我對準電極鍺量子點單電洞電晶體之製作與物理特性研究
★ 具有自我對準下閘電極鍺量子點單電洞電晶體之研製★ 有機非揮發性記憶體之量測與分析
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載]
  1. 本電子論文使用權限為同意立即開放。
  2. 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
  3. 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。

摘要(中) 本論文之研究重點,在於發展鍺量子點應用於光電元件的研製。長久以來,矽元件技術應用集中在電性元件,而化合物半導體主宰了整個光電元件及高頻元件的領域。故本論文之重點放在可相容於目前矽元件製作技術以及提高製程的穩定性與再現性,並且降低製程成本的鍺量子點光二極體。
在本篇論文中,藉由”矽鍺選擇性氧化法”形成鍺量子點,並且實際製作出光二極體。實驗中,在室溫下量測PL可得ㄧ放射光譜在3eV,是屬於紫光的範圍;而控制鍺量子點的大小便可以使放射光譜的能量有所改變,不再像化合物半導體需要變換材料或其莫耳分量才能達到此目的。
關鍵字(中) ★ 鍺量子點
★ 光二極體
關鍵字(英) ★ photodiode
★ Ge dot
論文目次 表目錄………………………………………………………………………Ⅰ
圖目錄………………………………………………………………………Ⅱ
序章 論文結構介紹………………………………………………………Ⅵ
第一章 介紹………………………………………………………………1
1-1研究動機………………………………………………………………1
1-2 研究目的……………………………………………………………2
1-3矽基(Si-based)在光二極體的發展沿革………………………………3
第二章 文獻探討…………………………………………………10
2-1 前言………………………………………………………………10
2-2光二極體工作原理………………………………………………10
2-3應用Ⅳ族半導體材料在奈米光電元件上………………………12
2-3-1 矽鍺/矽超晶格量子井光偵測器……………………………13
2-3-2 奈米尺寸之量子效應………………………………………14
2-3-2-1 量子侷限效應……………………………………………14
2-3-2-2 能帶結構的改變…………………………………………14
2-3-3 矽量子點與鍺量子點的比較…………………………………15
2-4 鍺量子點的研製………………………………………………………16
2-4-1鍺量子點光二極體…………………………………………16
2-4-2鍺量子點之相關備製方法…………………………………17
第三章 鍺量子點之實驗設計與分析……………………………………26
3-1 前言………………………………………………………………26
3-2 藉由LPCVD沈積複晶矽鍺成長制………………………………26
3-2-1 SiH4與GeH4的化學作用……………………………………26
3-2-2 影響複晶矽鍺沈積因素……………………………………27
3-3 利用LPCVD研製鍺量子點……………………………………27
3-3-1 矽/鍺選擇性氧化……………………………………………27
3-4 氧化單晶矽鍺析出鍺量子點的量測結果……………………28
3-5 氧化複晶矽鍺析出鍺量子點的特性分析……………………29
3-5-1 SEM結果………………………………………………………29
3-5-2 PL量測分析……………………………………………………30
3-5-3 I-V特性………………………………………………………32
第四章 光二極體設計分析………………………………………………55
4-1 前言………………………………………………………………55
4-2 鍺量子點光二極體設計…………………………………………55
4-3 鍺量子點光二極體製程步驟……………………………………57
4-4 結果與討論………………………………………………………58
第五章 總結與未來展望…………………………………………………73
參考文獻資料………………………………………………………………74
參考文獻 [1] Pei-Wen LI, David M. T. KUO, Wei-Ming LIAO and Ming-J. TSAI, “Optical and Electronic Characteristics of Germanium Quantum Dots Formed by Selective Oxidation of SiGe/Si-on-Insulator”, Phys. Rev. Lett. 43, 7788 (2004)
[2] J. Webber, M. I. Alonso,” Near-band-gap photoluminescence of SiGe alloys”, Phys. Rev. B 40, 5683 (1989)
[3] S. Luryi, A. Kastalsky, and J. C. Bean,” Near infrared detector on a silicon chip”, IEEE Trans. Electron Dev. ED-31,1135 (1984)
[4] H. Temkin, T. P. Pearsall, J. C. Bean, R. A. Logan, and S. Luryi,”GexSi1-x strained-layer superlattice waveguide photodetectors operating near 1.3μm”, Appl. Phys. Lett. 48, 963 (1986)
[5] L. Colace, G. Masini, F. Galluzzi, and G. Assanto, “Near infrared light detectors based on UHV CVD epitaxial Ge on Si (100)”, Materials Research Society Symposium - Proceedings, v 486, 1998, p 193-198
[6] 施敏,”半導體元件物理與製作技術(第二版)”,2002
[7] Tsutomu Tashiro, Toru Tatsumi, Mitsuhiro Sugiyama, Toshiki Hashimoto, and Takenori Morikawa,” A Selective Epitaxial SiGe/Si Planar Photodetector for Si-Based OEIC’s”, IEEE Trans. Electron Dev. ED-44,545 (1997)
[8] H. Temkin, J. C. Bean, T. P. Pearsall, N. A. Olsson, and D. V. Lang,“High photoconductive gain in GexSi1-x strained-layer superlattice detectors operating at λ= 1.3 μm,” Appl. Phys. Lett., 49, 155, 1986
[9] Z. Pei, et al,” High efficient 850 nm and 1,310 nm multiple quantum well SiGe/Si heterojunction phototransistors with 1.25 plus GHz bandwidth (850 nm)”, IEEE Electron Devices Meeting,297,2002
[10] 廖偉明,”高效能矽鍺互補型金氧半電晶體之研製”,碩士論文,國立中央大學,民國91年
[11] Yoshihito Maeda,” Visible photoluminescence from nanocrystallite Ge embedded in a glassy SiO2 matrix Evidence in support of the quantum confinement mechanism”, Phys. Rev. B 51, 1658 (1995)
[12] W.-H. Chang et al ,”Room-temperature electroluminescence at 1.3 and 1.5 μm from Ge/Si self-assembled quantum dots”, Appl. Phys. Lett., 83, 2958 , 2003
[13] B.-C. Hsu, S. T. Chang, et al ,” A High Efficient 820 nm MOS Ge Quantum Dot Photodetector”, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 318,2003
[14] Yoshihito Maeda, Nobuo Tsukamoto, Yoshiaki Yazawa, Yoshihiko Kanemitsu and Yasuaki Masumoto, “Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices”, Appl. Phys. Lett. 59, 3168 (1991)
[15] K. V. Shcheglov, C. M. Yang, K. J. Vahala, and Harry A. Atwater, “Electroluminescence and photoluminescence of Ge-implanted Si/SiO2/Si structures”, Appl. Phys. Lett. 66, 745 (1995)
[16] Jia-Yu Zhang, Yong-Hong Yea and Xi-Lin Tan, ” Electroluminescence and carrier transport of SiO2 film containing different density of Ge nanocrystals”, Appl. Phys. Lett. 74, 2459 (1999)
[17] T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, F. Aniel, and J.-M. Lourtioz et al, “Electroluminescence of Ge/Si self-assembled quantum dots grown by chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett. 77, 1822 (2000)
[18] Takamitsu Kobayashi, Toshiaki Endoh, Hisashi Fukuda, Shigeru Nomura, Akira Sakai, and Yuji Ueda, ” Ge nanocrystals in SiO2 films”, Appl. Phys. Lett. 71, 1195 (1997)
[19] P. W. Li, W. M. Liao et al,”Formation of atomic-scale germanium quantum dots by selective oxidation of SiGe/Si-on-insulator”, Appl. Phys. Lett. 83, 4628 (2003)
[20] 林宏年,呂嘉裕,”局部與全面形變矽通道(strained Si channel)互補式金氧半(CMOS)之材料、製程與元件特性分析”,第十二卷第一期,毫微米通訊
[21] H. K. Liou, P. Mei, U. Gennser, and E. S. Yang,” Effects of Ge concentration on SiGe oxidation behavior”, Appl. Phys. Lett. 59, 1200 (1991)
[22] D. R. Lide, M. J. Astle and W. H. Beyer, “CRC Handbook of Chemistry and Physics”,74th, 1995
[23] 林上偉,”應用於單電子電晶體之矽/鍺量子點研製”,碩士論文,國立中央大學,民國93年
[24] C. W. Liu, Member, IEEE, W. T. Liu, M. H. Lee, W. S. Kuo, and B. C. Hsu , “A Novel Photodetector Using MOS Tunneling Structures”, IEEE EDL, 21, 307 (2000)
指導教授 李佩雯(Pei-Wen Li) 審核日期 2005-7-15
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明