氮化銦量子點表面形貌與結構特性研究

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：28

、訪客IP：18.222.182.191

姓名

陳明暘(Ming-Yang Chen) 查詢紙本館藏

畢業系所

物理學系

論文名稱

氮化銦量子點表面形貌與結構特性研究
(Morphological and Structural Properties of InN Quantum Dots)

相關論文

★ 氫氣的調控對化學氣相沉積法成長石墨烯之影響	★ 氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井的激發光譜
★ 中子質化氮化鎵材料之特性研究	★ 鐵磁/超導/鐵磁單電子電晶體的製作與電子自旋不平衡現象的量測
★ 砷化鎵金屬半導體場效電晶體中p型埋藏層之效應	★ 熱處理對氮化銦鎵量子井雷射結構之影響與壓電效應之分析
★ 離子佈植摻雜氮化鎵薄膜的光、電、結構特性之分析	★ 離子佈植技術應用於高亮度發光二極體之設計與製作
★ 矽離子佈植氮化鎵薄膜之電性研究	★ 繞射式元件之製程及特性分析
★ 氮化銦鎵/氮化鎵量子井之光特性研究	★ 矽離子佈植在P型氮化鎵的材料分析與元件特性之研究
★ 氮化鎵高數值孔徑微透鏡之設計、製作與特性分析	★ 微凹平面鏡及矽光學桌之組裝設計
★ 指叉型氮化鎵發光二極體之設計製作與量測	★ 氮化鎵光偵測器的暗電流與激子效應

檔案

[Endnote RIS 格式]

[Bibtex 格式]

[相關文章]

[文章引用]

[完整記錄]

[館藏目錄]

[檢視]

[下載]

本電子論文使用權限為同意立即開放。
已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的，進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
請遵守中華民國著作權法之相關規定，切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送，以免觸法。

摘要(中)

本篇論文主要為分析氮化銦量子點的表面形貌、結構與光性。首先從表面形貌的估計出量子點的尺寸與高度，再從結構上探討材料應力與量子點尺寸和高度的變化，最後討論小尺寸量子點之光子能量藍移與量子效應之關聯性。
氮化銦量子點是利用有機金屬化學氣相沉積系統來成長。以單晶矽晶圓做為成長氮化銦量子點之基板，接著在高溫下(約1050度C)成長氮化鋁緩衝層，最後用間歇性的方式成長氮化銦量子點。
量子點形貌的量測是利用原子力顯微鏡(AFM)與掃瞄式電子顯微鏡(SEM)。AFM的二維影像圖經IMAQ影像處理軟體分析，得到氮化銦量子點尺寸與高度的估計值；而從EDS的分析，則發覺樣品的成份有Al,N,In。樣品的成份在X光粉末繞射實驗中，發現到氮化銦(0 0 2)面訊號，且其峰值位置有隨著量子點尺寸與高度偏移的現象，分析結果發現當量子點平均高度低於60nm時，有沿著c軸上約0.11~0.22%的伸張應變(tensile strain)產生，推測為氮化銦與氮化鋁晶格不匹配所造成。最後在光性的分析上，發現平均高度約60nm的量子點其光子能量0.82eV，與薄膜之光子能量0.75eV相差70meV，但是否為量子效應造成的藍移現象，尚須作進一步的驗證。

摘要(英)

This thesis mainly analyzes the morphological, structural and optical properties of InN quantum dots(QDs). First, we estimate the size and height of QDs from morphological properties, and then we discuss the material strain and the variation between heights and sizes of QDs from structural properties. Finally, we talk about the relation between blue shift of small QDs and quantum efficiency from optical properties.
InN QDs grows with the use of MOCVD. Then we use Si wafer as substrate to grow InN QDs, and then AlN buffer layer will grow under high temperature(about 1050 oC) onto substrate, finally, InN QDs will grow internally onto buffer layer.
The way we measure the morphology of QDs is by using AFM and SEM. We estimate the size and height of InN QDs with analysis of 2-D image of AFM through IMAQ software; and from the analysis of EDS, we find the composition of sample are Al, N and In. In XRD experiment, we find the signal of InN(002), and it’s peak position would shift with size and height of QDs. When the average height of QDs is lower than 60nm, the tensile strain will occur by 0.11~0.22% along c-axis. We guess it is because InN and AlN mismatch. Finally, from optical analysis, the photon energy of QDs which average height is about 60nm is 0.82eV, which is different from that of thin film 0.75eV by 70meV. Whether the blue shift is resulted from quantum efficiency, more testimonies are necessary.

關鍵字(中)

★ 應力
★ 量子點
★ 氮化銦

關鍵字(英)

★ strain
★ quantum dot
★ InN

論文目次

摘要…………………………………………………………Ⅰ
致謝…………………………………………………………Ⅲ
目錄…………………………………………………………Ⅴ
表目…………………………………………………………Ⅷ
圖目…………………………………………………………Ⅸ
第1章導論…………………………………………………1
第2章氮化銦量子點的成長介紹…………………………6
2-1 常壓式有機金屬化學氣相沉積系統…………………7
2-2 量子點成長理論與模型………………………………7
2-3 氮化銦量子點製程……………………………………9
第3章氮化銦量子點之表面形貌分析……………………13
3-1 原子力顯微鏡…………………………………………13
3-2 場發射掃瞄式電子顯微鏡……………………………14
3-3 氮化銦量子點尺寸分佈統計…………………………15
3-4 氮化銦量子點成份分析………………………………17
3-5 量子點尺寸與成長條件分析…………………………18
3-6 氮化銦量子點密度分析………………………………18
第4章氮化銦量子點之結構與光性分析…………………34
4-1 結構分析………………………………………………34
4-1-1 X光粉末繞射儀……………………………………34
4-1-2 晶格不匹配與材料應力……………………………35
4-1-3 X光粉末繞射實驗分析……………………………36
4-1-4 穿遂式電子顯微鏡實驗分析………………………39
4-2 光性分析………………………………………………40
4-2-1 光激發光譜實驗裝置………………………………40
4-2-2 氮化銦量子點光性分析……………………………41
第5章結論與未來展望……………………………………51
5-1 結論……………………………………………………51
5-2 未來展望………………………………………………52
參考文獻……………………………………………………54

參考文獻

[1] R. Juza and H. Hahn, Z. Anorg. Allg. Chem. 239, 282 (1938).
[2] C. L. Wu, C. H. Shen, H. Y. Chen, S. J. Tsai, H. W. Lin, H. M. Lee, S. Gwo, T. F. Chuang, H. S. Chang, T. M Hsu, J. Crystal Growth 288,274-253 (2006).
[3] T. L. Tansley, C. P. Foley, J. Appl. Phys. 59,3241 (1986).
[4] O. Briot, B. Maleyre, and S. Ruffenach, Appl. Phys. Lett. 83,14 (2003). [5] J. G. Lozano, A. M. Sanchez, R. Garcia, D. Gonzalez, D. Araujo, S. Ruffenach and O. Briot, Appl. Phys. Lett. 87,263104 (2005).
[6] J. G. Lozano, A. M. Sanchez, R. Garcia, D. Gonzalez, O. Briot and S. Ruffenach, Appl. Phys. Lett. 88,151913 (2006).
[7] S. Ruffenach, B. Maleyre, O. Briot, and B. Gil, Phy. Stat. sol. (c), No.2, 826-832 (2005).
[8] Jeng-Han Wang and M. C. Lin, ChemPhysChem, 5, 1615-1618 (2004).
[9] B. Maleyre, O. Briot, S. Ruffenach, J. Crystal Growth 269,15-21 (2004). [10]Jasprit Singh, Electronic and optoelectronic properties of semiconductor structures, New York : Cambridge University Press (2003).
[11] D. Bimberg, M.Grundmann, N. N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures, Weily, Chichester (1999).
[12] Albert-Laszlo Barabasi, Materials Science and Engineering, B67 23–30 (1999).
[13] F. Hatami, V. Lordi, J. S. Harris, H. Kostial and W. T. Masselink, J. Appl. Phys. 97, 096106 (2005).
[14] G. Ortner, C. Ni. Allen, C. Dion, P. Barrios, D. Poitras, D. Dalacu, G. Pakulski, J. Lapointe, P. J. Poole, W. Render, and S. Raymond, Appl. Phys. Lett. 88, 121119 (2006).
[15] H. C. Liu, M. Gao, J. McCaffrey, Z. R. Wasilewski, and S. Fafard, Appl. Phys. Lett. 78, 1 (2001).
[16]呂淑芳，以有機金屬氣相磊晶法成長銦砷化鎵量子點之研究，中華民國八十九年八月，國立交通大學電子物理學研究所碩士論文
[17]林弘偉，氮化銦磊晶薄膜及量子點材料之研究，中華民國九十三年八月，國立清華大學物理學研究所碩士論文
[18]陳香妤，應力緩衝層對砷化銦量子點侷限能階之影響，中華民國九十三年六月，國立中央大學物理學研究所碩士論文
[19]Yeh. C et al., Phys. Rev. B: Condens. Matter. 46, 10086 (1992).
[20]黃信雄，以電漿輔助分子束磊晶成長自聚性氮化銦量子點，中華民國九十三年六月，國立中山大學物理學研究所碩士論文
[21]陳孟炬，三、五族半導體光偵測器與太陽能電池材料之研究，中華民國九十五年六月，國立中央大學光電科學學研究所博士論文
[22] M. Gr?tzel, Nature, 414, p. 338-344 (2001).
[23]許樹恩、吳泰伯，X光繞射原理與材料結構分析，行政院國家科學委員會精密儀器發展中心

指導教授

紀國鐘(Gou-Chung Chi)

審核日期

2006-7-13

推文