矽奈米線場效應元件低頻雜訊量測與分析

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：12

、訪客IP：3.143.244.83

姓名

黃珈擇(Chia-Tze Huang) 查詢紙本館藏

畢業系所

物理學系

論文名稱

矽奈米線場效應元件低頻雜訊量測與分析
(Low frequency noise measurement of silicon nanowire devices)

相關論文

★ 以化學製程製備奈米級二氧化鈦並研究其親水性及測試其除霧效果	★ 以原子力顯微鏡於砷化鎵與氮化鎵表面進行局部氧化微影技術之研究
★ 鈀/鎢(111)和鈀/鉬/鎢(111)表面的可逆皺/平相變之研究	★ 以電泳法對奈米碳管進行剪裁後的長度篩選及應用
★ 鎢(111)表面上的皺/平相變之研究	★ 以光學顯微鏡及原子力顯微鏡於大氣中觀測及操控奈米碳管之研究
★ 新型氮化鎵蕭特基二極體之製作與特性分析	★ 太陽能轉子的製作與探討
★ 太陽能轉子的模擬分析與實驗之研究	★ 全電子束微影製程的共平面波導與超導量子位元耦合系統

檔案

[Endnote RIS 格式]

[Bibtex 格式]

[相關文章]

[文章引用]

[完整記錄]

[館藏目錄]

[檢視]

[下載]

本電子論文使用權限為同意立即開放。
已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的，進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
請遵守中華民國著作權法之相關規定，切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送，以免觸法。

摘要(中)

這個實驗大致上分成兩個階段，第一個階段是放大器的設計與製作，第二個階段是元件直流特性與雜訊的量測與分析。由於事先已經對欲量測樣品的直流特性有一定程度的瞭解，所以基本上我們設計放大器的方向即由已知的元件特性決定。雖然在放大器製作上花了很長的時間，但後續的量測結果，驗證之前在放大器上所下的心血是值得的。量測奈米尺寸的場效應元件，並且調控閘極電壓與源汲極電壓，觀察雜訊的頻譜形式在各種不同偏壓的情況下有何關連，成功的觀察到勞倫茲形式的頻譜，也藉由數據的分析，推測電子在侷限態與傳輸通道之間穿隧的行為。

摘要(英)

This experiment is divided into two stages: the first stage is the design and the manufacture of the preamplifier; the second stage is measurement and analysis of direct current characteristics and the low frequency noise spectrum. The direction of amplifier design is decided by the known device characteristics. Although we have taken a very long time on the design and the manufacture of preamplifier, the experimental results have shown that it is worth to make preamplifier. We change the gate, source and drain voltage to observe the relation between the low frequency noise and various bias conditions. The experimental results showed Lorentzian spectrum, and the dynamic behavior of electrons and traps can be estimated by data analysis.

關鍵字(中)

★ 場效應電晶體
★ 低頻雜訊

關鍵字(英)

★ FET
★ preamplifier
★ Low frequency noise

論文目次

中文摘要......................................................ii
第一章緒論..................................................1
第一節研究動機...........................................1
第二節絕緣層上覆矽（SOI）簡介............................2
第二章理論背景..............................................4
第一節浮體效應...........................................4
第二節熱雜訊.............................................4
第三節無規電報訊號與勞倫茲頻譜...........................6
第四節閃爍雜訊...........................................6
第三章量測系統與量測元件............................... ....11
第一節自製放大器的理由...................................11
第二節自製放大器介紹.....................................12
第三節放大器背景雜訊討論.................................14
第四節相關量測技巧.......................................15
第五節量測系統...........................................17
第六節樣品介紹...........................................19
第四章實驗數據分析與討論....................................21
第五章結論未來展望..........................................30
參考文獻......................................................31
附錄自製放大器關鍵零組件資料表...............................33

參考文獻

1. Wong Hei, Low frequency noise study in electron devices: review and update. Microelectronics Reliability, 2003. 43: p. 585.
2. Chun-Yu Chen, Chieh-Hsiung Kuan., Design and calibration of a noise measurement system. IEEE Transactions on instrumentation and measurement, 2000. 49(1): p. 77.
3. E. Simoen, C. Claeys, The low frequency noise behaviour of silicon on insulator technologies. Solid-State Electronics, 1996. 39(7): p. 949.
4. F. N. Hooge, 1/f Noise sources. IEEE Transactions on electron devices, 1994. 41(11): p. 1926.
5. Kwok K. Hung, Ping K. Ko, Chenming Hu, Yiu C. Cheng, Random telegraph noise of deep-submicrometer MOSFET's. IEEE electron device letters, 1990. 11(2): p. 90.
6. Kwok K. Hung, Ping K. Ko, Chenming Hu, Yiu C. Cheng,, A unified model for the flicker noise in MOSFETs. IEEE Transactions on electron devices, 1990. 37(3): p. 654.
7. Surya C, Hsiang T. Y., Surface mobility fluctuations in metal oxide semiconductor field effect transistors. Physical review B, 1987. 35(12): p. 6343.
8. M.E. Welland, R. H. Koch, Spatial location of electron trapping defects on silicon by scanning tunneling microscopy. Applied physics letters, 1986. 48(11): p. 725.
9. K. S. Ralls, W. J. Skocpol, L.D. Jackel, R.E. Howard, L.A. Fetter, R.W. Epworth, D.M. Tennant, Discrete resistance switching in submicrometer silicon inversion layers: Individual interface traps and low frequency(1/f) noise. Physical review letters, 1984. 52(3): p. 228.
10. Nyquist H., Thermal agitation of electric charge in conductors. Physical review 1928. 32: p. 110.
11. Yoshihisa Yamamoto, Lecture on “Fundamentals of Noise Processes,” Stanford University, 2000.
12. Donald Neamen, Semiconductor Physics And Devices, Third edition, McGraw-Hill, 2002.

指導教授

粘正勳、陳啟東
(Cheng-Hsun Nien、Chii-Dong Chen)

審核日期

2006-7-17

推文