參考文獻 |
1. Ishida, T.; Kobayashi, H.; Nakato, Y. J. Appl .Phys. 1993, 73, 4334.
2. (a) VanSlyke, S. A.; Chen, C. H.; Tang, C. W. Appl. Phys. Lett. 1996, 69,
2160. (b) Shirota, Y.; Kuwabara, Y.; Inada, H. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 807.
(c) Yang, Y.; Heeger, A. J. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1245. (d) Cao, Y.; Yu,
G.; Zhang, C.; Menon, R.; Heeger, A. J. Synth. Met. 1997, 87, 171. (e) Deng,
Z. B.; Ding, X. M.; Lee, S. T.; Gambling, W. A. Appl. Phys. Lett. 1999, 74,
2227. (f) Zhao, J. M.; Zhang, S. T.; Wang, X. J.; Zhan, Y. Q.; Wang, X. Z.;
Zhong, G. Y.; Wang, Z. J.; Ding, X. M.; Huang, W.; Hou, X. Y. Appl. Phys.
Lett. 2003, 84, 2913.
3. Brown, T. M.; Kim, J. S.; Friend, R. H.; Caciall, F.; Daik, R.; Feast, W. J.
Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1679.
4. (a) VanSlyke, S. A.; Tang, C. W. US Patent 5, 061, 569, 1991. (b) Chen, B.;
Lee, C. S.; Lee, S. T.; Webb, P.; Chan, Y. C.; Gambling, W.; Tian, H.; Zhu,
W. Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, 2000, 39, 1190. (c) Stolka, M.; Janus, J. F.;
Pai, D. M. J. Phys. Chem. 1984, 88, 4707.
5. Shiroat, Y.; Okumoto, K.; Inada, H. Synth. Met. 2000, 111,387.
6. Okumoto, K.; Shirota, Y. Mater. Sci. Eng. 2001, B85, 135.
7. Justin Thomas, K. R.; Lin, J. T.; Tao, Y. T.; Ko, C. W. J. Am. Chem. Soc. 2001,
123, 9404.
8. (a) Salbeck, J.; Yu, N.; Weissotel, F.; Bestgen, H. Synyh. Met. 1997, 109, 91.
(b) Justin Thomas, K. R.; Lin, J. T.; Tao, Y. T.; Ko, C. W. Adv. Mater. 2000,
12, 1949.
9. Wakimoto, T.; Fukada, Y.; Nagayama, Y.; Yokoi, A.; Nakada, H.; Tsuchida,
M. IEEE Trans. Electron. Devices 1997, 44, 1245.
81
10. Stobel, M.; Staudigel, J.; Steuber, F.; Blassing, J.; Simmerer, J.; Winnacker, A.
Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 115.
11. Adachi, C.; Tsutsui, T.; Saito, S. Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 1489.
12. (a) Kido, J.; Ohtaki, C.; Okuyama, K.; Nagai, K. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2,
1993, 32, L917. (b) Fink, R.; Heischkel, Y; Telakkat, M.; Schmidt, H.-W.;
Jonda, C.; Huppauff, M. Chem. Mater., 1998, 10, 3620. (c) Shi, J.; Tang, C.
W.; Chen, C. H. U.S. 1997, 5646948. (d) Agrawal, A. K.; Jenekhe, S.
A.Chem. Mater., 1996, 8, 579. (e) Bettenhausen, J.; Greczmiel, M.; Jandke,
M.; Strofriegl, P. Synth. Met., 1997, 91, 223. (f) Palilis, L. C.; Makinen, A. J.;
Uchida, M.; Kafafi, Z. H. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2209.
13. Justin Thomas, K. R.; Lin, J. T.; Tao, Y. T.; Chuen, C. H. Chem. Mater. 2004,
16, 5437.
14. Shen, J. Y.; Lee, C. Y.; Huang, T. H.; Lin, J. T.; Tao, Y. T.; Chien, C. H. J.
Mater. Chem. 2005, 15, 2455.
15. Justin Thomas, K. R.; Velusamy, M.; Lin, J. T.; Tao, Y. T.; Chuen, C. H. Adv.
Funct. Mater. 2004, 14, 387-392.
16. (a) Kulkarni, A. P.; Gifford, A. P.; Tonzola, C. J.; Jenekhe, S. A. Appl. Phys.
Lett. 2005, 86, 061106. (b) Hancock, J. M.; Gifford, A. P.; Zhu, Y.; Lou, Y.;
Jenekhe, S. A. Chem. Mater. 2006, 18, 4924.
17. (a) Tamao, K; Uchida, M.; Izumizawa, T.; Furukawa, K; Yamaguchi, S. J. Am.
Chem. Soc. 1996, 118, 11974. (b) Yamaguchi, S; Tamao, K J. Chem. Soc.,
Dalton Trans. 1998, 3693.
18. (a) Malliaras, G. G.; Shen, Y.; Dunlap, D. H.; Murata, H.; Kafafi,Z. H. Appl.
Phys. Lett. 2001, 79, 2552. (b) Murata, H.; Malliaras, G. G.; Uchida, M.;
Shen, Y.; Kafafi, Z. H. Chem. Phys. Lett. 2001, 339, 161.
19. Jia, W. L.; Feng, X. D.; Bai, D. R.; Lu, Z. H.; Wang, S.; Vamvounis, G.
82
Chem. Mater. 2005, 17, 164.
20. Zhang, H.; Huo, C.; Zhang, J.; Zhang, P.; Tian, W.; Wang, Y. Chem.
Commun., 2006, 3, 281.
21. (a) Kulkarni, A. P.; Kong, X.; Jenekhe, S.A. Adv. Funct. Mater. 2006, 16,
1057 (b) Zhu, Y.; Kulkarni, A. P.; Jenekhe, S. A. Chem. Mater. 2005, 17,
5225.
22. Huang, T. H.; Lin, J. T.; Chen, L. Y.; Lin, Y. T.; Wu, C. C. Adv. Mater. 2006,
18, 602.
23. Bredas, J. L.; Silbey, R. ; Boudreaux, D. S.; Chance, R. R. J. Am. Chem. Soc.
1983, 105, 6555.
24. Janietz, S.; Bradley, D. D. C.; Grell, M.; Giebeler, C.; Inbasekaran, M.; Woo,
E. P. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2453.
25. Jones, G.; Jackson, W. R.;Chio, C. Y.; Bergmark, W. R. J. Phys. Chem. 1985,
89, 294.
26. (a) Li, J.; Ma, C.; Tang, J.; Lee, C. S.; Lee, S. Chem. Mater. 2005, 17, 615. (b)
Li, Z. H.; Wong, M. S.; Fukutani, H.; Tao, Y. Chem. Mater., 2005, 17, 5032.
(c) Huang, T. H.; Whang, W. T.; Shen, J. Y.; Lin, J. T. J. Mater. Chem. 2005,
15, 3233.
27. (a) Kulkarni, A. P.; Tonzola,C. J.; Babel, A.; Genekhe, S. A. Chem. Mater.
2004, 16, 4556. (b) Kulkarni, A. P.; Tonzola, C. J.; Babel, A.; Jenekhe, S. A.
Chem. Mater. 2004, 16, 4556.
28. Miyaura, N; Suzuki, A. Chem. Rev. 2004, 16, 4556.
29. (a)Paul, F; Patt, J; Hartwig, J. F.; J. Am. Chem. Soc. 1994, 116, 5969. (b)
Guram, A. S.; Buchwald, S. L., ibid. 1994,116, 7901.
30. Thelakkat, M.; Schmidt, H. W. Adv. Mater. 1995, 95, 2457.
83
31. Pommerechne, J.; Vestweber, H.; Guss, W.; Mahrt, R. F.; Bässler, H.; Porsch,
M.; Daub, J. Adv. Mater. 1995, 7, 551.
32. Ichikawa, M.; Kawaguchi, T.; Kobatashi, K.; Miki, T.; Furukawa, K;
Koyama, T.; Taniguchi, Y. J. Mater. Chem. 2006, 16, 221.
33. Huang, W. S.; Lin, J. T.; Chien, C. H.; Tao, Y. T.; Sun, S. S.; Wen, Y. S. Chem.
Mater. 2004, 16, 2480.
34. The samples for the TOF measurement were prepared by melt deposition
using the structure of: glass/Ag (30 nm)/EF-I-N or EF-I-N2 (1.43 μm)
/Al (150 nm). Pulsed illumination (third harmonic of Nd:YAG laser, 355
nm, 10 ns) through the semitransparent electrode (Ag) induces
photogeneration of a thin sheet of excess carriers. Depending on the
polarity of the applied bias, selected photogenerated carriers (holes or
electrons) are swept across the sample thickness D, the applied electric field
E is then V/D, and the carrier mobility is given by = D/(tT•E) = D2/(V•tT).
35. Imai, K.; Wakimoto, T.; Shirota, Y.; Inada, H.; Kobata, T. US Patent
5,374,489, 1994.
36. Li, Y.; Fung, M. K.; Xie, Z.; Lee, S. T.; Hung, L. S.; Shi, J. Adv. Maer. 2002,
14, 1317. |