半導體光子晶體雷射之研究

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姓名

張利銘(Li-Ming Chang) 查詢紙本館藏

畢業系所

光電科學與工程學系

論文名稱

半導體光子晶體雷射之研究
(Semiconductor Photonic Crystals Laser)

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摘要(中)

本論文中，我們以平面波展開法(Plane Wave Expansion, PWE) 與有限差分時域法(Finite-Difference Time-Domain, FDTD)模擬分析光子晶體結構與特性。我們利用氮化鎵材料在二維平面上製作光子晶體結構，使光有效侷限於結構中，有效增加二維平面上之自發放射(Spontaneous Emission)。在室溫下架設微光激發光系統(Micro-photoluminescence, Micro-PL)，當雷射激發能量≧0.7 uJ時，成功量得氮化鎵光子晶體之缺陷模態(lambda=371nm)，並證實此為能帶邊緣型光子晶體雷射。另外，Si MOS (Metal-Oxide-Semiconductor)元件方面，已成功量得光激發光(photoluminescence, PL)光譜，其自發放射之中心波長為1.14um，預期藉由改善氧化層與金屬層的匹配後，製作適當的電注入結構，將可以完成以電激發的光子晶體雷射。

摘要(英)

In this study, photonic crystals have been designed, fabricated, and characterized in GaN bulk materials. The energy dependent measurement showed that the emission peak width can be significantly reduced as the pumping pulse energy was larger than 0.7 uJ at room temperature. The mode at the wavelength of 371 nm emitted from the defect due to the structure disorder unintentionally introduced during the fabrication process of the GaN photonic crystals can be obtained. The photonic band-edge laser was realized.
For the Si MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) device, we have obtained a spontaneous emission peak at 1.14 um by using photoluminescence measurement. By improving the electronic and luminescent characteristics of oxide layer, the structure might be used to fabricate the electrically pumped Si MOS photonic crystal lasers.

關鍵字(中)

★ 光子晶體

關鍵字(英)

★ photonic crystals

論文目次

摘要 i
Abstract ii
目錄 iii
圖目錄 v
表目錄 viii
第一章序論 1
1-1 光子晶體簡介 1
1-2 光子晶體雷射發展 7
1-3 研究動機 18
1-4 結論 19
第二章基本原理 20
2-1 平面波展開法 20
2-2 時域有限差分法 21
2-3 光子晶體共振腔Q值計算方法 25
2-4 結論 26
第三章光子晶體雷射結構設計 28
3-1 光子晶體能帶結構計算 28
3-2 矽光子晶體結構設計與模擬 36
3-2-1 矽光子晶體能帶結構計算 36
3-2-2 矽光子晶體缺陷模態計算 37
3-2-3 矽光子晶體共振腔Q值計算 40
3-3 模擬結果分析 43
3-4 結論 45
第四章元件製程 46
4-1 氮化鎵光子晶體結構製作 46
4-2 Si MOS元件製作 48
4-3 製程結果 50
4-4 結論 53
第五章光學量測與分析 54
5-1 光激發光原理 54
5-2 氮化鎵光子晶體結構光學量測 55
5-3 室溫下μ-PL量測結果與討論57
5-4 Si MOS元件電性與光學量測64
5-5 量測結果討論66
5-6 結論68
第六章結論70
參考文獻 72

參考文獻

[1]欒丕綱、陳啟昌，「光子晶體―從蝴蝶翅膀到奈米光子學」，一版，五南圖書出版公司，台北，2005。
[2]E. Yablonovitch, “Inhibited Spontaneous Emission in Solid-State Physics and Electronics,” Phys. Rev. Lett. 58, 2059 (1987).
[3]S. John. “Strong localization of photons in certain disordered dielectric superlattices,” Phys. Rev. Lett. 58, 2486 (1987).
[4]E. Yablonovitch, “Photonic crystals: semiconductor of light,” Scientific American December, 47 (2001).
[5]E. Pennisi, “Naturalist's Surveys Show That British Butterflies Are Going, Going...,” Science, 303, 1747 (2004).
[6] L. P. Biró, Zs. Bálint, K. Kertész, Z. Vértesy, G. I. Márk, Z. E. Horváth, J.Balázs, D. Méhn, I. Kiricsi, V. Lousse, J.-P.Vigneron, “Role of Photonic-Crystal-Type Structures in the Thermal Regulation of a Lycaenid Butterfly Sister Species Pair,” Phys. Rev. E. 67, 021907 (2003).
[7] http://www.lostseaopals.com.au/opals/index.asp
[8] http://ab-initio.mit.edu/photons/tutorial
[9] Jeong-Ki Hwang, Han-Youl Ryu, Dae-Sung Song, II-Young Han, Hyun-Woo Song, Hong-Kyu Park, Yong-Hee Lee, Dong-Hoon Jang, “Room-temperature triangular-lattice two-dimensional photonic band gap lasers operating at 1.54

指導教授

陳啟昌(Chii-Chang Chen)

審核日期

2007-6-25

推文