高品質因子與低模態體積光子晶體微共振腔之設計與製作

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曾彥鈞(Yen-chun Tseng) 查詢紙本館藏

畢業系所

光電科學與工程學系

論文名稱

高品質因子與低模態體積光子晶體微共振腔之設計與製作
(Design and Fabrication of High Quality Factror and Low Mode-Volume Photonic Crystal Micro-cavities)

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摘要(中)

近年來，光子晶體微共振腔儼然成為光電元件研究領域中最重要的課程，人們也對
於光子晶體擁有應用在雷射與單光子源發射器得天獨厚的優勢產生濃烈的興趣。其中，
如要製作優良的光子晶體元件，無論是雷射或單光子源發射器元件，高品質因子與低模
態體積共振腔體的目標是我們一路上所追求與渴望的。然而，在本研究中我們設計ㄧ個
共振腔結構，並已製作出砷化鎵薄片光子晶體微共振腔元件。設計結構的方式，我們是
在六角排列的週期性晶格中改變兩個空氣柱直徑尺寸與位置而形成缺陷區域，這樣的結
構相似於傳統H1 點缺陷結構，因此我們將之命名為quasi-H1 結構(縮寫qH1 結構)。qH1
結構在我們利用二維有限時域差分法計算之水平品質因子高達約400,000 以及三維有限
時域差分法計算模態體積僅有0.011 μm3。
根據模擬結果，我們實際製作了一系列的光子晶體微共振腔於砷化銦量子點為主動
層的砷化鎵薄片上，其室溫品質因子可高達近4000，這是H1 光子晶體結構中世界最高
值。利用這些樣品我們將光子晶體參數(包含晶格常數和空氣柱尺寸)與品質因子間的關
係，亦作了系統性的研究與探討。

摘要(英)

In recent years, photonic crystal micro-cavity has been a subject of great interest for
various optoelectronic devices, such as lasers and single photon emitters. For the latter
application, cavities with high quality factor and low mode-volume are most desirable. In this
study, we design and fabricate GaAs photonic crystal membranes with a hexagonal lattice
structure. A defect region is created by changing the diameter and location of the center two
air holes of the lattice structure. Using two dimensional frequency-domain-time-difference
simulation, a cavity with high quality factor (~400,000) and low mode-volume (~0.011μm3) is
designed.
A series of GaAs photonic crystal membranes with embedded InAs quantum dots has
been fabricated accordingly. Quality factors as high as 4000 at room temperature are
measured on the sample with an air hole diameter of 260 nm and distance of 450 nm. To the
best of our knowledge, this is the highest value reported for H1 photonic crystal cavities. The
correlation between the quality factor and lattice parameters is investigated systematically.

關鍵字(中)

★ 共振腔
★ 光子晶體
★ 模態體積
★ 品質因子

關鍵字(英)

★ mode volume
★ photonic crystal
★ cavity
★ qH1
★ quasi-H1
★ quality factor

論文目次

中文摘要 …………………………………………………………………… i
英文摘要 …………………………………………………………………… ii
致謝 …………………………………………………………………… iii
目錄 …………………………………………………………………… iv
圖目錄 …………………………………………………………………… vi
表目錄 …………………………………………………………………… viii
第一章導論 ……………………………………………………………………… 1
1-1 光子晶體發展歷史與簡介 ……………………………………………… 1
1-1.1 光子晶體發展歷史 ……………………………………………… 1
1-1.2 光子晶體簡介 …………………………………………………… 1
1-2 研究動機與背景 ……………………………………………………… 3
第二章模擬理論基礎 ………………………………………………………………… 7
2-1 模擬理論基礎 …………………………………………………………… 7
2-1.1 前言 …………………………………………………………… 7
2-1.2 TE波與TM波 ………………………………………………… 7
2-1.3 平面波展開法 …………………………………………………… 9
2-1.4 有限時域差分法 ………………………………………………… 14
2-2 有效折射指數計算 ……………………………………………………… 16
2-3 模擬流程設計 …………………………………………………………… 20
第三章光子晶體設計與模擬結果 …………………………………………………… 23
3-1 光子晶體微共振腔設計理念 …………………………………………… 23
3-2 缺陷模態頻率與品質因子計算 ………………………………………… 24
3-3 動量守恆原理與分析 …………………………………………………… 28
3-3.1 動量守恆原理 …………………………………………………… 28
3-3.2 動量分析 ………………………………………………………… 31
3-4 共振波長之預測…………………………………………………………… 32
3-5 模態體積計算 …………………………………………………………… 34
3-6 砷化鋁鎵犧牲層對能量侷限的影響 …………………………………… 35
3-7 結論 ……………………………………………………………………… 38
第四章光子晶體共振腔製作與量測…………………………………………………… 39
4-1 前言 ……………………………………………………………………… 39
4-2 製程流程 ………………………………………………………………… 40
4-2.1 量子點結構 ……………………………………………………… 40
4-2.2 光子晶體薄片之製程流程 ……………………………………… 41
4-3 製程分析 ……………………………………………………………… 45
4-4 光子晶體元件量測 ………………………………………………………... 47
4-4.1 量測系統簡介 …………………………………………………….. 47
4-4.2 量測結果與分析 ………………………………………………….. 48
第五章結論與未來展望 ……………………………………………………………… 55
參考文獻 ……………………………………………………………………………… 56

參考文獻

[1] E. Yablonovitch, “Inhibited Spontaneous Emission in Solid-State Physics and Electronics”, Phy. Rev. Lett., 58, 2059(1987)
[2] S.John, “Strong localization of photons in certain disordered dielectric superlattices”,Phy. Rev. Lett., 58, 2486(1987)
[3] E. Yablonovitch, “Photonic crystals: semiconductor of light”, Scientific American December,47(2001)
[4] E. Yablonovitch, et. al. “Photonic band structure: The face-centered-cubic case employing nonspherical atoms”, Phys. Rev. Lett. 67, 2295(1991)
[5] O. Painter, et. al. “Two-Dimensional Photonic Band-Gap Defect Mode Laser”, Science, 284, 1819(1999)
[6] Masahiro, et al. “Highly efficient optical pumping of photonic crystal nanocavity lasers using cavity resonant excitation”, Appl. Phys. Letters, 89, 161111 (2006)
[7] Hong-Gyu Park, et al, “Characteristics of Electrically Driven Two-Dimensional Photonic Crystal Lasers”, IEEE J. Quantum Electron, Vol. 41, No. 9, page 1131 (2005)
[8] Min-Kyo Seo, et al. “Low threshold current single-cell hexapole mode photonic crystal laser”, Appl. Phys. Letters, 90, 171122 (2007)
[9] Atsushi Sugitatsu, et al. “ Line-defect-waveguide laser integrated with a point defect in a two-dimensional photonic crystal slab”, Appl. Phys. Letters, 86, 171106 (2005)
[10] Masayuki, et al. “Simultaneous Inhibition and Redistribution of Spontaneous Light Emission in Photonic Crystal”, Science, 308, 1296 (2005)
[11] Yoshihiro Akahane, et. al. “High-Q photonic nanocavity in a two dimensional photonic crystal”, Nature, 425, 944(2003)
[12] T. Yoshie, et. al. “Vacuum Rabi splitting with a single quantum dot in a photonic crystal nanocavity”, Nature, 432, 201 (2005)
[13] K. Noazki et. al. “Laser characteristics with ultimate-small modal volume in photonic crystal salb point-shift nanolasers”, Appl. Phys. Letters, 88, 211101 (2006)
[14] E. M. Purcell, “Spontaneous Emission Probabilities at Ratio Frequency”, Phys. Rev., 69, 681 (1946)
[15] W.-Y. Chen, W.-H. Chang, H.-S. Chang, and T. M. Hsu, “Enhanced light emission from InAs quantum dots in single-defect photonic crystal microcavities at room temperature”, Appl. Phys. Letters, 87, 071111 (2005)
[16] Maria Makarova, Jelena Vuckovic, Hiroyuki Sanda, and Yoshio Nishi,
“Silicon-based photonic crystal nanocavity light emitters”, Appl. Phys. Letters, 89, 221101 (2006)
[17] M. G. Banaee, et al. “Efficient coupling of photon crystal microcavity to a ridge waveguide” , Appl. Phys. Letters, 90, 193106 (2007)
[18] 葛德彪、閻玉波，電磁波時域有限差分方法(簡體)，西安電子科技大學出版社，2001。
[19] 欒丕綱、陳啟昌，光子晶體，五南出版社，2005。
[20] P. Yu, et al. “Optical anisotropic in vertically coupled quantum dots”, Physical Review B, 60, 24 (1999)
[21] W.-Y. Chen, et al. “Temperature stability of single-photon emission from InGaAs quantum dots photonic crystal nanocavities”, Appl. Phys. Letters, 90, 211114 (2007)
[22] K. Hennessy, et al. “Tuning photonic crystal nanocavity modes by wet chemical digital etching”, Appl. Phys. Letters, 87, 021108 (2005)

指導教授

綦振瀛(Jen-Inn Chyi)

審核日期

2007-7-18

推文