博碩士論文 943204004 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:29 、訪客IP:35.175.191.168
姓名 陳怡如(Yi-Ju Chen)  查詢紙本館藏   畢業系所 化學工程與材料工程學系
論文名稱 利用濕式蝕刻粗化藍寶石基材之表面並應用於發光二極體之製程
(Study of the Nature Pattern Sapphire Substrate by Wet Etching and Apply for GaN LED)
相關論文
★ Au濃度Cu濃度體積效應於Sn-Ag-Cu無鉛銲料與Au/Ni表面處理層反應綜合影響之研究★ 薄型化氮化鎵發光二極體在銅填孔載具的研究
★ 248 nm準分子雷射對鋁薄膜的臨界破壞性質研究★ 無光罩藍寶石基材蝕刻及其在發光二極體之運用研究
★ N-GaN表面之六角錐成長機制及其光學特性分析★ 藍寶石基板表面和內部原子排列影響Pt薄鍍膜之de-wetting行為
★ 藍寶石基板表面原子對蝕刻液分子的屏蔽效應影響圖案生成行為及其應用★ 陽離子、陰離子與陰陽離子共摻雜對於p型氧化錫薄膜之電性之影響研究與陽離子空缺誘導模型建立
★ 自生反應阻障層 Cu-Ni-Sn 化合物 在覆晶式封裝之研究★ 含銅鎳之錫薄膜線之電致遷移研究
★ 微量銅添加於錫銲點對電遷移效應的影響及 鎳金屬墊層在電遷移效應下消耗行為的研究★ 電遷移誘發銅墊層消耗動力學之研究
★ 不同無鉛銲料銦錫'錫銀銅合金與塊材鎳及薄膜鎳之濕潤研究★ 錫鎳覆晶接點之電遷移研究
★ 錫表面處理層之銅含量對錫鬚生長及介面反應之影響★ 覆晶凸塊封裝之兩界面反應交互作用研究
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載]
  1. 本電子論文使用權限為同意立即開放。
  2. 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
  3. 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。

摘要(中) 本實驗主要是利用不同的化學溶液與藍寶石(sapphire)基材間反應情況的不同藉由溼式蝕刻的方式在藍寶石基材上進行表面粗化, 並探討不同的蝕刻溶液、溫度及時間下對藍寶石基材的蝕刻深度和表面形貌的影響。
我們選取其中一種蝕刻參數所得的形貌應用於傳統發光二極體結構(conventional LED structure) 此種技術即稱為圖案化之藍寶石基材(pattern sapphire substrate)。 又因本實驗不同於以往利用微影製程(lithography)的技術所得之一規律的圓形、方形、長條等規則形狀而是直接利用不同參數的蝕刻液所得的金字塔錐、六角形等圖案,所以又稱此技術為自然圖案化之藍寶石基材(nature pattern sapphire substrate)。 利用此一技術所製得之conventional LED 藉PL、 XRD 來鑑定GaN film quality 以及LIV curve探討此技術對電性和光性的影響。
摘要(英) We do the surface texture on sapphire substrate by wet etching due to degree of reaction between sapphire and etching solution. In this experiment, we use different kinds of etching solution, temperature and time to etch C-plane sapphire surface and investigate the relationship between the etching parameter and etching morphology.
We choose one kind of the etching morphology and apply to do conventional LED structure and so call the pattern sapphire substrate. Instead of the conventional way to do the pattern sapphire substrate by lithography to get the regular shape like cylinder, square, pillar and so on we etch sapphire surface by wet etching directly to get pyramid, hexagon shape and so on so called this new way to be the nature pattern sapphire substrate. By the way doing the PL and XRD to analysis the GaN film quality and investigate electric and photo characteristic by LIV curve when process into conventional LED structure.
關鍵字(中) ★ 溼式蝕刻 關鍵字(英) ★ wet etching
★ pattern sapphire substrate
論文目次 第一章 續論
1-1 前言………………………………………………………………1
第二章 文獻回顧
2-1 內部量子效率……………………………………………………3
2-2 外部量子效率……………………………………………………5
2-3 Pattern sapphire substrate…………………………………8
2-4 蝕刻技術……………………………………………………… 11
2-4.1 乾式蝕刻……………………………………………… 11
2-4.2 溼式蝕刻……………………………………………… 13
第三章 實驗方法與步驟……………………………………………17
3-1 實驗步驟…………………………………………………… 17
3-2 conventional LED結構製程……………………………… 19
3-3 實驗分析儀………………………………………………… 20
3-3.1 掃瞄式電子顯微鏡 (SEM)………………………… 20
3-3.2 能量散佈光譜儀 (EDS)…………………………… 21
3-3.3 X光繞射分析 (XRD)…………………………………21
3-3.4 聚焦離子束 (FIB)………………………………… 22
3-3.5激發光光譜分析 (PL)……………………………… 22
第四章 結果與討論……………………………………………………23
4-1 sapphire的蝕刻反應………………………………………… 23
4-1.1 蝕刻溶液對sapphire反應的影響…………………… 24
4-1.2 蝕刻溫度對sapphire反應的影響…………………… 25
4-2 蝕刻過後sapphire的表面形貌……………………………… 27
4-3 sapphire蝕刻反應之機制…………………………………… 31
4-4 X光繞射分析……………………………………………………36
4-5 激發光光譜分析……………………………………………… 38
4-6 nature pattern sapphire基材和GaN介面間的觀察……… 40
4-7 nature pattern sapphire基材對電性和光性的影響………46
第五章 結論……………………………………………………………48
第六章 參考文獻………………………………………………………49
參考文獻 1. Motokazu YAMADA, Yukio NARUKAWA, Hiroto TAMAKI, Yoshinori MURAZAKI, and Takashi MUKAI, Nonmembers Ieicetrans. Electron, Vol.E88-C.No.9, September (2005)
2. D.S.Wuu, W.K.Wang, W.C.Shih, R.H.Hong, C.E.Lee, W.Y.Lin and J.S.Fang, IEEE Photonics Technology Letters.Vol.17, No.2 February (2005)
3. Lu Min, Chang Xin, Fang Hui-Zhi, Yang Zhi-Jian, Yang Hua, LiZi-Lan, Ren Qian, Zhang Guo-Yi, and Zhang Bei, Phys.stat.sol.(c)1, No.10, 2438-2440 (2004)
4. Y.P.Hsu, S.J.Chang, Y.K.Su, J.K.Sheu, C.T.Lee, T.C.Wen, L.W.Wu, C.H.Kuo, C.S.Chang and S.C.Shei, Journal of Crystal Growth 261 466-470 (2004)
5. J.S.Speck and S.J.Rosner, Physical B 273-274 24-32 (1999)
6. E.Monroy, F.Calle, E.Munoz, B.Beaumont, F.Omnes and P.Gibart, Electronics Letters 19th Vol.35, No.17 August (1999)
7. P.C.Tsai, Ricky W.Chuang, and Y.K.Su, Senior Member. IEEE Journal of Lightwave Technology. Vol.25, No.2. February (2007)
8. L.Liu, J.H.Edgar. Materials Science and Engineering R 37,61-127 (2002)
9. Woei-Kai Wang, Dong-Sing Wuu, Shu-Hei Lin, Pin Han, Ray-Hua Homg, Ta-Cheng Hsu, Donald Tai-Chan Huo, Ming-Jiunn Jou, Yuan-Hsin Yu, Aikey Lin, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol.41, No.11. November (2005)
10. S.J.KIM, Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.5A, pp.2921-2924 (2005)
11. Y.J.Lee, J.M.Hwang, T.C.Hsu, M.H.Hsieh, M.J.Jou, B.J.Lee, T.C.Lu and H.C.Kuo, Member IEEE Photonics Technology Letters, Vol.18, No.10, May 15 (2006)
12. Y.J.Lee, H.C.Kuo, C.Lu, B.J.Su and S.C.Wang, Journal of The Electrochemical Society, 153(12) G1106-G1111 (2006)
13. Y.Gao, M.D.Craven, J.S.Speck, S.P.DenBaars and E.L.Hu, Applied Physics Letters, Vol.84, No17, April 26 (2004)
指導教授 劉正毓(Cheng-Yi Liu) 審核日期 2007-6-29
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明