參考文獻 |
[1] R. Juza and H. Hahn, Zeitschr. Anorgan. Allgem. Chem. 234, 282 (1940).
[2] H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 367 (1969).
[3] J. Pankove, E. Miller, D. Richmann, and J. Berkeyheiser, J. Lumin. 4, 63 (1971).
[4] R. Dingle, K. Shaklee, R. Leheny, and R. Zetterstrom, Appl. Phys. Lett. 19, 5 (1971).
[5] I. Akasaki, Mater. Res. Soc. Symp. 510, 145 (1998).
[6] H. Manasevit, F. Erdman, and W. Simpson, J. Electrochem. Soc. 118, 1864 (1971).
[7] T. Kawabata, T. Matsuda, and S. Koike, J. Appl. Phys. 56, 2367 (1984).
[8] H. Amano et. al., Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
[9] S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31,
1258 (1992).
[10] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
[11] S. Nakamura et al., Appl. Phys. Lett. 76, 22 (2000).
[12] M.T. Duffy, C.C. Wang, G’D. O’Clock, S.H. McFarlane III, and P.J. Zanzucchi, J. Elect. Mat. 2, 359 (1973).
[13] M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996).
[14] G.Y. Xu, A. Salvador, W. Kim, Z. Fan, C. Lu, H. Tang, H. Morkoç, G. Smith, M. Estes, B. Goldenberg, W. Yang, and S. Krishnankutty, Appl. Phys. Lett. 71, 2154 (1997).
[15] I.J. Fritz and T.J. Drummond, Electron. Lett. 31, 68 (1995).
[16] R. C. Tu, C. J. Tun, S. M. Pan, H. P. Liu, C. E. Tsai, J. K. Sheu, C. C. Chuo, Te-Chung Wang, G. C. Chi, and I. G. Chen. IEEE Photon. Technol. Lett. 15, 1050 (2003).
[17] Ru-Chin Tu, Chun-Ju Tun, Shyi-Ming Pan, Chang-Cheng Chuo, J. K. Sheu, Ching-En Tsai, Te-Chung Wang, and Gou-Chung Chi, IEEE Photon. Technol. Lett. 15, 1342 (2003).
[18] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
[19] H. Morkoç and S.N. Mohammad, Science Magazine 267, 51 (1995).
[20] H. Morkoç and S.N. Mohammad, “Light Emitting Diodes,” in Wiley
Encyclopedia of Electrical Engineering and Electronics Engineering, J. Webster,
ed. John Wiley and Sons, New York, 1999.
[21] R. C. Tu, C. J. Tun, J. K. Sheu, W. H. Kuo, T. C. Wang, C. E. Tsai, J. T. Hsu, Jim Chi, and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett. 24, 206 (2003).
[22] S. Nakamura, M. Senoh, N. Nagahama, N. Iwara, T. Yamada, T. Matsushita, H.Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L1578 (1997).
[23] T. Nishida, H.Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 711 (2001).
[24] H. X. Wang, H. D. Li, Y.B. Lee, H. Sato, K. Tamashita, T. Sugahara, and S. Sakai, J. Crystal Growth 264, 48 (2004).
[25] T. Wang, Y. H. Liu, Y. B. Lee, J. P. Ao, J. Bai, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 81, 2508 (2002).
[26] M. Iwayal, S. Terao, S.Takanami, A.Miyazaki, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Stat. Sol. C 1, 34 (2002).
[27] T. Nishida, N. Kobayashi, and T. Ban, Appl. Phys. Lett. 82, 1 (2003).
[28] T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3976 (1999).
[29] Y. C. Shen, G. O. Mueller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
[30] N. F. Gardner, G. O. Mueller, Y. C. Shen, G. Chen, S. Watababe, W. Goetz, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 243507 (2007).
[31]M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Peprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[32] T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3976 (1999).
[33] Y. Yang, X. A. Cao, and C. Yan, IEEE Tran. Electron. Dev. 55, 1771 (2008).
[34] M. F. Schubert, S. Chhajed, J. K. Kim, E. F. Schubert, D. D. Koleske, M. H. Crawford, S. R. Lee, A. J. Fischer, G. Thaler, and M. A. Banas, Appl. Phys. Lett. 91, 231114 (2007).
[35] Y. L. Li, Y. R. Huang, and Y. H. Lai, Appl. Phys. Lett. 91, 181113 (2007).
[36] J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager III, E.E. Haller, H. Lu, W.J Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
[37] M. Hori, K. Kano, T. Yamaguchi, Y. Saito, T. Araki, Y. Nanishi, N. Teraguchi, and A. Suziki, phys. stat. sol. B 234, 750 (2002).
[38] T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81 (2), 1246 (2002).
[39] A. Barnett, C. Honsberg, D. Kirkpatrick, S. Kurtz, D. Moore, D. Salzman, R. Schwartz, J. Gray, S. Bowden, K. Goossen, M. Haney, D. Aiken, M. Wanlass, and K. Emery, Proceedings of the Fourth World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Hawaii, 7-12 May 2006.
[40] E. Tybus, G. Namkoong, W. Henderson, S. Burnham, W. Doolitle, M. Cheung, and A. Cartwright, J. Cryst. Growth 288, 218 (2006).
[41] P. King, T. Veal, C. P. Jefferson, C. McConville, H. Lu, and W. Schaff, Phys. Rev. B 75, 115312 (2007).
[42] O. Jani, I. Ferguson, C. Honsberg, and S. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 91, 132117 (2007).
[43] M. Hori, K. Kano, T. Yamaguchi, Y. Saito, T. Araki, Y. Nanishi, N. Teraguchi, and A. Suziki, phys. stat. sol. (b) 234, 750 (2002).
[44] C. J. Neufeld, N. G. Toledo, S. C. Cruz, M. Iza, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 93, 143502 (2008).
[45] X. Chen, K. D. Matthews, D. Hao, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, Phys. Status Solidi A 205, 1103 (2008).
[46] C. Theodoropoulos, T.J. Mountziaris, H.K. Moffat, and J. Han, J. Crystal Growth 217, 65 (2000).
[47] R. L. Mahajan, Advances in Heat Transfer, Academic Press, New York, 1996, p. 28.
[48] F. C. Eversteyn, P. J. W. Severin, C. H. J. Brekel, and H. L. Peek, J. Electrochem. Soc. 117, (7) 925 (1970).
[49] W. K. S. Chiu and Y. Jaluria, Heat transfer in horizontal and vertical CVD reactor, HTD-Vol. 347, ASME National Heat Transfer Conference, Vol. 9, ASME, New York, 1997, pp. 293–311.
[50] D. I. Fotiadis, S. Kieda, and K. F. Jensen, J. Crystal Growth 102, 441 (1990).
[51] H. M. Manasevit, Appl. Phys. Lett. 12, 156 (1968).
[52] H. M. Manasevit, F. Erdmann, and W. Simpson, J. Electrochem. Soc. 118, 1864 (1971).
[53] S. P. Denbaar, B. Y. Maa, P. D. Dapkus, and H. C. Lee, J. Cryst Growth 77, 188 (1986).
[54] H. Schlichting, Boundary Layer Theory, Mc-Graw Hill, New York, 1960.
[55] Aixtron Co. Ltd Catalog of the CS-13975 system.
[56] T. Makimoto, Y. Yamauchi, N. Kobayashi, and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L207 (1990).
[57] S. L. Wright, T. N. Jackson, and R. F. Marks, J. Vac. Sci. & Technol. B8, 288 (1990).
[58] A. J. Spring Thorpe and A. Majeed, J. Vac. Sci. & Technol. B8, 266 (1990).
[59] T. Okamoto and A. Yoshikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L156 (1991).
[60] S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 1620 (1991).
[61] LayTec Co. Ltd, http://www.laytec.de.
[61] T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3976 (1999).
[62] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 1417 (1997).
[63]S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
[64]K. Uchida, K. Nishida, M. Tadano, and H. Munekata, J. Cryst. Growth 189, 270 (1998).
[65]T. Kachi, K. Tomita, K. Itoh, and H. Trando, Appl. Phys. Lett. 72, 704 (1998).
[66]T. Wang, Y. Morishima, N. Naoi, and S. Sakai, J. Cryst. Growth 213, 188 (2000)
[67]S. Sakai, T. Wang, Y. Morishima, and N. Naoi, J. Cryst. Growth 221, 334 (2000)
[68]C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, C. K. Wang, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. M. Tsai, and C. C. Lin, Solid-State Electronics 47, 2019 (2003)
[69]S. C. Wei, Y. K. Su, S. J. Chang, S. M. Chen, and W. L. Li, IEEE Trans. Electron Devices 52, 1104 (2005)
[70]Y. P. Hsu, S. J. Chang, Y. K. Su, S. C. Chen, J. M. Tsai, W. C. Lai, C. H. Kuo, and C. S. Chang, IEEE Photon. Tech. Lett. 17, No. 8, 1620 (2005).
[71]C. M. Tsai, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. P. Hsu, P. T. Wang, C. T. Kuo, C. W. Kuo, S. J. Chang, and Y. K. Su, IEEE Electron Device Lett. 26, No. 7, 464 (2005).
[72] C. H. Kuo, C. L. Yeh, P. H. Chen, W. C. Lai, C. J. Tun, J. K. Sheu, and G. C. Chi, Electrochem. Solid State Lett. 11, H269 (2008).
[73] D. D. Koleske, A. J. Fischer, A. A. Allerman, C. C. Mitchell, K. C. Cross, S. R. Kurtz, J. J. Figiel, K. W. Fullmer, and W. G. Breiland, Appl. Phys. Lett. 81, 1940 (2002)
[74] B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P.
DenBaar, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).
[75] H. M. Ng, D. Doppalapudi, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
[76] N. G. Weimann and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
[77] C. W. Kuo, Y. K. Fu, C. H. Kuo, L. C. Chang, C. J. Tun, C. J. Pan, and G. C. Chi, J. Cryst. Growth 311, 249 (2009).
[78] P. Fini, X. Wu, E. J. Tarsa, Y. Golan, V. Srikant, S. Keller, S. P. Denbarrs, and J. S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 37, 4460 (1998)
[79] X. H. Wu, D. Kapolnek, E. J. Tarsa, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. Denbarrs, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 1371 (1996)
[80] Y. H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998).
[81] T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3976 (1999).
[82] T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1358 (1998).
[83] S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
[84] K. P. O’Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
[85] A. Hori, D. Yasunaga, A. Satake, and K. Fujiwara, Appl. Phys. Lett. 79, 3723 (2001).
[86] Z. C. Feng, W. Liu, S. J. Chua, J. W. Yu, C. C. Yang, T. R. Yang, and J. Zhao, Thin Solid Films 498, 118 (2006).
[87] C. H. Kuo, C. W. Kuo, C. M. Chen, B. J. Pong, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett. 89, 191112 ( 2006).
[88] C. H. Kuo, H. C. Feng, C. W. Kuo, C. M. Chen, L. W. Wu, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett. 90, 142115 (2007).
[89] Y. T. Moon, D. J. Kim, J. S. Park, J. T. Oh, J. M. Lee, Y. W. Ok, H. Kim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 79, 599 (2001).
[90] A. Laubsch, W. Bergbauer, M. Sabathil, M. Strassburg, H. Lugauer, M. Peter, T. Meyer, G. Bruderl, J. Wagner, N. Linder, K. Strubel, and B. Hahn, Phys. Stat. Sol. C 6, S2 S885 (2009).
[91] J. Wu, W Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002).
[92] B. D. Cullity, Elements of X-ray Diffraction, 2nd ed., Addison-Wesley, Reading, MA, (1978).
[93] C. S. Kim, H. G. Kim, C. H. Hong, and H. C. Cho, Appl. Phys. Lett. 87, 013502 (2005).
[94] A. Tabata, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, L. R. Leite, A. Kharchenko, T. Frey, D. J. As, D. Schikora, K. Lischika, J. Furthmuller, and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 80, 769 (2002).
[95] R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47, 322 (1985).
[96] S. Pereira, M. R. Correia, E. Pereira, C. Trager-Cowan, F. Sweeney, K. P. O’Donnel, E. Alves, N. Franco, and A. D. Sequeria, Appl. Phys. Lett. 81, 1207 (2002).
[97] R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
[98] Y. H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. Denbaars, , Appl. Phys. Lett. 73, no. 10, 1370 (1998).
[99] C. A. Tan, R. F. Karlicek, Jr., M. Schurman, A. Osinsky, V. Merai, Y. Li, I. Eliashevich, M. G. Brown, J. Nering, I. Fergerson, and R. Stall, J. Cryst. Growth 195, 397 (1998).
[100] S. Watanabe, N. Yamada, M. Nagashima, Y. Ueki, C. Sasaki, Y. Yamada, T. Taguchi, K. Tadatomo, H. Okagawa, and H. Kudo, Appl. Phys. Lett. 83, 4906 (2003).
[101] T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3976 (1999).
[102] T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1358 (1998).
[103] Y. C. Shen, G. O. Mueller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
[104] N. F. Gardner, G. O. Mueller, Y. C. Shen, G. Chen, S. Watababe, W. Goetz, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 243506 (2007).
[105]M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Peprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[106] Y. Yang, X. A. Cao, and C. Yan, IEEE Tran. Electron. Dev. 55, 1771 (2008).
[107] M. F. Schubert, S. Chhajed, J. K. Kim, E. F. Schubert, D. D. Koleske, M. H. Crawford, S. R. Lee, A. J. Fischer, G. Thaler, and M. A. Banas, Appl. Phys. Lett. 91, 231114 (2007).
[108] Y. L. Li, Y. R. Huang, and Y. H. Lai, Appl. Phys. Lett. 91, 181113 (2007).
[109] R. A. Oliver, M. J. Kappers, C. J. Humphreys, and G. A. D. Briggs, J. Appl. Phys. 97, 013707 (2005).
[110] H. J. Chung, R. J. Choi, M. H. Kim, J. W. Han, Y. M. Park, Y. S. Kim, H. S. Park, C. S. Sone, Y. J. Park, J. K. Kim, and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 95, 241109 (2009).
[111] S. Nakamura, S. J. Pearton, and G. Fasol, The Blue Laser Diode: The complete Story, 2nd ed., Spinger, Berlin, (2000)
[112] X. A. Cao, S. F. Leboeuf, L. B. Rowland, C. H. Yan, and H. Liu, Appl. Phys. Lett. 82, 3614 (2003)
[113] L. Nistor, H. Bender, A. Vantomme, M. F. Wu, J. V. Landuyt, K. P. O’Donnell, R. Martin, K. Jacobs, and I. Moerman, Appl. Phys. Lett. 77, 507 (2000).
[114] M. G. Cheong, C. Liu, H. W. Choi, B. K. Lee, E. K. Suh, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 93, 4691 (2003).
[115] C. H. Kuo, Y. K. Fu, C. L. Yeh, C. J. Tun, P. H. Chen, W. C. Lai, and S. J. Chang, IEEE Photon. Technol. Lett. 21, 371 (2009).
[116] T. H. Hsueh, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. T. Wang, H. C. Kuo, and S. C. Wang, IEEE Photon. Technol. Lett. 21, 414 (2009).
[117] Y. S. Lin, C. C. Yan, C. Hsu, K. J. Ma, Y. Y. Chung, S. W. Feng, Y. C. Cheng, E. C. Lin, C. C. Yang, C. T. Kuo, and J. S. Tsang, J. Cryst. Growth 252, 107 (2003).
[118] Y. C. Cheng, C. M. Wu, M. K. Chen, C. C. Yang, Z. C. Feng, G. A. Li, J. R. Yang, A. Rosenauer, and K. J. Ma, Appl. Phys. Lett. 84, 5422 (2004).
[119] H. C. Lin, R. S. Lin, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 92, 161113 (2008).
[120] S. H. Jan, C. Y. Cho, S. J. Lee, T. Y. Park, T. H. Kim, S. H. Park, S. W. Kang, J. W. Kim, Y. C. Kim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 96, 051113 (2010).
[121] C. H. Kuo, C. W. Kuo, C. M. Chen, B. J. Pong, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett. 89, 191112 (2006).
[122] C. H. Kuo, H. C. Feng, C. W. Kuo, C. M. Chen, L. W. Wu, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett. 90, 142115 (2007).
[123] C. H. Kuo, C. L. Yeh, P. H. Chen, W. C. Lai, C. J. Tun, J. K. Sheu, and G. C. Chi, Electrochem. Solid State Lett. 11, H269 (2008).
[124] L. Trpfer, W. Stolz, and K. Ploog, J. Appl. Phys. 66, 3217 (1989).
[125] J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002).
[126] T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002).
[127] X. A. Cao, S. F. Leboeuf, L. R. Rowland, and H. Liu, J. Electron. Mater. 32, 316 (2003).
[128] X. A. Cao, S. F. Leboeuf, and T. E. Stecher, IEEE Electron Device Lett. 27, 329 (2006).
[129] P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
[130] Y. H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998).
[131] D. I. Florescu, J. C. Ramer, D. S. Lee, and E. A. Armour, Appl. Phys. Lett. 84, 5252 (2004).
[132] H. P. D. Schenk, M. Leroux, and P. de Mierry, J. Appl. Phys. 88, 1525 (2000).
[133] Y. Yang, X. A. Cao, and C. H Yan, Phys. Status Solidi A, 195 (2009).
[134] J. Park and Y. Kawakami, Appl. Phys. Lett. 88, 202107 (2006).
[135] S. H. Park, J. Park, and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 90, 023508 (2007).
[136] R. A. Arif, Y. K. Ee, and N. Tansu, Appl. Phys. Lett. 91, 091110 (2007).
[137] H. Zhao, R. A. Arif, and N. Tansu, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1104 (2009).
[138] H. Zhao, G. Liu, X. H. Li, G. S. Huang, J. D. Poplawsky, S. T. Penn, V. Dierolf, and N. Tansu, Appl. Phys. Lett. 95, 061104 (2009).
[139] A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[140] T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 38, 3976 (1999).
[141] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 1417 (1997).
[142] S. Nakamura, S. Pearton, and G. Fasol, The Blue Laser Diode, 2nd ed. (Springer, Berlin, 2000).
[143] X. Zhang, X. Wang, H. Xiao, C. Yang, J. Ran, C. Wang, Q. Hou, and J. L. Li, J. Phys. D 40, 7335 (2007).
[144] O. Jani, I. Ferguson, C. Honsberg, and S. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 91, 132117 (2007).
[145] J. Wu, W. Walukiewich, K. M. Yu, W. Shan, J. W. Ager, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, W. K. Metzger, and S. Kurtz, J. Appl. Phys. 94, 6477 (2003).
[146] J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager III, E.E. Haller, H. Lu, W.J Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
[147] M. Hori, K. Kano, T. Yamaguchi, Y. Saito, T. Araki, Y. Nanishi, N. Teraguchi, and A. Suziki, phys. stat. sol. B 234, 750 (2002).
[148] T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81 (2), 1246 (2002).
[149] A. Barnett, C. Honsberg, D. Kirkpatrick, S. Kurtz, D. Moore, D. Salzman, R. Schwartz, J. Gray, S. Bowden, K. Goossen, M. Haney, D. Aiken, M. Wanlass, and K. Emery, Proceedings of the Fourth World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Hawaii, 7-12 May 2006.
[150] A. J. Ekpunobi and A. O. E. Animalu, Superlattice Microstruct. 31, 247 (2002).
[151] D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27, 985 (1983).
[152] J. F. Muth, J. H. Lee, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, J. Gasey, B. P. Keller, U. K. Mishra, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 71, 2572 (1997).
[153] R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
[154] L. Zeng, Y. Yi, C. Hong, J. Liu, N. Feng, X. Duan, L. C. Kimerling, and B. A. Alamariu, Appl. Phys. Lett. 89, 111111 (2006).
[155] D. Redfield, Appl. Phys. Lett. 25, 647 (1974).
[156] E. Tybus, G. Namkoong, W. Henderson, S. Burnham, W. Doolitle, M. Cheung, and A. Cartwright, J. Cryst. Growth 288, 218 (2006).
[157] P. King, T. Veal, C. P. Jefferson, C. McConville, H. Lu, and W. Schaff, Phys. Rev. B 75, 115312 (2007).
[158] C. J. Neufeld, N. G. Toledo, S. C. Cruz, M. Iza, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 93, 143502 (2008).
[159] X. Chen, K. D. Matthews, D. Hao, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, Phys. Status Solidi A 205, 1103 (2008).
[160] P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
[161] I. Kim, H. Park, Y. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 1634 (1998).
[162] B. N. Pantha, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 93, 182107 (2008).
[163] X. Zheng, R. H. Horng, D. S. Wuu, M. T. Chu, W. Y. Liao, M. H. Wu, R. M. Lin, and Y. C. Lu, Appl. Phys. Lett. 93, 261108 (2008).
[164] R. Dahal, B. Pantha, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 94, 063505 (2009).
[165] K. W. J. Barnham, and G. Duggan, J. Appl. Phys. 67, 3490 (1990).
[166] K. W. J. Barnham, B. Braun, J. Nelson, M. Paxman, C. Button, J. S. Roberts, and C. T. Foxon, Appl. Phys. Lett. 59, 135 (1991).
[167] R. Corkish, and M.A. Green, Recombination of carriers in quantum well solar cells, in: Proceedings of the 23rd PV Specialists Conference, IEEE, New York, pp. 675 (1993).
[168] K. W. J. Barnham, J. Connolly, P. Griffin, G. Haarpaintner, J. Nelson, E. Tsui, A. Zachariou, J. Osborne, C. Button, G. Hill, M. Hopkinson, M. Pate, J.S. Roberts, and T. Foxon, J. Appl. Phys. 80 (2), 1201 (1996).
[169] C. H. Kuo, C. W. Kuo, C. M. Chen, B. J. Pong, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett. 89, 191112 ( 2006).
[170] C. H. Kuo, H. C. Feng, C. W. Kuo, C. M. Chen, L. W. Wu, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett. 90, 142115 (2007).
[171] D. Holect, P. M. F. J. Costa, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys, J. Cryst. Growth 303, 314 (2007).
[172] X. H. Wang, H. Q. Jia, L. W. Guo, Z. G. Xing, Y. Wang, X. J. Pei, J. M. Zhou, and H. Chen, Appl. Phys. Lett. 91, 161912 (2007).
[173] Z. Z. Chen, P. Liu, S. L. Qi, K. Xu, Z. X. Qin, Y. Z. Tong, T. J. Yu, X. D. Hu, and G. Y. Zhang, J. Cryst. Growth 298, 731 (2007).
[174] J. K. Sheu, C. C. Yang, S. J. Tu, K. H. Chang, M. L. Lee, W. C. Lai, and L. C. Peng, IEEE Electron Device Lett. 30, 225 (2009).
[175] F. Capasso, G. Margaritondo, Heterojunction Band Discontinuities: Physics and Device Applications, North-Holland, Netherlands, 1987.
[176] J. M. Shah, Y. -L. Li, Th. Gessmann, E. F. Schubert, J. Appl. Phys. 94, 2627 (2003).
[177] X. A. Cao, E. B. Stokes, P. M. Sandvik, S. F. Veboeuf, J. Kretchmer, D.
Walker, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 535 (2002).
[178] S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
[179] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices 2nd edition, New York:Willey (1981)
[180] Martin A. Green, Solar cells operating principles, technology, and system applications, Prentics-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N. J. 07632, (1982) p.96.
[181] M. Peter, A. Laubsch, P. stauss, A. Walter, J. Baur, and B. Hahn, Phys. Stat. Sol. C, 5, 2050 (2008).
[182] Y. D. Qi, H. Liang, D. Wang, Z. D. Lu, W. Tand, and K. M. Lau, Appl. Phys. Lett. 86, 101903 (2005).
[183] Y. H. Cho, S. N. Lee, H. S. Kwack, J. Y. Kim, K. S. Lim, H. M. Kim, T. W. Kang, S. N. Lee, M. S. Seon, O. H. Nam, and Y. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 2578 (2003).
[184] C. H. Kuo, C. L. Yeh, P. H. Chen, W. C. Lai, C. J. Tun, J. K. Sheu, and G. C. Chi, Electrochem. Solid State Lett. 11, H269 (2008).
|