應用氮化鎵奈米柱基板提升氮化鎵發光二極體之電流擴散

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周秀玫(Hsiu-Mei Chou) 查詢紙本館藏

畢業系所

照明與顯示科技研究所

論文名稱

應用氮化鎵奈米柱基板提升氮化鎵發光二極體之電流擴散
(Improvement of Current Spreading in GaN-based Light Emitting Diode Grown on Nanorods GaN Template)

相關論文

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摘要(中)

本論文主要研究成長不同濃度之n型GaN薄膜於奈米柱GaN/藍寶石基板來改善Planar GaN發光二極體之電流擁擠現象，期望應用在大電流密度下提升整個GaN發光二極體電流擴散之均勻性。文中首先分別成長不同濃度之n型GaN薄膜於傳統GaN基板及奈米柱GaN/藍寶石基板，接著量測分析其n型GaN薄膜在兩者基板之間的材料特性差異，接著成長不同濃度之n型GaN薄膜的GaN發光二極體結構應用在此兩者基板上，並探討不同濃度之n型GaN薄膜對於GaN發光二極體之光電特性表現的差異性。
由GaN發光二極體電流擴散原理得知，使n型GaN薄膜電阻值與表面氧化銦錫( ITO )薄膜電阻值越匹配，其電流分佈越均勻，因此本研究是藉由成長高濃度的n型GaN薄膜來降低n型GaN薄膜之電阻值，而成長較高濃度的n型GaN薄膜會因為過多的Si摻雜而使得薄膜品質較差，為了不讓增加Si摻雜而影響GaN薄膜品質，我們使用奈米柱GaN/藍寶石基板成長GaN薄膜，可抑制薄膜缺陷密度不因摻雜高濃度Si而增加。
我們再利用奈米柱GaN/藍寶石基板成長GaN發光二極體結構，並比較結構中有不同濃度之n型GaN薄膜對於影響電流在GaN發光二極體分佈的均勻性。由量測結果得知，使用奈米柱GaN/藍寶石基板比傳統GaN基板成長之GaN發光二極體，其光輸出功率在20 mA下，由5.8 mW上升至6.5 mW，提高約12％，而在相同使用奈米柱GaN/藍寶石基板，我們調整n型GaN薄膜電阻值使其和氧化銦錫( ITO )薄膜電阻值匹配，其光輸出功率在20 mA下由6.5 mW上升至7.5 mW，順向電壓皆為3.4 V。
經本研究結果得知，使用奈米柱GaN/藍寶石基板所成長的GaN發光二極體與傳統GaN發光二極體有較佳的光電特性表現，且在此奈米柱GaN/藍寶石基板所成長的GaN發光二極體結構下，最佳的 n型GaN薄膜之濃度為1.6╳1019/cm3，並量測大電流密度注入條件下，能改善其電流擁擠現象，使電流分佈更為均勻，增加光輸出功率。

摘要(英)

This thesis investigation, we studied the growth of different concentrations of n-type GaN film on the nanorods GaN / sapphire substrate to improve the p-side-up mesa-structure GaN LED of the current crowding, expectations used in high current density to enhance the current spreading uniformity of GaN LED. First, Growth of different concentrations of n-type GaN film on the nanorods GaN / sapphire substrate, the surface morphology and structural characteristics were analyzed.
Next, we make use of theory to calculate the current distribution of different concentrations of n-type GaN film grown on the nanorods GaN / sapphire substrate.When the resistance of n-type GaN film and the transparent current layer were match so that the current is distributed will be even. Therefore, we grow high concentrations of n-type GaN film to reduce the resistance of n-type GaN film, but heavily Si-doped of n-type GaN film could made film quality has poor. So, we using nanorods GaN / sapphire substrate could effectively suppress the threading dislocation density by increasing Si-doped of n-type GaN film.
The measurement results revealed that GaN LED grown on nanorods GaN / sapphire substrate GaN substrate, at 20mA injection current, the optical output power was enhanced by 12%, respectively, compared to those of a conventional LED.We adjusted the different reisistance of n-type GaN film grown on nanorods GaN / sapphire substrate, the light output power was enhanced by 15%, because of changing n-type GaN film resistance could let the current distributed evenly.

關鍵字(中)

★ 發光二極體
★ 氮化鎵
★ 電流擴散

關鍵字(英)

★ GaN
★ LED
★ current spreading

論文目次

摘要　II
Abstract　IV
誌謝　VI
目錄　VIII
圖目錄　X
表目錄　XIII
第一章　緒論　1
1-1　前言　1
1-2　研究動機與目的　2
第二章　實驗原理與量測系統　4
2-1　實驗原理　4
2-1-1　霍爾效應　4
2-1-2　電流擴散原理　5
2-2　量測系統　8
2-2-1　掃描式電子顯微鏡　8
2-2-2　X-ray繞射儀　9
2-2-3　原子力顯微鏡　10
2-2-4　光激發光螢光光譜　11
2-2-5　電流-電壓量測系統　11
2-2-6　二維光強度影像分佈量測系統　11
第三章　利用OMVPE成長n型GaN薄膜於奈米柱GaN/藍寶石基板　13
3-1　奈米柱GaN/藍寶石基板之製程　13
3-2　成長不同濃度之n型GaN薄膜於奈米柱GaN/藍寶石基板　16
3-3　n型GaN薄膜量測與分析　18
3-3-1　n型GaN薄膜之霍爾系統量測分析　18
3-3-2　n型GaN薄膜之掃描式電子顯微鏡量測分析　20
3-3-3　n型GaN薄膜之X-ray繞射儀量測分析　20
3-3-4　n型GaN薄膜之表面形貌量測分析　21
3-3-5　n型GaN薄膜之單位面積蝕刻缺陷分析　22
3-3-6　n型GaN薄膜之穿透式電子顯微鏡量測分析　23
3-4　結論與分析　25
第四章　利用OMVPE成長GaN發光二極體薄膜於奈米柱GaN/藍寶石基板　27
4-1　GaN發光二極體之製程　28
4-2　GaN發光二極體之光電特性量測分析　31
4-2-1　GaN發光二極體之電特性分析　31
4-2-2　GaN發光二極體之光特性分析　33
4-2-3　GaN發光二極體之二維擴散長度分析　36
4-3　結論與分析　38
第五章　結論與未來研究方向　40
5-1　結論　40
5-2　未來研究方向　42
參考文獻　44

參考文獻

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指導教授

郭政煌(Cheng-Huang Kuo)

審核日期

2011-7-18

推文