參考文獻 |
[1] T. Shirakawa, Materials Science and Engineering:B. 91, 470 (2002).
[2] D. Schmitz, E. Woelk, G. Strauch, M. Deschler and H. Jürgensen, Materials Science and Engineering : B. 43, 228 (1997) .
[3] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 76, 12, 8189 (1994).
[4] H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 8, 12, L2112 (1989).
[5] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992), L139.
[6] G. Binnig, C. F. Quate, and Ch. Gerber, Phys. Rev. Lett. 56, 930 (1986).
[7] J. I. Pankove, E. A. Miller and J. E. Berkeyheiser, J. Lumin. 5, 84 ( 1972).
[8] Y. Koide, N. Itoh, K. Itoh, N. Sawaki and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1156 (1988).
[9] I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki, J. Crystal Growth 98, 209 (1989).
[10] S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
[11] S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
[12] X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
[13] X. H. Wu, D. Kapolnek, E. J. Tarsa, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 1371 (1996).
[14] X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, J. S. Speck and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).
[15] F. C. Frank, Acta. Crystallogr. 4, 497(1951).
[16] J. E. Northrup, L. T. Romano and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 74, 2319 (1999).
[17] S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
[18] B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
[19] T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Romano and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L398 (1998).
[20] S. J. Rosner, G. Girolami, H. Marchand, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, L. Zhao, S. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 2035 (1999).
[21] H. Marchand, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck and U. K. Mishra. J. Crystal Growth 195, 328(1998).
[22] C. Youtsey, L. T. Romano and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 73, 797 (1998).
[23] C. Youtsey, L. T. Romano, R. J. Molnar and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 74, 3537 (1999).
[24] S. J. Rosner and J. S. Speck, Physica B: Condensed Matter 273-274, 15, 24-32 (1999).
[25] J. Elsner, R. Jones, P. K. Sitch, V. D. Porezag, M. Elstner, T. Frauenheim, M. I. Heggie, S. Oberg and P. R. Briddon, Phys. Rev. Lett. 79, 3672 (1997).
[26] J. Elsner, R. Jones, M. I. Heggie, P. K. Sitch, M. Haugk, T. Frauenheim, S. Oberg and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 58, 12571 (1998).
[27] A. F. Wright and J. Furthmuller, Appl. Phys. Lett. 72, 3467 (1998).
[28] A. F. Wright and U. Grossner, Appl. Phys. Lett. 73, 2751 (1998).
[29] K. Leung, A. F. Wright and E. B. Stechel, Appl. Phys. Lett. 74, 2495 (1999).
[30] K. Seeger, Semiconductor Physics. (4th Edition ed.), Springer, New York (1989).
[31] N. S. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
[32] H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
[33] D. C. Look and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999).
[34] P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, E. J. Tarsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. DenBaars and J.S. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
[35] E. G. Brazel, M. A. Chin and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 74, 23672369 (1999).
[36] P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
[37] G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 75, 247 (1999).
[38] S. Nakamura, MRS Bull. 23, 37 (1998).
[39] T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2002).
[40] B. S. Simpkins, H. Zhang, and E. T. Yu, Materials Science in Semiconductor Processing. 9, 308 (2006).
[41] B. S. Simpkins, E. T. Yu, P. Waltereit, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 94, 1448 (2003).
[42] H. C. Lin, R. S. Lin and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 92, 161113 (2008). |