姓名 |
吳周霖(Chou-Lin Wu)
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機械工程學系 |
論文名稱 |
表面濺鍍銅之矽晶片其電鑄銅之表面形態研究 (Surface Morphology for copper Electroformed on a Cu-Sputtered silicon wafer)
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摘要(中) |
銅電鑄在焦磷酸浴中進行,電極以垂直或水平浸泡於電解液中。為增進電鑄過程中之質傳,水平配置之陰極設定在25rpm下旋轉,電解液噴流至陰極表面。本研究著重於矽晶片24個圖樣銅鍍層的均勻分布及每一個圖樣上銅鑄物的平坦與光滑。
研究顯示,垂直式電極進行電鑄僅能在一狹窄電流密度範圍(283Am-2)獲得均勻平滑銅鍍層,若以氣體進行攪拌,所得鍍層每一圖樣表面顆粒大小差異極大,電鑄均勻性不佳。
採用旋轉式陰極(轉速25轉/分)進行電鑄,結果在較大電流密度範圍(283∼848 Am-2),24個圖樣鍍層有極佳之均勻分布性,每一圖樣上銅鍍層晶粒細且平整(平均粗糙度14nm)。
若將電解液噴流於旋轉陰極表面,則電鑄之極限電流密度可以提升,擴大可用電鍍電流範圍;然而噴流對各圖樣鍍層均勻分布性及在每一圖樣中銅鍍層的平坦度並未增進。本研究並討論銅電鑄的溫度效應。
利用陰極旋轉搭配電解液噴流,可提高極限電流密度,且隨著電流密度提高,鍍層結構晶粒不太會隨著增加。 |
摘要(英) |
Electrodeposition conducted by stationary electrodes immersed vertically can only obtain a homogeneous flate deposit in a narrow range of current density (283Am-2). Agitation with air-bubbling is unsuitable for improving the homogeneity and flatness of the deposits.
Electrodoposition conducted via a rotation cathode (with 25 rpm) leads to a homogeneous deposit in a wider range of current density (283~848Am-2). In this method, the grains of deposit on each pattern are fine and the surface is smooth enough (Ra≒14nm). The limit current density for the rotating cathode electroforming system can be promoted with the aid of electrolyte injection. However, the homogeneity of the deposit and its flatness on each pattern are unaffected. Temperature effect on the copper electroforming was also discussed. |
關鍵字(中) |
★ 電鑄 ★ 銅 ★ 類-LIGA |
關鍵字(英) |
★ Electroforming ★ Copper ★ LIGA-like |
論文目次 |
目 錄
頁數
摘要 Ⅰ
誌謝 Ⅲ
目錄 Ⅳ
圖目錄 Ⅵ
第一章 緒論…………………………………………………………..1
第二章 文獻回顧與原理學說………………………………………..4
2.1LIGA與類LIGA之電鑄相關研究回顧……………………4
2.2原理學說…………………………………………………….. 5
第三章 實驗方法與步驟……………………………………………..13
3.1實驗前準備………………………………………………….14
3.2實驗流程…………………………………………………….16
3.3實驗設備……………………………………………………. 23
第四章 實驗結果……………………………………………………..26
4.1濺鍍銅膜厚度………………………………………………. 26
4.2光阻厚度關係……………………………………………….26
4.3顯影時間的影響…………………………………………….27
4.4陰陽極垂直浸泡於電解液之電鑄法……………………….28
4.5陰極旋轉碟電鑄…………………………………………….32
4.6陰極旋轉碟搭配電解液噴流下電鑄……………………….36
4.7XRD…………………………………………………………39
第五章 討論…………………………………………………………..41
5.1垂直液面置放方式………………………………………….41
5.2陰極旋轉之比較…………………………………………….42
5.3噴流下之影響……………………………………………….44
5.4電流效率之關係…………………………………………….44
5.5粗糙度之關係……………………………………………….45
5.6AFM掃描結果……………………………………………...46
5.7總結………………………………………………………….47
5.8邊際效應之影響…………………………………………….47
第六章 結論…………………………………………………………..49
第七章 參考文獻……………………………………………………..50
附圖………………………………………………………….53 |
參考文獻 |
1.林敏雄,吳清沂,陳健銘,黃瑞星,"我國微機電系統技術發展現況與展望",電子月刊,1999年7月號56∼80頁
2.李正國,"微機電技術與產品之演進看關連產業之前景",電子月刊,1999年7月號98∼109頁
3.楊啟榮,"微系統LIGA製程技術",科儀新知19卷第四期,4~17
4.Y. Shacham-Diamand,Y. Sverdlov,"Electrochemically deposited thin film alloys for ULSI and MEMS applications",Microelectronic Engineering 50,525-531,(2000)
5.魏任傑,"LIGA process 電鑄程序之電鑄鎳研究",清大化工碩士論文,1998
6.Alexander E. Braun,"Copper Electroplating Enters Mainstream Processing",SEMICONDUCTOR INTERNATIONAL,1999,April,58∼66
7.魏茂國,楊詔中,吳東權等,"平面線圈製程探討",第三屆奈米工程暨微系統技術研討會,1999年五月2-143∼2-151頁
7.魏茂國,楊詔中,吳東權等,"平面線圈製程探討",第三屆奈米工程暨微系統技術研討會,1999年五月2-143∼2-151頁
7.魏茂國,楊詔中,吳東權等,"平面線圈製程探討",第三屆奈米工程暨微系統技術研討會,1999年五月2-143∼2-151頁
10.S.G. dos Santos F,"Electroless and electro-plating of Cu on Si",Microelectronic Engineering 33 (59-64)
10.S.G. dos Santos F,"Electroless and electro-plating of Cu on Si",Microelectronic Engineering 33 (59-64)
10.S.G. dos Santos F,"Electroless and electro-plating of Cu on Si",Microelectronic Engineering 33 (59-64)
10.S.G. dos Santos F,"Electroless and electro-plating of Cu on Si",Microelectronic Engineering 33 (59-64)
14.Gerko Oskam, Philippe M. Vereeken, and Peter C. Searson, Electrochemical Deposition of copper on n-Si/Tin, Journal of The Electrochemical Society, 146(4) 1436-1441 (1999)
15.張瑞宗,"以厚膜光阻技術製備高縱橫比銅導柱之研究"交通大學材料科學研究所碩士論文,1999
16.李雅明,"固態電子學",全華科技股份有限公司,264∼269
17.Dieter K. Schroder,"Semiconductor Material and Device Characterization" 2~5
18.J. M. West,"Electrodeposition and corrosion processes",125∼128
19.Heinz Gerischer and Charles W. Tobias,"Advances in Electrochemical Science and Engineering" 171~204
20.J. OM. Bockris, D. M. Darzic,"Electro-chemical Science",Barnes and Noble Books,New York,1972
21.Eliezer Gileadi,"Electrode Kinetics",81∼97
22.Seah, C.H.; Mridha, S.; Chan, L.H.,"Growth morphology of electroplated copper: effect of seed material and current density",Interconnect Technology Conference, 1998. 157 -159
23.L. T. Romankiw,"A path : From Electroplating Through Lithographic Masks in Electronics to LIGA in MEMS" ,Electrochemical Acta,42(20)(1998),2985 |
指導教授 |
林景崎(Jing-Chie Lin)
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審核日期 |
2000-7-17 |
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