微量元素對低壓鋁電解電容器用
陽極鋁箔電解腐蝕舉動影響之研究

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黃信文(Hsin-wen Huang) 查詢紙本館藏

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機械工程學系

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微量元素對低壓鋁電解電容器用陽極鋁箔電解腐蝕舉動影響之研究
(The effect of rare elements to the anodic aluminum foil used in the low-voltage aluminum eletrolytic capacitor )

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摘要(中)

摘要
本論文研究的目的將著重於探討低壓高純度陽極鋁原箔中不同微量元素含量對於蝕刻後鋁箔腐蝕組織與靜電容量大小之影響，並對其電蝕時電化學舉動作詳盡之分析，以了解不同鋁原箔於電蝕過程中，電位、電流變化情形，以及孔洞形成與成長現象，並輔以更多學理上之解釋，藉此精確掌握鋁原箔微量元素對電蝕工程所造成之變化，以作為今後鋁電解電容器用陽極鋁箔製造與設計開發之重要參考。
對微量元素成分及含量不同之八種試片施以E1發孔、E2孔洞增殖之電蝕處理，經EIAJ規範進行化成後，量測其靜電容量與重量損失率。利用光學顯微鏡(OM)及掃描式電子顯微鏡(SEM)來觀察電蝕箔截面腐蝕形態及表面腐蝕孔洞分佈情形。藉由這些分析方法，來比較鋁原箔中不同微量元素含量所造成之腐蝕組織對鋁電解電容器用陽極鋁箔靜電容量之影響。
在電化學分析方面，藉由電化學分析儀(potentiostats /galvanostats for electrochemical research)來觀察不同微量元素之鋁原箔在電蝕時，電位及電流變化情形。藉由電位或電流變化，可判斷在各種條件下，腐蝕反應進行情形。再配合量測靜電容量與重量損失率以及觀察實際腐蝕狀況，可對不同微量元素鋁原箔在電蝕時之腐蝕性及電化學舉動做最完整探討。
由實驗結果得知：微量元素造成伽凡尼效應對於電蝕能力有所助益，但並不代表其有助於電蝕之擴面效果，亦即對靜電容量可能有正面幫助，亦可能會有負面影響。改變鋁原箔微量元素種類及添加量，會使孔洞增殖之緻密度不同，進而造成孔洞合併、鋸齒型界面、直線型界面等現象，所以擴面效果乃至於靜電容量都會因此而受到影響。

摘要(英)

Abstract
The rare elements contained in the high purity aluminum foils have significant influence during the aluminum foils etched process. In the thesis, the electrochemical behavior changed by different kinds and quantity of rare elements in the high purity aluminum foils used in the low voltage electrolytic capacitor has been studied.
There are eight kinds of samples use in the experiment. The foils were electrochemically etched at 50 Hz sinusoidal wave alternating current in HCl solution. The etched foils were formed at 20 Voltage in ammonium adipate solution and capacitance was measured by EIAJ specifications. For surface and cross section morphology studies, the samples were examined in the SEM and OM, respectively. The galvanostatic cyclic voltammetry method was applied to obtain the voltage-current curves by using the potentiostats/galvanostats. From the observation of etched microstructure and the electrochemical analysis, the effect and behavior of rare elements in the high purity aluminum foils during the etching process could be studied in detail.
In the results of the experiment, it was found that the growing up methods of the porous layer were different with the rare elements in the hight purity aluminum foils. The density of the porous was changed with the kinds and quantity of rare elements in the high purity aluminum foils. By this way, large pits、sawtooth interface、line interface may be appear in the porous layer to effect the capacitance.

關鍵字(中)

★ 低壓鋁電解電容器
★ 電蝕鋁箔
★ 微量元素
★ 交流電
★ 電化學舉動

關鍵字(英)

★ alternating current
★ rare elements
★ etching aluminum foil
★ electrochemical behaviors
★ low-voltage aluminum eletrolytic capacitor

論文目次

目錄
頁次
Abstract …………………………………………………………….. Ⅰ
摘要 ……………………………………………………………….. Ⅱ
目錄 ……………………………………………………………….. Ⅲ
表目錄 …………………………………………………………….. Ⅴ
圖目錄 …………………………………………………………….. Ⅵ
第一章緒論 ………………………………………………………. 1
一、序言 ……………………………………………………… 1
二、理論基礎與論文回顧 …………………………………… 3
2.1 電容器的基本構造與原理 …………………………... 3
2.2 增加陽極鋁箔表面積的方法 ………………………... 7
2.3 交流電蝕的機構與原理 8
2.4 鋁箔性質對電蝕工程之影響 ………………………... 8
2.4.1 微量元素 ………………………………………… 9
2.4.2 織構 (Texture) …………………………………… 10
2.4.3 差排密度 (Dislocation Density) ………………… 11
2.5 電蝕前處理之影響 …………………………………... 11
2.6 電蝕溶液之影響 ……………………………………... 12
2.6.1 氯離子在電蝕過程中的影響 …………………… 12
2.6.2 硫酸根離子在電蝕過程中的影響 ……………… 13
2.6.3 電蝕溶液之濃度控制 …………………………… 14
2.6.4 電蝕溶液之溫度控制 …………………………… 15
2.7 洗淨、後處理及乾燥的影響 ………………………... 15
2.8 化成處理……………………………………………….. 15
2.9 電蝕鋁箔之CV特性…………………………………... 16
第二章本文 ………………………………………………………. 17
一、前言 ……………………………………………………… 17
二、實驗步驟與方法 ………………………………………… 18
2.1 鋁原箔材料之選用及分析 …………………………… 18
2.2 電化學蝕刻處理 ……………………………………… 18
2.3 電蝕箔之化成處理…………………………………….. 19
2.4 靜電容量的量測……………………………………….. 19
2.5 腐蝕組織之觀察 ……………………………………… 20
2.5.1 腐蝕截面之觀察 …………………………………. 20
2.5.2 腐蝕表面之觀察 …………………………………. 20
2.6 電化學分析 …………………………………………… 21
三、結果與討論 ……………………………………………… 22
3.1 不同微量元素含量鋁原箔之電蝕結果……………….. 22
3.1.1 E1發孔之電蝕結果……………………………….. 22
3.1.2 E2孔洞增殖之電蝕結果…………………………... 23
3.2 不同微量元素含量鋁原箔之電化學舉動分析……….. 25
3.3 電蝕行為隨電蝕時間而產生之變化………………… 27
3.4 不同化成電壓對電蝕孔洞之影響……………………. 29
3.5 微量元素含量對鋁原箔電蝕舉動影響之模擬分析 30
四、結論 ……………………………………………………… 31
五、參考文獻 ………………………………………………… 33
表 …………………………………………………………….…….. 35
圖 …………………………………………………………….……. 37

參考文獻

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指導教授

歐炳隆(Bin-Lung Ou)

審核日期

2003-7-16

推文