矽/石英晶圓鍵合之研究

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姓名

王宏偉(Hong-Wei Wang) 查詢紙本館藏

畢業系所

機械工程學系

論文名稱

矽/石英晶圓鍵合之研究
(The study of silicon/quartz wafer bonding technology)

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摘要(中)

晶圓鍵合技術最吸引人之處是在於創作出各式複合式不同材質的晶圓基板，但是相異材料的熱膨脹係數所造成的熱應力，使晶圓對無法進行後續的熱處理製程。
在本研究討論為以對稱晶圓鍵合來取代傳統的非對稱鍵合，用以減少晶圓因熱應力導致的破壞情況，提高晶圓所能承受的熱處理溫度。本研究所用之晶圓片皆經由清洗處理後鍵合，最後置於熱處理爐中加熱。實驗結果發現，非對稱鍵合製程中的晶圓對，在加熱到達200℃時，晶圓就會產生破裂（crack）現象。若使用對稱鍵合中的晶圓對，加熱至300℃仍不會有crack產生。由此可知，對稱鍵合的確可以有效減少破裂情形發生，以利晶圓鍵合技術更廣泛應用在製作各式晶圓基板。

摘要(英)

What makes the wafer bonding technology so attractive is that it can integrate various substrates into a novel material, but the difference in thermal expansion coefficient among different materials results in thermal stress, which makes the subsequent thinning process for wafer pairs impossible.
The purpose of this paper is to study the effect of replacing the conventional wafer bonding technique with symmetrical wafer bonding technique for canceling peeling stresses so as to lesson the damage on the wafer surface and to raise the temperature of which the wafer can sustain. All the quartz and silicon wafers in the experiment were first cleaned and then bonded. Finally they were heated in a high temperature oven. The results indicate that, when the quartz-silicon bonding pairs were heated to 200℃, cracks appeared on the surface of the wafer pairs used in the asymmetric wafer bonding process, whereas no cracks turned up on the counterparts in the symmetrical bonding process even when the wafers were heated up to 300℃. Thus we can see that symmetrical bonding reduces cracks effectively and this technique can be used to fabricate a variety of substrates.

關鍵字(中)

★ 晶圓鍵合技術
★ 熱應力

關鍵字(英)

★ wafer bonding technology
★ thermal treatment

論文目次

中文摘要 ------------------------------------------------Ⅰ
英文摘要 ------------------------------------------------Ⅱ
誌謝 ----------------------------------------------------Ⅲ
總目錄 --------------------------------------------------Ⅵ
圖目錄 --------------------------------------------------Ⅷ
表目錄 --------------------------------------------------Ⅸ
第一章前言 ---------------------------------------------1
第二章文獻回顧 -----------------------------------------3
2.1 晶圓鍵合技術簡介 --------------------------------3
2.2 晶圓鍵合技術分類 --------------------------------4
2.2.1 直接鍵合法 ----------------------------------4
2.2.2 低溫鍵合法 ----------------------------------6
2.2.3 中間介質層鍵合法 ----------------------------8
2.2.4 陽極鍵合法 ----------------------------------9
2.3 晶圓鍵合技術之應用 ------------------------------9
2.3.1 晶圓鍵合法製作SOI基板 ---------------------10
2.3.2 晶圓鍵合法製作微感測器 ---------------------11
2.4 異質晶圓鍵合技術簡介 ---------------------------12
2.5 異質晶圓鍵合技術之應用 -------------------------12
2.5.1 砷化鎵/矽 ----------------------------------13
2.5.2 磷化銦/矽 ----------------------------------13
2.5.3 石英/矽 ------------------------------------14
2.5.4 玻璃/矽 ------------------------------------14
2.5.5 藍寶石/矽 ----------------------------------15
第三章電漿活化晶圓鍵合
3.1 實驗程序 ---------------------------------------32
3.1.1 晶圓準備 -----------------------------------32
3.1.2 直接晶圓鍵合製程 ---------------------------32
3.1.3 電漿活化鍵合實驗 ---------------------------33
3.1.4 鍵合能量測 ---------------------------------33
3.2 結果與討論 -------------------------------------33
3.2.1 直接晶圓鍵合 -------------------------------33
3.2.2 電漿活化晶圓鍵合 ---------------------------34
3.3 結論 -------------------------------------------35
第四章黏著晶圓鍵合
4.1 實驗程序 ---------------------------------------39
4.1.1 晶圓準備 -----------------------------------39
4.1.2 黏著鍵合實驗 -------------------------------39
4.2 薄膜厚度量測 -----------------------------------40
4.3 結果與討論 -------------------------------------40
4.4 結論 -------------------------------------------41
第五章矽/石英晶圓鍵合 ---------------------------------45
5.1 實驗程序 ---------------------------------------45
5.1.1 晶圓準備 -----------------------------------45
5.1.2 非對稱晶圓鍵合實驗（Si/Quartz） ------------45
5.1.3 對稱晶圓鍵合實驗（Quartz/Si/Quartz） -------46
5.2 結果與討論 -------------------------------------46
5.2.1 非對稱晶圓鍵合實驗（Si/Quartz） ------------46
5.2.2 對稱晶圓鍵合實驗（Quartz/Si/Quartz） -------47
5.3 結論 -------------------------------------------48
第六章總結 --------------------------------------------58
參考文獻 ------------------------------------------------61

參考文獻

【1】 G.K. Celler, “Applied physics reviews-focused review： Frontiers of silicon-on-insulator”, J. of Appl. Phys., Vol.93,No.9, pp.4955-4975（2003）
【2】 Hong Xiao,“Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology”, Prentice-Hall Inc., PP.53-299（1992）
【3】莊達人,”VLSI製造技術”, 高立圖書有限公司, pp.74-578（2004）
【4】 Jan Haisma and G .A.C.M Spierings, “Contact bonding, including direct-binding in a historical and recent context of materials science and technology, physics and chemistry. Historical review in a broader scope and comparative outlook”, Materials Science and Engineering ,R37, p.1~60,（2000）
【5】 R.G. Parker, A.J. Dalladay, Trans. Faraday Sic. Vol.12 pp.305-313,（1917）
【6】 R.G. Parker, A.J. Dalladay, Philos. Mag Vol.33 pp.276-286,（1917）
【7】 J.W. Obreimoff, Proc. Roy. Soc. A127, pp.290-297,（1930）
【8】 Q. –Y. Tong et al., Semiconductor Wafer Bonding：Science and Technology, John Wiley＆Sons, Inc. pp.17-221（1999）
【9】李天錫,”晶圓鍵合技術及其應用”, 工業材料雜誌170期, pp.146-157（2001）
【10】 Tien-His Lee, “Semiconductor thin film transfer by wafer bonding and advanced ion implantation layer splitting technologies”, Duke University, pp.100-121（1998）
【11】 U.M. Gösele. H. Stenzel. T. Martini. J. Steinkirchner. D. Conrad, and K. Scheerschmidt, Appl. Phys Lett. 67.3614（1995）
【12】 G.L. Sun, “Cool Plasma activated surface in silicon direct bonding technology”, J.de Physique 49（C4）, pp.79（1988）
【13】 J. Yang. H. Kahn, S.M. Phillips, and A.H. Heuer, ECS Meeting Abtracts, Vol. MA 99-2, 999（1999）
【14】劉俊賢、徐嘉彬,”晶圓鍵合製程及設備介紹”, 機械工業雜誌246期, pp182
【15】 Hitoshi Habuka, “Roughness of Silicon Suface Heated in Hydrogen Ambient”, J. Electrochem. Soc, Vol. 142, No.9, pp.3092-3097（1995）
【16】 M. Bruel, “Silicon on insulator material technology“, Electron. Lett., Vol.31, pp1201,（1995）
【17】 J. Angell, S. Terry, P. Barth, ”Silicon micromechanical device,” Scientific American Journal, 248, pp. 44-45, W. H. Freeman and Co, April,（1983）
【18】 E. Obermeier, “Anodic wafer bonding,” Semicoductor Wafer Bonding:Physics and Application III, Electrochem. Soc.,95-7,pp. 212-220,（1995）
【19】丁嘉仁,”晶圓異質接合技術介紹”, 機械工業雜誌245期, pp138~147
【20】 T.R. Chung, L. Yang, N. Hosoda, B. Takagi, T. Suga, “Wafer direct bonding of compound semiconductors and silicon at room temperature by the surface activated bonding method”, Appl. Surf. Sci. 117-118, p. 808,（1997）
【21】 T.R. Chung, L. Yang, N. Hosoda, B. Takagi, T. Suga, “Room temperature GaAa-Si and InP-Si wafer direct bonding by the surface activated bonding method”, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, Beam Interact. Mater. At., 121, p203,（1997）
【22】 Q. –Y. Tong, U.M. Gösele, “Ultrathin single-crystalline silicon on quartz by 150℃ wafer bonding“, Sensor and Actuators A 48, pp117~123,（1995）
【23】 P. Kopperschmidt, G. KaEstner, D. Hesse, N.D. Zakharov, U. GoEsele, Appl. Phys. Lett. 70（1997）2972.
【24】 G.P. Imthum, G.A. Garcia, H.W. Walker, L. Forbes, J. Appl. Phys. 72（1992）2526
【25】 T. Abe, K. Ohki, A. Uchiyama, K. Nakazawa, Y. Nakazato, Jpn. J. Appl. Phys. 33（Suppl. 1B）（1994）514.
【26】 F. Niklaus, G. Stemme, J. –Q Lu and R. J. Gutmann, “Adhesive wafer bonding“, Journal of applied physics 99, 031101 (2006)

指導教授

李天錫(Tien-Hsi Lee)

審核日期

2006-7-20

推文