| 姓名 |
黃國庭(Guo-Ting Huang)
查詢紙本館藏 |
畢業系所 |
機械工程學系 |
| 論文名稱 |
不同能量之離子束製作氧化矽層之成分與表面型態分析
(The study of surface morphology and composition of ion beam induced silicon oxide in different ion energy)
|
| 相關論文 | |
| 檔案 |
 [Endnote RIS 格式]
[Bibtex 格式]
 [相關文章]  [文章引用]  [完整記錄]  [館藏目錄]  [檢視] [下載]- 本電子論文使用權限為同意立即開放。
- 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的，進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
- 請遵守中華民國著作權法之相關規定，切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送，以免觸法。
|
| 摘要(中) |
利用二氧化矽作為絕緣層為目前半導體中最普遍的材料，本篇論文所採用的IBIO製程，在先前本實驗室已成功利用本系統在常溫及650℃的基板溫度下製作出二氧化矽層，先前的實驗結果顯示電流密度與曝氧濃度越大，形成二氧化矽的量也越多；且在常溫，曝氧1×10-4Torr，經電流密度4μA擊打4小時之條件下，所形成的SiO2濃度最多也最深。
本篇論文主要探討在常溫及650℃的基板溫度下，將總離子劑量固定在4.57 x1017ions/cm2，曝氧濃度皆為1×10-4Torr，期望藉由在不同的離子束能量(9keV、7keV、5keV)下，得到濃度較高的二氧化矽層並探討IBIO的成長模式。
實驗結果顯示，在常溫下，5keV的離子束在7.5nm之前可產生濃度較高的二氧化矽；其第一層的濃度高達98.1%，但9keV可形成較深層的二氧化矽。650℃下，形成二氧化矽的濃度與深度皆與離子束能量成正比。然而不管在常溫還是650℃下，矽晶圓經離子束撞擊過後，其表面皆隨著能量的增加而越粗糙。 |
| 摘要(英) |
Presently, silicon dioxide is the popular material for insulators in semiconductor. In this article, we use the technique Ion Beam Induced Oxidation(IBIO). Our laboratory had successfully been manufacturing Silicon dioxide use our system at substrate in room temperature and 650℃. Silicon dioxide will be growing as the ion beam current and oxygen increase. It shows that at room temperature, beam current 4μA, oxygen pressure at 1×10-4Torr, we can obtain the most silicon dioxide.
In this article, we treat the silicon substrate with different ion energy(9keV、7keV、5keV) at room temperature and 650℃.We fixed the ion dose at 4.57×1017ions/cm2, and oxygen pressure at 1×10-4Torr.
The result shows that at room temperature ion beam with the energy 5keV can produce more SiO2, and in top layer, the concentration of SiO2 is 98.1%. However, 9keV ion beam can produce SiO2 in deeper layer. At 650℃,the concentration of SiO2 is boosted as beam energy increase. In addition, the silicon surface will be rough after ion bombardment. The surface becomes more rough with beam energy increase. |
| 關鍵字(中) |
★ 離子束
★ 氧化矽 |
關鍵字(英) |
★ silicon oxide
★ IBIO |
| 論文目次 |
摘要.....................................................Ⅰ
目錄.....................................................Ⅲ
圖目錄..................................................Ⅵ
表目錄...................................................Ⅸ
第一章 緒論
1-1 前言..................................................1
1-2 研究動機與目的........................................2
1-3 各章摘要..............................................3
第二章 基本原理
2-1 離子源................................................4
2-2 熱氧化法與離子束製作氧化矽層..........................5
2-3 離子束氧化過程........................................5
2-4 熱效應................................................8
2-5 檢測儀器原理..........................................9
2-5-1 X光光電子能譜儀.................................9
2-5-2 原子力顯微鏡...................................11
第三章 實驗設備與實驗步驟................................13
3-1 實驗設備.............................................13
3-1-1 真空系統.......................................13
3-1-2 離子源系統.....................................14
3-1-3 曝氣系統.......................................15
3-1-4 加熱系統.......................................16
3-1-5 原子力顯微鏡...................................16
3-1-6 X光光電子能譜儀................................17
3-2 實驗步驟.............................................18
3-2-1 實驗準備階段...................................18
3-2-2 正式實驗階段...................................19
3-2-3 樣品檢測階段...................................20
3-3 實驗參數.............................................20
第四章 實驗結果與討論....................................26
4-1 XPS檢測結果..........................................26
4-1-1 表層全譜掃描結果...............................26
4-1-2 微區掃描與縱深掃描.............................29
4-2 離子束產生的效應.....................................35
4-2-1 常溫下離子束對二氧化矽產生之影響...............35
4-2-2 650℃下離子束對二氧化矽產生之影響..............35
4-3 離子束能量對生成氧化矽之影響.........................40
4-3-1 常溫下，能量對生成氧化矽之影響.................43
4-3-2 650℃下，能量對生成氧化矽之影響................46
4-3-3 溫度對生成氧化矽層之影響.......................48
4-4 AFM檢測結果..........................................51
4-1-1 常溫下，離子束能量對表面型態之影響.............51
4-1-2 常溫下，離子束能量對表面型態之影響.............54
第五章 結論..............................................55
參考文獻.................................................56 |
| 參考文獻 |
1.羅文雄，半導體製造技術，272-275頁，滄海書局，民國92。
2.P. Osiceanu, J.L. Alay, and W.De Coster. Inst. of Phys. Chem., Bucharest,”An ESCA Study on Ion Beam induced Oxidation of Si”
3.S.S. Todorov and E. R. Fossum, Appl. Phys. Lett., 52, 48 (1988).
4.G. Holmen and Harald Jacobsson, Appl. Phys. Lett. 53, 1838 (1998).
5.余錦順，離子束製作氧化層之化學成分與表面型態分析，碩士論文，民國95。
6.陳加展，熱效應對於離子束製作矽氧化層與表面型態的影響，碩士論文，民國95。
7.J.Wayne Rabalais, “Low energy Ion-surface Intercations”, p.393(1994)
8.Y. Yakakuwa, M. Nihei, T. Horie and N. Miyamoto, Journal of Non-Crystalline Solids 179, p345 (1994).
9.V. Murali and S.P. Murarka, J.Appl.phys.60,p2106(1986)
10.潘扶民，材料分析，Ch 13，中國材料學會 (1998)。
11.呂登復，實用真空技術，國興出版社，民國89。
12.NT-MDT Solver P47 Instruction Manual (NT-MDT Co., Moscow, Russia, 2002).
13.莊豐憶、楊思明，X光光電子/歐傑電子能譜儀簡介，國立中央大學化學工程與材料工程研究所，3-10頁。
14.F. Moulder, F. Stickle, E. sobol and D.Bomben, Handbook of X-ray photoelectron Spectronscopy (1995)
15.J.Wayne Rabalais, “Low energy Ion-surface Intercations”, p.424(1994) |
| 指導教授 |
李雄、李敬萱
(Shyong Lee、C.S.Lee)
|
審核日期 |
2007-7-15 |
| 推文 |
 facebook  plurk  twitter  funp  google  live  udn  HD  myshare  reddit  netvibes  friend  youpush  delicious  baidu
|
| 網路書籤 |
 Google bookmarks  del.icio.us  hemidemi myshare
|
