大面積發光二極體二維發光分佈之模擬與量測

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姓名

黃志銘(Chih-Ming Huang) 查詢紙本館藏

畢業系所

光電科學與工程學系

論文名稱

大面積發光二極體二維發光分佈之模擬與量測

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摘要(中)

摘要
發光二極體因具有省電、環保等多項優點，未來可望取代傳統照明成為新世紀的照明光源，因此世界各國對於Solid State Lighting皆存有相當大的期望，也陸續訂定相關規範要求業者提供適合的產品，相關製程技術研究的論文及文獻已有相當數量的累積，但是對其後續的下游封裝ヽ測試和應用設計內容至今仍不多見，因此本文便設計一快速量測LED照度分佈的實驗架構，用來快速檢測LED的光強分佈，並與傳統量測LED光強分佈的方法量得的結果比較，兩者的相關係數皆高達0.98以上，確定我們設計的量測方法是成功的，之後根據LED的資料與量測相關參數建構其光學模型，以提供此LED應用上的相關設計。

關鍵字(中)

★ 發光二極體

關鍵字(英)

★ LED

論文目次

目錄
摘要............................................................................................................Ⅰ
目錄............................................................................................................Ⅱ
圖索引........................................................................................................Ⅳ
第一章緒論................................................................................................1
1.1研究動機................................................................................1
1.2論文大綱與架構...................................................................2
第二章大面積發光二極體之發光分佈.................................................3
2.1發光二極體簡介...................................................................3
2.2大面積發光二極體...............................................................6
2.3發光分佈之模擬.................................................................13
第三章發光二極體照度分佈之量測...................................................15
3.1 CCD線性度之分析..............................................................16
3.2散射板之分析.....................................................................22
3.3一維量測與二維量測之比較............................................23
3.4討論......................................................................................33
第四章模擬與量測結果之比較............................................................34
4.1大面積發光二極體...............................................................34
4.2加上透鏡之光強分佈之模擬.............................................42
4.3發光二極體與NX05.............................................................48
4.4討論........................................................................................55
第五章結論..............................................................................................56
參考文獻....................................................................................................58
中英文名詞對照表...................................................................................60

參考文獻

參考文獻
1. Lumileds Lighting, http://www.lumileds.com.
2. M. R. Krames, M. Ochiai-Holcomb, G. E. Hofler, C. Carter-Coman, E. I. Chen, I.-H. Tan, P. Grillot, N. F. Gardner, H. C. Chui, J-W. Huang, S.A. Stockman, F. A. Kish, and M. G. Craford, “High-power truncated-pyramid (Al Ga ) In P/GaP light-emitting diodes exhibiting >50% external quantum efficiency,” Appl. Phys. Lett. 75, 2365 (1999).
3. J. J. Wierer, D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J. J. O’Shea, M. J. Ludowise, G. Christenson, T.-C. Shen, C. Lowery, P. S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N. F. Gardner, R.S. Kern, and S. A. Stockman, “High-power AlGaInN flip-chip lighting diodes,” Appl. Phys. Lett. 78, 3379 (2001).
4. Song Jae Lee, “Analysis of light-emitting diode by Monte Carlo photo simulation,” Appl. Opt. 40, 1427 (2001).
5. F. A. Kish, F. M. Steranka, D. C. DeFevere, D. A. Vanderwater, K. G. Park, C. P. Kuo, T. D. Osentowski, M. J. Peanasky, J. G. Yu, R. M. Fletcher, D. A. Steigerwald, M. G. Craford, and V. M. Robbins, “Very high-efficiency semiconductor wafer-bond transparent-substrate light-emitting diodes,” App. Phys. Lett. 64, 2839 (1994).
6. X. Guo, Y.-L. Li, and E. F. Schubert, “Efficiency of GaN/InGaN light-emitting diodes with interdigitated mesa geometry,” App. Phys. Lett. 79, 1936 (2001).
7. Hyunsoo Kim, Ji-Myon Lee, Chul Huh, Sang-Woo Kim, Dong-Joon Kim, Seong-Ju Park, and Hyunsang Hwang, “Modeling of a GaN-based light-emitting diode for uniform current spreading,” App. Phys. Lett. 77, 1903 (2000).
8. T. Wang, J. Bai, and S. Sakai, “Investigation of the emission mechanism in InGaN/GaN-based light-emitting diodes,” App. Phys. Lett. 78, 2617 (2001).
9. Daniel A. Steigerwald, Jerome C. Bhat, Dave Collins, Robert M. Fletcher, Mari Ochiai Holcomb, Michael J. Ludowise, Paul S. Martin, and Serge L. Rudaz, “Illumination with solid state lighting technology,” IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. Vol 8, 310, (2002).
10. X. Guo, and E. F. Schubert, “Current crowding and optical saturation effects in GaInN/GaN light-emitting diodes grow on insulating substrates,” App. Phys. Lett. 78, 3337, (2001).
11. Y.-L. Li, E. F. Schubert, and J. W. Graff, “Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN,” App. Phys. Lett. 76, 2728, (2000).
12. C. Huh, K. S. Lee, E. J. Kang, and S. J. Park, “Improved light-output and electrical performance of InGaN-based light-emitting diode by microroughening of the p-GaN surface,” App. Phys. Lett. 93, 9383, (2003).
13. 林昭穎, 發光二極體導光機構之研究, 中央大學光電所碩士論文, (2002).
14. 史光國, 現代半導體發光及雷射二極體材料技術, 全華科技, 台北, (2001).
15. 林宸生, 數位信號- 影像與語音處理, 全華科技, 台北, (2001).

指導教授

孫慶成(Ching-cherng Sun)

審核日期

2003-7-16

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