氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井之光學特性研究

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：30

、訪客IP：52.14.252.16

姓名

郭文泉(Wen-Quin Guo) 查詢紙本館藏

畢業系所

物理學系

論文名稱

氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井之光學特性研究

相關論文

★ 應力緩衝自聚性砷化銦量子點之電場調制反射光譜	★ 垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之光學特性研究
★ 自聚性砷化銦鎵量子點之光電特性	★ 熱退火處理之量子點的能階變化及其理論計算
★ 碲硒化鋅磊晶層之光學特性研究	★ 硒化鋅磊晶層之光學性質
★ 氮化銦鎵卅氮化鎵多層量子井發光二極體之電性研究	★ 低溫成長氮化鎵的光電性質
★ 自聚性矽鍺多層量子點光學特性研究	★ III--氮族半導體的極化電場效應
★ 應力緩衝層對砷化銦量子點侷限能階之影響	★ 砷化銦量子點在二維光子晶體中共振模態之光學特性研究
★ 高銦含量氮化銦鎵薄膜之光學性質研究	★ 氮化銦奈米柱之光學性質研究
★ 砷化銦鎵量子點在砷化鎵多面體結構之光學性質研究	★ 表面電漿子增強氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井結構之自發性復合速率探討

檔案

[Endnote RIS 格式]

[Bibtex 格式]

[相關文章]

[文章引用]

[完整記錄]

[館藏目錄]

[檢視]

[下載]

本電子論文使用權限為同意立即開放。
已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的，進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
請遵守中華民國著作權法之相關規定，切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送，以免觸法。

摘要(中)

由光激發螢光光譜中，我們觀察到氮化鎵能隙與氮化銦鎵量子井相關訊號。藉由螢光光譜的溫度變化，發現氮化銦鎵量子井相關訊號存在著一個不尋常的發光現象，隨著溫度的升高，其峰值能量的改變呈現著一個S型的能量變化。
藉由調制反射光譜的溫度變化，實驗結果發現氮化鎵能隙與量子井束縛能階躍遷訊號都是隨著溫度的升高，單純地往低能量偏移的現象。最後，比較調制反射光譜與螢光光譜的溫度變化，來探討氮化銦鎵量子井相關訊號的發光機制。

關鍵字(中)

★ 氮化銦鎵
★ 氮化鎵
★ 多層量子井

關鍵字(英)

論文目次

第一章簡介 …………………………………………………1
第二章氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井 ………………………7
2-1 應變的產生 ………………………………………………8
2-2 極化場 ……………………………………………………10
2-3 氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井及其能帶構 ………………14
第三章實驗方法 ………………………………………………17
3-1 氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井結構之成長 ………………17
3-2 光激發螢光光譜之實驗裝置 ……………………………20
3-3 電場調製反射光譜之實驗裝置 …………………………23
3-4 光調製反射光譜之實驗裝置 ……………………………24
第四章實驗結果與討論 ……………………………………27
4-1 光激發螢光光譜 …………………………………………27
4-1-1 螢光光譜變溫實驗 ……………………………………27
4-2 電場調制反射光譜 ………………………………………41
4-2-1 電場調制反射光譜變溫實驗 …………………………42
4-3 螢光光譜與電場調制光譜溫度變化之比較 ……………42
4-4 銦含量不同之樣品比較 …………………………………51
第五章結論 …………………………………………………60
參考文獻 ……………………………………………………61

參考文獻

[1] S. Yoshida, S. Misawa, and S.Gonda, Appl. Phys. Lett. 42, 427 (1983)
[2] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyota, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986); H. Amano, I. Akasaki, T.Kozawa, K. Hiramatsu, N. Sawaki, K. Ikeda, and Y. Ishi, J.Lumin. 40-41, 121 (1988); I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide,
K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 98, 209 (1989)
[3] H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 28, L2112 (1989)
[4] H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 29, L205 (1990)
[5] S. Nakamura, J. Appl. Phys. 30, 1705 (1991)
[6] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 34, L1332 (1995)
[7] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996)
[8] S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996)
[9] Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997)
[10] Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997)
[11] P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997)
[12] P. Riblet, H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, T. Sugano, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 75, 2241 (1999)
[13] Y. -H. Cho, G. H. Gainer, A.J. Fisher, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998)
[14] T. Wang, H. Saeki, J. Bai, T. Shirahama, M. Lachab, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 76, 1737 (2000)
[15] K. Uchida, T. Tang, S. Goto, T. Mishima, A. Niwa, and J. Gotoh, Appl. Phys. Lett. 74, 1153 (1999)
[16] C. Kisielowski, in Semiconductor and Semimetals, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas, Vol. 57, pp 275-317
[17] I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996)
[18] S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. Lett. 87, 965 (2000)
[19] J. L. Sanchez-Rojas, J. A. Garrido, and E. Mu?oz, Phys. Rev. B 61, 2773 (2000)
[20] F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, 10024 (1997)
[21] P. Lantenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 35, 9174 (1987)
[22] C. F. Li, Y. S. Huang, L. Malikova and H. Pollak, Phys. Rev. B 55, 9251 (1997)
[23] L. Bergman, M. Dutta, M. A. Stroscio, S. M. Komirenko, C. J. Eiting, D. J. Lambert, H. K. Kwon, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 76, 1969 (2000)

指導教授

徐子民(Tzu-Min Hsu)

審核日期

2000-7-13

推文