金屬氧化物製備應用於軟性電子元件

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：84

、訪客IP：3.138.105.41

姓名

劉修豪(Xsiu-Hao Liu) 查詢紙本館藏

畢業系所

電機工程學系

論文名稱

金屬氧化物製備應用於軟性電子元件
(The application of metal oxide for flexible electronic components)

相關論文

★ 以熱熔異質磊晶成長法製造之鍺光偵測器	★ 在SOI基板上以快速熱熔法製造高品質鍺及近紅外線光偵測元件之研製
★ 鉭錳合金及銅鍺化合物應用於積體電路後段製程中銅導線之研究	★ 快速熱熔磊晶成長法製造側向PIN(Ge-Ge-Si)光偵測器
★ 二維薄膜及三維塊材Seebeck係數量測	★ 塊材、薄膜與奈米線之熱導係數量測方法探討
★ 以快速熱熔異質磊晶成長法製作鍺矽累增型光偵測器	★ 以快速熱熔融磊晶成長法製作鍺錫合金PIN型光偵測器
★ 利用火花電漿燒結法製備以矽為基底之奈米材料於熱電特性上之應用研究	★ P型金屬氧化物薄膜的製備應用於軟性電子
★ 超導材料釔鋇銅氧化物熱電特性量測分析	★ 鎂矽錫合金熱電特性研究及應用
★ 矽基熱電模組開發及特性研究	★ P型金屬氧化物與硫化物之研究
★ 物聯網之熱感測器應用	★ P型金屬氧化物與硫化物合金薄膜之研究

檔案

[Endnote RIS 格式]

[Bibtex 格式]

[相關文章]

[文章引用]

[完整記錄]

[館藏目錄]

至系統瀏覽論文 ( 永不開放)

摘要(中)

近年來，由於軟性電子元件低成本、輕、薄、短、小及符合人因工程的產品日漸成熟，引發電子產業一股新的熱潮，元件品質也漸漸被社會大眾期待且要求，因此許多研究開始朝著元件本身的材料開發前進，希望能藉由材料的進步，使產品能有超出預期突破。本研究有別於一般水熱法或溶膠凝膠法製備P-type粉末的方式，主要透過共沉積法的方式作摻雜，再利用濾紙將沉積在底部的粉末過濾，之後將過濾完的粉末收集起來，將粉末在800℃下作熱退火處理，製備 P-type 的氧化鋅粉末，突破以往因氧化鋅 N-type 的特性限制的發展性，並利用多種分析儀器作測量與驗證，如X-ray繞射圖分析可得知，隨著摻雜濃度的改變，摻雜粉末的訊號會產生偏移，得證摻雜粉末的極性，再將粉末送往掃描式電子顯微鏡(SEM)及穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察，希望能藉由了解粉末的結構與結晶性，在未來能夠突破形成重摻雜P-type 粉末。

摘要(英)

In 2005, IEEE conference brought out the idea of flexible electronics, that could be much more humanity to solve the problem of rigid substrate fragmentation or hard to carry and other issues. Last few years, the rise of wearable electronics is undoubtedly caused a boom and flexible electronics will also bound towards more light, thin, transparent and other aspects of development. ITO, the most commonly used in transparent film, lacks in resources and is unstable in market. However, zinc oxide, that is resource-rich, becomes more popular in study. Therefore, the modulation doping of zinc oxide is the research object in this paper.
This work studied the production of p-type ZnO by chemical dissociation method. The filtered powders were annealed at 800 ℃. XRD and EDS were conducted to identify the chemical composition. P-type zinc oxide powder was achieved. The p-type characteristics was also investigated by Hall measurement.

關鍵字(中)

★ 軟性電子
★ 氧化鋅
★ 金屬氧化物

關鍵字(英)

★ p-type
★ Doped ZnO
★ flexible electronic

論文目次

中文摘要……………………………………………………………................. I
Abstract………………………………………………………………...............II
致謝…………………………………………………………………... ..............III
目錄…………………………………………………………………... ...............IV
圖表目錄……………………………………………………………......... ........V
第一章緒論…………………………………………………………....... ........1
1-1 前言………………………………………………………........... 1
1-2 研究動機與目的…………………………………………...... 2
第二章理論基礎與文獻回故…………………………………….......... 4
2-1 氧化鋅基本特性與應用………………………………….... 4
2-2 氧化鋅摻雜介紹…………………………………………....... 6
2-3 熱壓燒結法………………………………………………........ 7
2-4 酸鹼中和…………………………………………………......... 9
2-5 化學共沉澱法……………………………………………........ 9
第三章實驗流程與實驗儀器……………………………………….. .......10
3-1 實驗器材介紹…………………………………………… .......10
3-2粉末製作流程…………………………………………… .......19
第四章實驗結果與分析……………………………………………........... 28
4-1 粉末量測結果分析………………………………………...... 28
4-2 結論與未來展望…………………………………………....... 33
參考文獻……………………………………………………………................. 34

參考文獻

﹝1﹞蔡金津、侯維新,“國際軟性電子技術最新發展”，工業材料雜誌 256 期
﹝2﹞黃桂武,“軟性電子主動元件材料技術發展現況(上)”，工業材料雜誌 263 期
﹝3﹞賈禹華,“軟性電子之市場展望”,工業材料雜誌第 263 期
﹝4﹞何建志,“摻雜鋁之 p-type 氧化鋅薄膜特性分析”,國立台北科技大學光電工程學系碩士論文(2007)
﹝5﹞E. Fortunato, A. Pimentel, L. Pereira, “High field-effect mobility zinc oxide thin film transistors produced at room temperature”, J. Non-Cryst. Solids, 338–340, 806–809, 2004.
﹝6﹞姚潔宜,“低溫燒結氧化鋅奈米薄膜之特性研究”,國立台北科技大學製造科技研究所碩士學位論文(2006)
﹝7﹞林偉祺,“水溶液法成長氧化鋅薄膜及其薄膜電晶體製作”, 國立交通大學工學院專班半導體材料與製程設備組碩士論文
﹝8﹞蔡岳雲,“二維薄膜及三維塊材 Seebeck 係數量測”,國立中央大學電機工程學系碩士班論文(2015)
﹝9﹞江泰真空,“真空燒結設備”
﹝10﹞光洋應用材料科技股份有限公司,“粉末冶金”熱壓成形(2008)
﹝11﹞林鴻明,奈米材料合成技術,大同大學工業工程學系,奈米課程材料教材,1- 5(2003)
﹝12﹞P. Sigmund, “Theory of Sputtering. I. Sputtering Yield of Amorphous and Polycrystalline Targets,” Phys. Rev., Vol. 184, Iss. 2, pp. 383-416, 1969.
﹝13﹞林麗娟,“X 光繞射原理及其應用”,工業材料 86 期,P100-P109 (1994)
﹝14﹞B.J. Inkson, “2 – Scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM) for materials characterization,” Materials Characterization Using Nondestructive Evaluation (NDE) Methods, PP. 17-43, 2016.
﹝15﹞M.M. Can,S. I. Shah, T. Firat,“The formation of anomalous Hall effectdepending on Watoms in Znothin films,”Appl. Surf. Sci.,Vol. 303, PP. 76-83, 2014.
﹝16﹞Kazunori Minegishi, Yasushi Koiwai, Yukinobu Kikuchi, Koji Yano, Masanobu Kasuga, and Azuma Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997)L1453.
﹝17﹞Woo-Jin Lee, Joongoo Kang, K.J. Chang, Physica B, 376-377 (2006)699.
﹝18﹞ Xin-Li Guo, Hitoshi Tabata, Tomoji Kawai, J. Cryst. Growth, 223(2001) 135.
﹝19﹞ M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Appl. Phys. Lett. 74 (1999)2534.
﹝20﹞Xiurong Qua, Wen Wang, Shuchen Lv, Dechang Jia ,“Thermoelectric properties and electronic structure of Al-doped ZnO” , Solid State Communications 151 (2011) 332- 336.
﹝21﹞ K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, S. J. Park, Appl. Phys.Lett. 83 (2003) 63.
﹝22﹞C. H. Park, S. B. Zhang, and Su-Huai Wei, Phys. Rev. B, 66 (2002)073202.

指導教授

辛正倫(Chun-Lun Hsin)

審核日期

2016-10-17

推文