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姓名	洪聖均(Sheng-Chun Hung)  查詢紙本館藏	畢業系所	物理學系
論文名稱	氮化鎵異質結構場效電晶體中矽化鎢金屬接觸之溫度效應 (Thermal Effect of WSi Metal Contacts for GaN HFETs)
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摘要(中)	摘要 本論文針對氮化鎵異質結構場效電晶體以不同的金屬作為元件的閘極金屬之高溫操作的特性分析與探討。製作電元件一般的傳統製程是利用乾式蝕刻的技術，我們以質量較重的鎂離子經由離子佈植技術，以高能量，高摻雜量佈植進入材料內使其形成絕緣區。以簡化元件的製程。 在閘極金屬的選擇方面，我們採取共同濺鍍（co-sputter）的技術，藉由調變成長功率來控制矽化鎢金屬的矽含量。並發現隨著矽含在氮化鎵表面所形成的蕭特機位障會有下降的趨勢。且只要x值<0.5以下，其所形成的蕭特機位能障就會高於一般常用的閘極金屬，鎳/金（Ni/Au）。 在元件的高溫熱穩定性方面，以矽化鎢金屬或者是以鎳/金作為閘極金屬的元件都會有飽和電流以及直流增益隨著溫度升高而下降的特性，這應該與閘極金屬較無關係，而與材料本身之電子遷移率下降有關。但以矽化鎢作為閘極金屬的元件會有較好的電流調制較果以及其高溫熱穩定性也會較佳。
摘要(英)	In this work WSi and Ti/Al/Ti/Au films were prepared using sputter and electron beam evaporation to form Schottky contacts as gate metal on GaN HFET.The thermal stability of WSi on GaN was also investigated under high temperature operation.The effect Schottky barrier height of WSi was greater than Ti/Al/Ti/Au when the composition of Si is less than 0.6.Result presented herein indicate that WSi gate may be much more thermal stable than Ti/Al/Ti/Au gate.
關鍵字(中)	★ 氮化鎵 ★ 矽化鎢	關鍵字(英)	★ GaN HFET ★ WSi ★ Thermal
論文目次	目錄 摘要………………………………………………………………I 致謝……………………………………………………………….II 第一章 導論………………………………………1 1-1 簡介………………………………………………………1 1-2 研究動機 …………………………………………………2 第二章 離子佈植氮化鎵異質結構場效電晶體…4 2-1 離子佈植理論……………………………………………4 2-2 氮化鎵異質結構場效電晶體工作原理及構造…………8 第三章 離子佈植氮化鎵異質結構場效電晶體的製程 3-1 元件工作平臺製作………………………………………15 3-2 離子佈植製程……………………………………………16 3-3 熱處理……………………………………………………17 3-4 汲極和源極歐姆接觸電極之製作………………………18 3-5 閘極矽化鎢蕭特機金屬的製作…………………………19 第四章 不同閘極金屬之元件變溫特性量測..24 4-1 變溫霍爾量測……………………………………………24 4-2 特徵接觸電阻的量測……………………………………25 4-3 蕭特機位能障的量測……………………………………29 4-4 變溫電流-電壓特性曲線之量測………………………31 4-5 變溫互導值的量測………………………………………33 第五章 結論與未來工作…………………………47 參考文獻……………………………………………50
參考文獻	參考文獻 [1] X.A.Cao,S.J.Pearton,and F.Ran “Advanced Processing of GaN for Electronic Devices”,Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences,25(4):279-390(2000) [2]K.Fricke,Hans L.Hartnagel “A New GaAs Technology for Stable FET’s at 300℃”IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,VOL 10,pp.577-579(1989) [3]Badih El-Kareh,”Fundamentals of Semiconductor Processing Technologies”,CH.6 Ion-Implantation,p.353. [4]S,M,Sze,”VLSI Technology”,Ch.7 Ion-Implantation,p.327 [5]J.Lindhard,M.Scharff,H.Schiott,”Rang Concepts And Heavy Ion Ranges”,Mat.Fys.Med.Dan.Vid Selsk,Vol.33,Np.14,1963,p.1. [6]S,M,Sze,”Semiconductor Devices Physics and Technology”,Chap.10,John Wiley & Sons,1985 [7]M.A.Shahid,M.Anjum,B.J.Sealy,”Annealing of Ion-Implanted Ga0.47In0.53As”,Radiation Effects Letters,Vol.86,1984,9.87. [8]Mulpuri V.Rao,”Rapid isothermal annealing of high- and low-energy ion-implanted InP and In0.53Ga0.47As”,IEEE Trans.Electron.Device Lett.,Vol.39,No.1,1992,p.160. [9]R.A.Moline,J.Applied Physics,Vol.42,pp.3553,1973. [10] 紀國鐘，蘇炎坤 “光電半導體技術手冊“p.343.2002. [11] 紀國鐘，蘇炎坤 “光電半導體技術手冊“p.338-350.2002. [12]S.J.Lee and C.R.Crowell,”Parasitic source and drain resistance in high-electron-mobility transistor”,Solid-state Electron,Vol.28,p.659-668,1985 [13]Dieter K.Schroder,Semiconductor Material and Device Characterization,Wiley-Interscience,1990. [14]J.K.Sheu and Y.K.Su “Effects of thermal annealing on the indium tin oxide Schottky contacts of n-GaN,Applied Physics Letters,Vol.72,pp.3317,1998.
指導教授	紀國鐘(G.C.Chi)	審核日期	2003-7-20
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