以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：30

、訪客IP：3.145.57.5

姓名	蔡旻倪(Min-Ni Tsai)  查詢紙本館藏	畢業系所	電機工程學系
論文名稱	異質接面雙極性電晶體VBIC模型建立及其功率特性模擬 (Heterojunction Bipolar Transistor VBIC Model Establish and Power simulation)
相關論文	★ 磷化銦異質接面雙極性電晶體元件製作與特性分析 ★ 氮化鎵藍紫光雷射二極體之製作與特性分析 ★ 氮化銦鎵發光二極體之研製 ★ 氮化銦鎵藍紫光發光二極體的載子傳輸行為之研究 ★ 次微米磷化銦/砷化銦鎵異質接面雙極性電晶體自我對準基極平台開發 ★ 以 I-Line 光學微影法製作次微米氮化鎵高電子遷移率電晶體之研究 ★ 矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體 通道層與緩衝層之成長與材料特性分析 ★ 磊晶成長氮化鎵高電子遷移率電晶體 結構 於矽基板過程晶圓翹曲之研析 ★ 氮化鎵/氮化銦鎵多層量子井藍光二極體之研製及其光電特性之研究 ★ 砷化銦量子點異質結構與雷射 ★ 氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體研製與特性分析 ★ p型披覆層對量子井藍色發光二極體發光機制之影響 ★ 磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體鈍化層穩定性與高頻特性之研究 ★ 氮化鋁中間層對氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體之影響 ★ 不同濃度矽摻雜之氮化鋁銦鎵位障層對紫外光發光二極體發光機制之影響 ★ 二元與四元位障層應用於氮化銦鎵綠光二極體之光性分析
檔案	[Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載] 本電子論文使用權限為同意立即開放。 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的，進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。 請遵守中華民國著作權法之相關規定，切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送，以免觸法。
摘要(中)	本論文主要是針對異質結構雙載子電晶體建立其VBIC model。 在大訊號模型建立上，我們利用ICCAP量測系統量測所需要的圖形如：順向gummel-plot、逆向gummel-plot、共射極直流輸出特性曲線…等；在接面電容量測上，將8510當作一個C-V量測系統；在小訊號S-參數模型建立上，同樣利用8510向量網路分析儀來量測S-參數。 在量測完所需要的圖形之後，利用ADS模擬軟體將模型參數萃取出來，並建立出完整的VBIC model，利用該模型模擬元件包括直流、交流…等特性，確認模型參數是否正確、元件在線性特性上的表現為何…等。 此外，模擬亦包括了自我加熱效應的部分。 其次，分別量測元件在不同溫度下的直流工作情形，建立出VBIC model中關於溫度的相關參數，目的是為了使得該元件不論是在何種溫度操作下，都能保持其模型穩定性，不會有誤差產生。 最後，利用負載-拉移量測找出元件最大輸出功率點為何，並進而量測出在不同輸入功率下所對應的輸出功率，並得到元件的功率增益及功率附加效率，以得知元件在功率特性的表現為何。 接著再利用所建立的VBIC model做關於功率特性方面的模擬，以得知大訊號模型是否能正確模擬元件的非線性特性。 在量測與模擬上，皆包含了固定偏壓與不同偏壓的部分。
關鍵字(中)	★ 異質接面雙極性電晶體 ★ 功率特性	關鍵字(英)	★ VBIC model ★ HBT
論文目次	第一章 導論 第二章 VBIC Model電流分析 2.1 VBIC model等效電路介紹 2.2 VBIC model直流方程式 2.3 討論 第三章 VBIC model參數萃取 3.1 寄生電阻參數萃取 3.1.1 射極端寄生電阻值量測與萃取 3.1.2 集極端寄生電阻值量測與萃取 3.1.3 基極端寄生電阻值量測與萃取 3.2 直流參數量測與萃取 3.2.1 順向Gummel-plot 參數萃取 3.2.2 逆向Gummel-plot 參數萃取 3.3 共射極直流輸出特性曲線參數萃取 3.3.1 未考慮自我加熱效應 3.3.2 考慮自我加熱效應 3.4 接面電容參數萃取與量測 3.5 傳輸時間參數萃取 3.6 大訊號模型建立與參數確認 第四章 VBIC model 量測與模擬結果 4.1 量測設定 4.2 測試片量測與模擬結果 4.2.1 直流量測與模擬結果 4.2.2 S-參數量測與模擬結果 4.2.3 截止頻率模擬結果 4.3 討論 第五章 溫度參數萃取與模擬 5.1 溫度參數對HBT模型的影響 5.2 VBIC model溫度參數關係式 5.3 元件不同溫度點量測與模擬結果 5.4 討論 第六章 功率特性量測與模擬 6.1 移位-負載(Load-Pull)量測 6.2 輸入功率與輸出功率關係之模擬 6.3 直流偏壓點選擇 6.4 功率特性量測與模擬結果 6.5 不同偏壓點功率特性量測與模擬結果 6.6 討論 第七章 結論 附錄A： VBIC model參數表示法及其物理意義 附錄B: VBIC model與Gummel-Poon model電流表示法比較 附錄C： VBIC model參數值 參考資料
參考文獻	參 考 資 料 [1] Colin McAndrew, et al. ”VBIC95:An Important Vertical, IC Bipolar Transistor Model” IEEE BCTM 1995 [2] Colin McAndrew, et al. ”VBIC95,The Vertical Bipolar Inter-Company Model” IEEE Journal of Solid-State Circuit Vol.31 no.10 Oct 1996 [3] Adam DiVergilio, Peter Zampardi, and Kim Newton“VBIC:A New Standard in Advanced Bipolar Modeling”IBM Microelectronics Fourth Quarter 1999 [4] Q.M.Zhang, Huntao Hu, John Sitch, R.K.Surridge, and Jimmy M.Xu,“A New Large Signal HBT Model”IEEE trans. MTT. Vol.44 no.11 Nov. 1996 [5] Akhil Garlapati, Student Member, IEEE, and Sheila Prasad, Senior Member “A Unified Model for Single/Multi finger HBTs Including Self-Heating Effects”IEEE trans. MTT. Vol.49 no.1 Jan. 2001 [6] Yu Zhu, et al. “Self-Heating Effect Compensational HBTs and Its Analysis and Simulation”IEEE TED. Vol.48 no11 Nov.2001 [7] 朱昌榮 ”異質接面雙極性電晶體之等效電路模型建立與其在射頻電路之應用”碩士論文, 國立中央大學, 民國88年 [8] Xiaochong Cao, J. McMacken, K. stile, P. Layman, Juin J. Liou, Adelmo Ortiz-Conde, senior Member, IEEE, and S. Moinian “Comparison of the New VBIC and Conventional Gummel-Poon Bipolar Transistor Models” IEEE trans. on Electron Devices, vol.47 no.2 Feb. 2000 [9] X. Cao, J. McMacken, K. stile, P. Layman, J. J. Liou, A. Sun, and S. Moinian “Parameter Extraction and Optimization for New Industry Standard VBIC Model”ASDAM’98,2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice Catsle, Slovakia, 5-7 Oct 1998 [10] Morten Olavsbråten “A Practical Method of Parameter Extraction for the VBIC Model used on GaAs HBT”GAAS2000 Conference Proceeding [11] Morten Olavsbråten ”Parameter Extraction and Evalution of the Bias Dependence of Tf, for the VBIC Model used on GaAs HBT” GAAS2001 Conference Proceeding [12] Steve P. Marsh, Senior Member, IEEE “Direct Extraction Technique to Derive the Junction Temperature of HBT’s Under High Self-Heating Bias Condiction” IEEE TED, vol.47 no.2 Feb 2000 [13] Marcel Tutt, Motorola DigitalDNA Lab. “GaAs Based HBT Large Signal Modeling Using VBIC for Linear Power Amplifier Applications” IEEE BCTM3.2 [14] S.V.Cherepko, J.C.M.Hwang “VBIC Model Applicability and Extraction Procedure for InGaP/GaAs HBT” Proceeding for APMC2001, Taipei [15] W.J.Kloosterman “Comparison of Mextram and the Vbic95 bipolar transistor model” Philips Electronics N.V. 1996 [16] IC-CAP Toolkit for VBIC [17] IC-CAP 2001 High Frequency Model Tutorials [18] IC-CAP 2001 Nonlinear Device Models [19] Diploma Thesis “Modeling the Heterojunction Bipolar Transistor with VBIC” Jan. 2000 [20] Sergey Cherepko and James Hwang ”Model Extraction Procedure for InGaP/GaAs HBTs” [21] J.J. Liou and J.S. Yuan“Physical-based lrge–signal heterojunction bipolar transistor model circuit simulation”IEE Proceedings-G, vol.138 no.1 Feb. 1991 [22] Apostolos Samelis and Dimitris Pavlids“Analysis of the Large-Signal Characteristics of Power Heterojunction Bipolar Transistors Exhibiting Self-Heating Effects”IEEE trans. on MTT, vol.45 no.4 April 1997
指導教授	綦振瀛(Jen-inn Chyi)	審核日期	2003-1-15
推文	facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu
網路書籤	Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare