![]() |
|
以作者查詢圖書館館藏 、以作者查詢臺灣博碩士 、以作者查詢全國書目 、勘誤回報 、線上人數:83 、訪客IP:3.138.122.162
姓名 葉宗容(Tsung-Jung Yeh) 查詢紙本館藏 畢業系所 電機工程學系 論文名稱 矽化鎢應用於閘極金屬對元件熱穩定度以及微波射頻開關之製作與研究
(The thermal stability of WSi/Ti/Au gate and RF switch)相關論文 檔案 [Endnote RIS 格式]
[Bibtex 格式]
[相關文章]
[文章引用]
[完整記錄]
[館藏目錄]
[檢視]
[下載]
- 本電子論文使用權限為同意立即開放。
- 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
- 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。
摘要(中) 摘要
本論文首先分析Ti/Au閘極金屬的DCFET在經過高溫製程後在直流、高頻與功率方面的特性改變,更提出閘極的金屬擴散模型,以解釋元件特性的改變。接著藉由WSix作為閘極的擴散阻隔層(diffusion barrier layer),我們去分析它及時升溫的直流、高頻、小訊號參數、功率以及延遲時間的特性,最後再輔以可靠度的分析,來比較以WSix為閘極擴散阻隔層的元件與以Ti/Au為閘極金屬的元件之熱穩定度。
在微波射頻開關上,我們首先介紹所選擇的串並接單埠單通(SPST)射頻開關,以及其工作原理。藉由高低三分貝頻的分析,我們更可以決定微波射頻開關元件的尺寸大小,爲開關的阻隔特性作一最佳的匹配,將來以應用在微波射頻收發模組上。摘要(英) In this paper we first analyze the DC, RF and power characteristics vibration of DCFET after high temperature process, and demostrate the gate metal diffusion model to explain the changing performance.Then we use WSi for diffusion barrier of gate metal and analyze thier performances at different temperature.Finally, we compare the thermal stability of Ti/Au and WSi/Ti/Au gate.
At the part of RF switch, first we introduce the application of RF switch and thier operation theorem. We can optimize the characteristic of isolation by choosing the dimension of switch devices for RF Tx/Rx module.關鍵字(中) ★ 矽化鎢
★ 電晶體
★ 熱穩定度
★ 可靠度關鍵字(英) ★ WSi
★ Transistor
★ thermal stability
★ reliability論文目次 目錄
第一章 緒論
§1.1 研究動機…………………………………………………………...1
§1.2 論文架構…………………………………………………………...2
第二章 通道摻雜場效應電晶體之製作與高溫製程之影響
§2.1 簡介………………………………………………………………...4
§2.2 通道摻雜場效應電晶體工作原理………………………………...4
§2.3 通道摻雜場效應電晶體製作流程………………………………...7
§2.3.1 歐姆接觸………………………………………………………7
§2.3.2 元件隔離蝕刻…………………………………………………9
§2.3.3 元件金屬連接線……………………………………………..10
§2.3.4 閘極掘入以及蕭基接觸……………………………………..11
§2.3.5 BCB 鈍化層………………………………………………….11
§2.4元件量測結果與高溫製程對其之影響…………………………..14
§2.4.1直流及高頻量測結果………………………………………...14
§2.4.2功率量測結果………………………………………………...18
§2.4.3 閘極金屬滲入模型…………………………………………..20
§2.5 總結……………………………………………………………….21
第三章 矽化鎢(WSix)應用於閘極金屬對元件熱穩定度之研究
§3.1 簡介……………………………………………………………….23
§3.2 矽化鎢(WSix)之製作流程與分析………………………………..23
§3.3 變溫直流高頻以及功率量測結果與分析……………………….25
§3.3.1 變溫直流量測結果與分析…………………………………..25
§3.3.2 小訊號參數萃取與分析……………………………………..28
§3.3.2.1 源極電阻的萃取………………………………………...30
§3.3.2.2 Cold FET量測萃取外部元件參數………………………31
§3.3.2.3 內部本質元件的決定…………………………………...35
§3.3.3 延遲時間之分析……………………………………………..40
§3.3.4 變溫功率之分析……………………………………………..45
§3.3 可靠度之量測與分析…………………………………………….47
§3.4 總結……………………………………………………………….49
第四章 微波射頻開關
§4.1 簡介……………………………………………………………….50
§4.2 微波射頻開關之工作原理……………………………………….51
§4.3 微波射頻開關之製作流程……………………………………….54
§4.3.1 T型閘極……………………………………………54
§4.3.2 金屬接橋……………………………………………………..55
§4.4 微波射頻開關設計之流程與量測結果與分析………………….56
§4.4.1 微波射頻開關規格之決定…………………………………..56
§4.4.2 SPST微波射頻開關量測結果……………………………….60
§4.4 總結……………………………………………………………….62
第五章 結論……………………………………………………………63
參考文獻………………………………………………………………..64參考文獻 參考文獻
[1] R.Dingle,H.L.Stormor,A.C.Gossard and Wiexmann,Appl.Phy.
,Vol.33,p665-667,1978.
[2] T.Mimura,S.Hiyamizu,T.Fujii and K.Nanbu,Jan.J.Appl.Phys.
,Vol.19,L225-L227,1980.
[3] S.M.Sze,High speed semiconductor device,MurrayHill,New
Jersey.
[4] M.T.Yang,Ph.D Dissertation,National Central University
,1995.
[5] Y.J.Chan,M.T.Yang,IEEE Electron Device Lett.,Vol.16
,p.518-520,1995.
[6] S.Kraus,H.Heiβ,D.Xu,M.Sexl,G.Bohm,G.Trankle and G.Weimann,
Electronics Letters, Vol.32, p.1619-1620,1996.
[7] T.ohnishi,N.Yokoyama,H.Onodera,S.Suzuki,and A.Shibatomi Fujit
-su Limited,Fujitsu laboratories Ltd.,Atsugi.1677 Ono.Atsugi
243-01, Japan.
[8] G.Dambrine et all,”A new method to determining the FET small-signal
circuit”IEEE Tran.Microwave Theory Tech.
,Vol.36 no.7,pp.1151,1988.
[9] L.Yang et.all,”New method tomeasure source and drain
resistance of the GaAs MESFET Model”IEEE Electron Device
Lett.,Vol EDL-7,pp.75-77,1986.
[10] W.Curtice et all,”A nonlinear GaAs FET model for uses in
the design of output circuit for power amplifiers”IEEE
Trans. Microwave Theory Tech.,Vol. MTT-33 no.12,pp.183,1985.
[11] Manfred Berroth and Roland Bosch,”Broad-Band Determina
-tion of the FET Small-Signal Equivalent circuit,”IEEE
Trans.Microwave Theory&Technology,Vol.38,no.7,July,1990.
[12] Takatomo Enoki,kunihiro Arai and Yasunobu Ishii,”IEEE Electron
device letters,Vol.11,No.11,November,1990.
[13] Nick Moll,Mark R. Hueschen and Alice Fischer-Colbrie,
”IEEE Tran. On Electron Devices,Vol.35,No.7,July 1988.
[14] Honjo etal.,”Microwave Integrated Circuit.”
[15] Yakin Ayashi,”Microwave switching with GaAs FETs,
”Microwave Journal,pp.61-74,November 1982.
[16] A.Gopinath,J.B.Rankin,”GaAs FET RF switches,”IEEE
Trans.on ElectronDevices,Vol.ED-32,no.7,pp.1272-1278,July 1985.
[17] Kazuo Miyatsuji and Daisuke Ueda,”A GaAs High Power RF
Single Pole Dual Through Switch IC for Digital Mobile
Communication System,”IEEE Jounal of Solid-State Circuit,Vol.30
,no.9,pp.979-983,1995.
[18] Hisanori Uda,Takashi Yamada,Tesuro Sawai,Kaoru Nogawa, and Yasoo Harada,”
High-Performance GaAs Switch IC Fabrication Using MESFET with Two Kinds of
Pinch-off Voltages and a Symmetrical Pattern Configuration,”IEEEJournal
of Solid-State Circuits,Vol.29,no.10,pp.1262-1269,1994指導教授 詹益仁(Yi-Jen Chan) 審核日期 2003-7-17 推文 plurk
funp
live
udn
HD
myshare
netvibes
friend
youpush
delicious
baidu
網路書籤 Google bookmarks
del.icio.us
hemidemi
myshare