博碩士論文 92521051 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:27 、訪客IP:3.147.86.246
姓名 邱瑞斌(Rei-Bin Chiou)  查詢紙本館藏   畢業系所 電機工程學系
論文名稱 量子點的電子能階
(Electronic Structure of Quantum Dots)
相關論文
★ 磷化銦異質接面雙極性電晶體元件製作與特性分析★ 氮化鎵藍紫光雷射二極體之製作與特性分析
★ 氮化銦鎵發光二極體之研製★ 氮化銦鎵藍紫光發光二極體的載子傳輸行為之研究
★ 次微米磷化銦/砷化銦鎵異質接面雙極性電晶體自我對準基極平台開發★ 以 I-Line 光學微影法製作次微米氮化鎵高電子遷移率電晶體之研究
★ 矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體 通道層與緩衝層之成長與材料特性分析★ 磊晶成長氮化鎵高電子遷移率電晶體 結構 於矽基板過程晶圓翹曲之研析
★ 氮化鎵/氮化銦鎵多層量子井藍光二極體之研製及其光電特性之研究★ 砷化銦量子點異質結構與雷射
★ 氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體研製與特性分析★ p型披覆層對量子井藍色發光二極體發光機制之影響
★ 磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體鈍化層穩定性與高頻特性之研究★ 氮化鋁中間層對氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體之影響
★ 不同濃度矽摻雜之氮化鋁銦鎵位障層對紫外光發光二極體發光機制之影響★ 二元與四元位障層應用於氮化銦鎵綠光二極體之光性分析
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載]
  1. 本電子論文使用權限為同意立即開放。
  2. 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
  3. 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。

摘要(中) 本論文旨在探討半導體量子點的電子能階。在這裡我們使用單一能帶等效質量模型,建立系統的薛丁格方程式,並且寫成矩陣形式。系統的特徵能量和特徵方程可以藉由對角化矩陣而得到。首先我們嘗試由較簡單的的量子井系統著手,由於量子井系統有解析解,因此可以與這裡所用數值解做比較。
接著我們嘗試拓展到量子點系統。首先我們考慮圓錐形量子點基態電子能階,並且分別外加電場、磁場、異質摻雜,了解量子點電子能階受到不同外力下的變化。接著計算較接近真實結構的金字塔形量子點電子能階,並且與圓錐形量子點計算的結果比較,其中金字塔形量子點可以探討xy 方向的不對稱性。
藉由電洞能階的計算,我們可以探討量子點的電子電洞能階位置所決定的躍遷波長,並且由其波函數分佈可以得到躍遷機率相關的訊息。最後分析探討在量子點異質結構中覆蓋不同應力緩衝層所得到的躍遷波長,及基態與第一激發態遷移之能階差。我們模擬的結果可以定性地解釋實驗上量到的數據。
摘要(英) The electronic structure of quantum dots is calculated by the Raleigh-Ritz variation method combined with effective mass method. We discuss the effect of dots size, electric field, magnetic field, impurity and barrier height.Comparison between the theoretical calculation and experimental results,our simulation can explain the experimental results.
關鍵字(中) ★ 量子點
★ 能階
關鍵字(英) ★ electronic structure
★ quantum dot
論文目次 目 錄
第一章 導論
1.1半導體量子點的簡介與發展近況 1
1.1.1量子點簡介 1
1.1.2 量子點理論研究發展近況 4
1.2半導體量子點的研究動機與方向 7
第二章 半導體量子點的基礎理論與摸擬軟體的建立
2.1 固態量子理論簡介 9
2.1.1布拉格理論(Bloch theory) 9
2.1.2 以 方法得到等效質量理論(effective mass theory) 12
2.1.3等效質量在單一能帶的應用 15
2.2 里茲變分法(Raleigh-Ritz variation method) 18
2.3 利用里茲變分法求解各種量子系統 20
2.3.1求解基態圓錐形量子點電子能階 20
2.3.2 圓錐形量子點外加雜質的考量 23
2.3.3 圓錐形量子點外加磁場的考量 25
2.3.4金字塔形量子點處理方法的建立 26
第三章 半導體量子點的電子能階
3.1 1維量子井 模擬成果 29
3.2 圓錐形量子點基本特性 35
3.3 圓錐形量子點摻雜雜質 40
3.4 圓錐形量子點外加磁場 44
3.5金字塔形量子點基本特性(與圓錐形比較) 46
3.6金字塔形雙量子點耦合效應 53
第四章 量子點光學特性與覆蓋材料之關系
4.1金字塔形量子點光特性分析 56
4.2 被覆蓋下量子點電子電洞能階 61
4.2.1被覆蓋下量子點電子電洞躍遷波長 63
4.2.2被覆蓋下量子點電子電洞基態與第一激發態能階差 70
第五章 結論 84
參考文獻 86
附錄1 一階微擾 92
附錄2 二階微擾 93
附錄3 求解量子井的電子能階 95
附錄4 相關算式推導 97
附錄5 求解圓錐形量子點第一激發態電子能階 101
附錄6 費米黃金定律 105
參考文獻 參考資料
[1] Y. Arakawa, and H .Sakaki, Appl. Phys. Lett.,40,939 (1982)
[2] D.Bimberg, M.Grundmann, N.N.Ledentsov, Quantum Dot Hetro-
structure,(1998)
[3] M.Grundmann, Nano-Optoelectroncis: concepts, Physics and Device, (2002)
[4] T.Chakraborty, Quantum Dots: A survey of the properties of artificial atoms,(1999)
[5]Semiconductor quantum dots : physics,spectroscopy,and applications, Y. Masumoto,T.Takagahara,(2002)
[6] Self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots , M.Sugawara.,(1999)
[7] U.Woggon,Optical Properties of Semiconductor Quatnum Dots, (1996)
[8]N.Kirstaedter,N.N.Ledentsov,M.Grundmann,D.Bimberg, V.M.Ustinov,S.S.Ruvimov, M.V.Maximov, P.S.Kopev,
Zh.I.Alferov,U.Richter,P.Werner,U.Gosele,and J.Heydenreich, Electron.Lett.30, 1416 (1994)
[9] N.Kirstaedter, O.G. Schmidt, N.N.Ledentsov, ,D.Bimberg , V.M.Ustinov,A.Yu.Egorov,A.E.Zhukov,M.V.Maximov,P.S.Kopev and Zh.I.Alferov,Appl.Phys.Lett.vol.691226(1996)
[10]D.Bimberg,N.N.Ledentsov,Mgrundmann,N.Kirstaedter,O.G.Schmidt,M.-H.Mao,V.M.Ustinov,A.Yu.Egorov,A.E.Zhukov,P.S.Kopev,Zh.I.Alferov,S.S.Ruvimov,U.Gosele,and J.Heydenreich,Jpn.J.Appl.Phys.vol.35,1311(1996)
[11] R.L.Sellin,Ch.Ribbat,M.Grundmann,N.N.Ledentsov,and D.Bimberg,Appl.Phys.Lett78,1207(2001)
[12]S Komiyama,O.Astafiev,V.Antonov,T.Kutsuwaand H.Hirai,Nature(London) vol.403 ,405 (2000)
[13] David M. T. Kuo and Y. C. Chang, “Electron tunneling rate in quantum dots under a uniform electric field”, Phys. Rev. B ,vol.61, 11051 – 11056 (2000)
[14]David M. T. Kuo, Angbo Fang, and Y. C. Chang, “Theoretical modeling of dark current and photo-response for quantum well and quantum dot infrared detector”, Infrared Phys & Tech, 42, 433-442 (2001)
[15]David M. T. Kuo, G. Y. Guo and Y. C. Chang, “Tunneling current through a quantum dot array”, Appl. Phys. Lett, 79, 3851 (2001)
[16]David M. T. Kuo and Y. C. Chang, “Tunneling current through a quantum dot with strong electron phonon interaction”, Phys. Rev. B, 66, 85311 (2002)
[17] Y. C. Chang and David M. T. Kuo, “Effects of electron correlation on the photocurrent in quantum dot infrared photodetectors”, Appl. Phys. Lett. 83, 156 (2003)
[18] David M. T. Kuo and Y. C. Chang, “Effects of Coulomb blockade on the photocurrent in quantum dot infrared photodetectors”, Phys. Rev. B, 67, 035313 (2003)
[19] K.K. Likharev,Proceedings of the IEEE ,vol.87,p606,(1999)
[20] D.Loss and D.P. DiVincenzo, Phys. Rev.A ,vol.57 120 (1998)
[21] Z.Yuan,B.E.Kardynal,,R.M.Stevenson,A.J.Shields,C.J. Lobo,K.Cooper,N.S.Beattie,D.A.Ritchie,and M.Pepper,Scence 295102 (2002)
[22]T.Lundstrom,W.Schoenfeld,H.Lee,P.M.Petrooff,Science, 286,2312(1999)
[23]J.J.Finley,M.Skalitz,M.Arzerger,A.Zrenner,G.Bohm,and G.Abstreiter , Appl.Phys.Lett.vol.73,2618(1998)
[24]M.C.Bodefeld,R.J.Warburton,K.Karrai,J.P.Kotthaus,G.Medeiros-Ribeiro and P.M.Petroff,Appl.Phys.Lett.vol.74,1839(1999)
[25] W.V.Schoenfeld,T.Lundstrom,PM.petroff and D.Gershoni, ,Appl.Phys.Lett.vol.74,2194(1999)
[26] I.N.Stranski and L.Krastanow,Sitzungsberichte d.Akad.D.Wissenschaften in Wien,Abt.Iib,Band 146,p.797(1937)
[27] Rocksby,H.P.,J.Soc.Glass Technol. 16,171(1932)
[28] Ekimov,A.I.and A.A.Onushenko,JETP Lett.,vol.40,1137 (1984)
[29] J.-Y. Marzin and G.bastard,Solid State Commun., 91,39 (1994)
[30] M.Grundmann,O.Stier,and D.Bimberg, Phys. Rev. B 52, 11969 (1995)
[31]M.A. Cusack, P.R.Briddon, and M.Jaros,Phys.Rev.B,vol.54,2300(1996)
[32]C.Pryor,M-E.Pistol,L.Samuelson,Phys.Rev.B,vol.56,10404(1997)
[33] H.Jiang and J.Singh,Phys.Rev.B,vol.56,4696 (1997)
[34] H.Jiang and J.Singh,Appl.Phys.Lett.,vol 71,3239 (1997)
[35] H.Jiang and J.Singh,IEEE J.Quatnum Electron.,vol.34,1188 (1998)
[36] C.Pryor,Phys.Rev.B,vol.57,7190 (1998)
[37] L.W. Wang,J. Kim,and A. Zunger, Phys.Rev.B,vol.59,5678(1999)
[38] J.Kim,L.W.Wang,and A.Zunger,Phys.Rev.B,vol.57,R9408(1998)
[39] H.Fu,L.W.Wang,and A.Zunger,Phys.Rev.B,vol.57,9971(1998)
[40] A.J.Williamson and A.Zunger,Phys.Rev.B,vol.58,6724(1998)
[41]J.Kim,L.W.Wang,and A.Zunger,Phys.Rev.B,vol.56,R15541(1997)
[42]O.Stier,M.Grundmann,andD.Bimberg,Phys.Rev.Bvol.52,11969(1995)
[43] S.L.Chuang,Physics Of Optoelectronic Devices,
[44] V. V. Mitin, V.A. Kochelap, M. A. Stroscio.,Quantum heterostructures :microelectronics and optoelectronics,(1999)
[45] A.Yariv,An introduction to theory and applications of quantum mechanics,(1982)
[46] 江宏笙,碩士論文 , Electron Tunneling in Vertically Coupled Quatnum Dots Systems under an Electric Field, (2001)
[47] W.-H. Chang, PH. D Dissertation,Electronic and Optical Properties of InGaAs Self-Assembled Quantum Dots,(2001)
[48] W.-S. Liu and J.-I. Chyi ,J.Appl.Phys. ,97,024312 (2005)
[49] K. Nishi, Appl.Phys.Lett.,74,1111 (1999)
[50] Y.Q.Wei Appl.Phys.Lett.,81,1621 (2002)
[51] M.Arzberger, Appl.Phys.Lett.,75,3968 (1999)
[52] M.V.Maximov, Phys.Rev.B 62,16671 (2000)
指導教授 郭明庭、綦振瀛
(David Ming-Ting Kuo、Jen-Inn Chyi)
審核日期 2006-1-26
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明