English
| 正體中文 |
简体中文
|
全文筆數/總筆數 : 94201/94201 (100%)
造訪人次 : 81604676 線上人數 : 4353
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜尋範圍
全部NCUIR
工學院
化學工程與材料工程學系
--期刊論文
查詢小技巧:
您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
進階搜尋
主頁
‧
登入
‧
上傳
‧
說明
‧
關於NCUIR
‧
管理
NCU Institutional Repository
>
工學院
>
化學工程與材料工程學系
>
期刊論文
>
Item 987654321/101434
資料載入中.....
書目資料匯出
Endnote RIS 格式資料匯出
Bibtex 格式資料匯出
引文資訊
資料載入中.....
資料載入中.....
請使用永久網址來引用或連結此文件:
https://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/101434
題名:
Single-crystal C60 needle/CuPc nanoparticle double floating-gate for low-voltage organic transistors based non-volatile memory devices
作者:
劉振良
;
Chang, Hsuan-Chun
;
Lu, Chien
;
Liu, Cheng-Liang
;
Chen, Wen-Chang
貢獻者:
工學院化學工程與材料工程學系
關鍵詞:
ambipolar trapping
;
C60
;
floating-gate
;
non-volatile memory
;
transistors
日期:
2015-01-02
上傳時間:
2026-04-21 14:33:50 (UTC+8)
出版者:
Wiley-Blackwell;Germany: Blackwell Publishing Ltd
摘要:
摘要: Low‐voltage organic field‐effect transistor memory devices exhibiting a wide memory window, low power consumption, acceptable retention, endurance properties, and tunable memory performance are fabricated. The performance is achieved by employing single‐crystal C60 needles and copper phthalocyanine nanoparticles to produce an ambipolar (hole/electron) trapping effect in a double floating‐gate architecture.
其他題名: Adv. Mater
出版者: Germany: Blackwell Publishing Ltd
出版日期: 2015-01-07
出處: Advanced materials (Weinheim), 2015-01, Vol.27 (1), p.27-33
資源來源: Wiley Online Library Journals
版權: 2014 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
版權: 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
識別號: ISSN: 0935-9648
識別號: ISSN: 1521-4095
識別號: EISSN: 1521-4095
識別號: DOI: 10.1002/adma.201403771
識別號: PMID: 25358891
顯示於類別:
[化學工程與材料工程學系 ] 期刊論文
文件中的檔案:
檔案
描述
大小
格式
瀏覽次數
index.html
0Kb
HTML
13
檢視/開啟
在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
社群 sharing
::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 |
收藏本站
|
設為首頁
| 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
隱私權政策聲明