Electrochemical etching of n-Si(100) in choline chloride/ethylene glycol ionic liquids

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Title:	Electrochemical etching of n-Si(100) in choline chloride/ethylene glycol ionic liquids
Authors:	林景崎;Lin), 林景崎(J. C.;Chuang), 莊政霖(C. L.;Lai), 賴建銘(C. M.;Chen), 陳譽升(Y. S.
Contributors:	工學院材料科學與工程研究所
Keywords:	EI;Ionic liquid;n-type silicon;n-型矽單晶;NH4F;Silicon etching;氟化銨;矽蝕刻;離子液體
Date:	2012-12-01
Issue Date:	2026-04-23 11:33:27 (UTC+8)
Publisher:	Corrosion Engineering Assocoation of the Republic of China;台灣: 社團法人中華民國防蝕工程學會
Abstract:	摘要：本文主要探討在不照光的室溫環境下，對於n-型矽（100）單晶，在含乙二醇（Ethylene glycol, EG）之氯化膽鹼（choline chloride）系統中，添加氟化鼓（Ammonium fluoride）與二甲基亞石風（Dimethyl sulfoxide, DMSO）後的電化學蝕刻行為。蝕刻步驟先採用陽極動態極化法，在混合溶液中定義出適當之蝕刻電位，以利進行定電位蝕刻，進而研究蝕刻孔洞陣列的形貌差異。結果顯示：（1）n型矽的電化學蝕刻反應，隨著電壓增加其孔洞深度也隨之增加（蝕刻速率可達1.2 μm/h）而蝕刻深度可達29 μm。（2）施加偏壓有一較佳參數值（9 V），在此電壓下所形成的孔洞最深，且蝕刻孔洞的分佈較為均勻。（3）藉由Mott-Schottky的理論方程式可得到平坦電位，在氯化膽鹼有機溶液中的平坦電位較水溶液系統往正電位移動，此結果會造成能帶的彎曲幅度更大，使得空間電荷層變厚，激發更多的電子電洞對，進而可使更多的電洞到達半導體表面而產生蝕刻的效果。出版者：台灣: 社團法人中華民國防蝕工程學會出版日期： 2012-09-01 出處：防蝕工程, 2012-09, Vol.26 (3), p.117-122 資源來源： Chinese Electronic Periodical Services (CEPS) 識別號： ISSN: 1016-2356 識別號： DOI: 10.6376/JCCE.201209.0117
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