A 50 ns verify speed in resistive random access memory by using a write resistance tracking circuit

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題名:	A 50 ns verify speed in resistive random access memory by using a write resistance tracking circuit
作者:	鄭國興;SHEU, Shyh-Shyuan;CHENG, Kuo-Hsing;CHEN, Yu-Sheng;CHEN, Pang-Shiu;TSAI, Ming-Jinn;LO, Yu-Lung
貢獻者:	資訊電機學院電機工程學系
關鍵詞:	Applied sciences;Design. Technologies. Operation analysis. Testing;Electronics;Exact sciences and technology;Integrated circuits;Integrated circuits by function (including memories and processors);Magnetic and optical mass memories;Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices;Storage and reproduction of information
日期:	2012-01-01
上傳時間:	2026-04-23 13:15:20 (UTC+8)
出版者:	Maruzen Co., Ltd/Maruzen Kabushikikaisha;Oxford: Oxford University Press
摘要:	出版者： Oxford: Oxford University Press 出版日期： 2012-06-01 出處： IEICE transactions on electronics, 2012-06, Vol.95 (6), p.1128-1131 資源來源： J-STAGE Free 版權： 2015 INIST-CNRS 識別號： ISSN: 0916-8524 識別號： DOI: 10.1587/transele.E95.C.1128
顯示於類別:	[電機工程學系] 期刊論文

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