Photomodulation reflectance study of temperature dependence of the band gap of ZnSe 1-xO x

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題名:	Photomodulation reflectance study of temperature dependence of the band gap of ZnSe 1-xO x
作者:	綦振瀛;Chen, Wen‐Yen;Lai, Chi‐Wen;Cheng, Chao‐Chia;Chen, Cheng‐Yu;Chyi, Jen‐Inn;Hsu, Tzu‐Min
貢獻者:	資訊電機學院電機工程學系
日期:	2012-02-01
上傳時間:	2026-04-23 14:29:44 (UTC+8)
出版者:	Wiley-VCH Verlag
摘要:	摘要： We investigated the band gap of ZnSe 1‐ x O x alloys ( x =2.7% and 5.3%) by photomodulation reflectance spectroscopy from 10 K to 300 K. The temperature dependence of band gap of ZnSe 1‐ x O x exhibited slight deviation from the expectation of the band anticrossing model. The deviation was explained by the decrease of the anticrossing interaction between the oxygen states and conduction band at low temperature. (© 2012 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 出版日期： 2012-01 出處： Physica status solidi. C, 2012-01, Vol.9 (2), p.187-189 資源來源： Alma/SFX Local Collection 識別號： ISSN: 1862-6351 識別號： EISSN: 1610-1642 識別號： DOI: 10.1002/pssc.201100288
顯示於類別:	[電機工程學系] 期刊論文

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