以熱交換器法生長氧化鋁單晶與晶體檢測

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題名:	以熱交換器法生長氧化鋁單晶與晶體檢測
作者:	劉哲銘;C-M Liu
貢獻者:	機械工程研究所
關鍵詞:	熱交換器法;氧化鋁;晶體;HEM;Sapphire;Crystal
日期:	2000-07-17
上傳時間:	2009-09-21 11:34:27 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本研究是將已初步建立起的熱交換器法(HEM)長晶系統，進行生長氧化鋁（Sapphire）單晶，同時藉由多次實驗的過程來對整個長晶系統作出細部的改善，以期能得到更佳之系統穩定性，而使長晶過程更順利，且所生長出之晶體品質更好，同時藉由實驗過程中所紀錄的數據及發現之現象來與所生長出之晶體做比對探討，例如比較紅外線測溫儀所測得之溫度與晶體之固液界面間的關係，及利用不同之生長模式（如降低功率或增加熱交換器之取熱）所生長出之晶體間之比較，來找出造成晶體品質不良之成因，進而尋求改善之方法，並且將在長晶過程中CCD所觀察到坩堝內之影像與溫度、放射率、相變情形做一比對，以助於更能掌握生長參數。本研究也針對利用熱交換器法所生長出之Sapphire晶體作一系列的檢測，例如利用穿透式及反射式光學顯微鏡（Optical-Microscope）及掃描式電子顯微鏡（Scanning-Electron-Microscope）觀察晶體之微觀組織，比較在不同的生長條件下其結構組織之不同，並與品質良好之氧化鋁單晶做比較，同時探討晶體中缺陷產生之原因，另外還利用能譜儀（Energy-Dispersive-Spectrometer）來對晶體之成分做分析，以確定污染物之種類及分佈狀況，且為了要了解晶體缺陷對晶體硬度之影響，還利用微硬度測試儀來測試所生長出之晶體硬度，比較與單晶的差異，希望能藉這些檢測來作為改善晶體品質之依據，以期能生長出高品質、高純度之晶體。
顯示於類別:	[機械工程研究所] 博碩士論文

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