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Item 987654321/25265
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http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/25265
題名:
分子束磊晶成長光電元件
;
Molecular Beam Epitaxial Growth of Optoelectronic Devices
作者:
綦振瀛
貢獻者:
電機工程學系
關鍵詞:
光電工程
日期:
1994-01-01
上傳時間:
2010-05-28 10:26:29 (UTC+8)
出版者:
行政院國家科學委員會
摘要:
砷化銦鋁鎵之能隙涵蓋0.76eV到1.46eV(在與InP晶 格匹配的狀況下).若是考慮應變結構則變化範圍 更大.這項特點使其成為一多才多藝的材料,並且 成為一未來高性能光電元件的重要選擇.然而目 前為止,這項材料的相關研究並不眾多.本計畫的 主要目標即是利用本校新購置的分子束磊晶系統 來發展高品質InAlGaAs磊晶.我們將利用各種不同的 方法來分析所成長的材料,包括霍爾效應,X光繞射 ,光激光,電容-壓分析,光電壓,紅外線光譜,及橢圓 儀.所以磊晶層的電氣,結構及光學特性均將作完 整的研究.最後,我們將製作InAlGaAs/AlGaAs單量子井 雷射並予以詳細分析.研究期間:8202 ~ 8301
關聯:
財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:
[電機工程學系] 研究計畫
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