English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 81025/81025 (100%)
造訪人次 : 46040976      線上人數 : 984
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧：
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號"，以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋，建議至進階搜尋限定作者欄位，可獲得較完整資料
    •  進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/25265


    題名: 分子束磊晶成長光電元件;Molecular Beam Epitaxial Growth of Optoelectronic Devices
    作者: 綦振瀛
    貢獻者: 電機工程學系
    關鍵詞: 光電工程
    日期: 1994-01-01
    上傳時間: 2010-05-28 10:26:29 (UTC+8)
    出版者: 行政院國家科學委員會
    摘要: 砷化銦鋁鎵之能隙涵蓋0.76eV到1.46eV(在與InP晶 格匹配的狀況下).若是考慮應變結構則變化範圍 更大.這項特點使其成為一多才多藝的材料,並且 成為一未來高性能光電元件的重要選擇.然而目 前為止,這項材料的相關研究並不眾多.本計畫的 主要目標即是利用本校新購置的分子束磊晶系統 來發展高品質InAlGaAs磊晶.我們將利用各種不同的 方法來分析所成長的材料,包括霍爾效應,X光繞射 ,光激光,電容-壓分析,光電壓,紅外線光譜,及橢圓 儀.所以磊晶層的電氣,結構及光學特性均將作完 整的研究.最後,我們將製作InAlGaAs/AlGaAs單量子井 雷射並予以詳細分析.研究期間：8202 ~ 8301
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[電機工程學系] 研究計畫

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML580檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期：8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明