中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/29422
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 70585/70585 (100%)
造访人次 : 23076737      在线人数 : 384
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧:
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号",以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻,建议至进阶搜寻限定作者字段,可获得较完整数据
  • 进阶搜寻


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/29422


    题名: LOW DARK CURRENT AND HIGH LINEARITY INGAAS MSM PHOTODETECTORS
    作者: CHYI,JI;WEI,TS;HONG,JW;LIN,W;TU,YK
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: HIGH-PERFORMANCE;INP
    日期: 1994
    上传时间: 2010-06-29 20:24:23 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: InGaAs metal-semiconductor-metal photodetectors with various barrier enhancement layers have been investigated. The responsivity at 1.55 mum wavelength varies between 0.21 and 0.43 A/W depending on layer structure, bias voltage and photosensitive area. Using a pseudomorphic In0.9Ga0.1P cap layer on InP for Schottky contacts, devices exhibit dark current densities as low as 44 muA/cm2. The responsivity is also much more linear than those of conventional devices with respect to both bias voltage and incident optical power level.
    關聯: ELECTRONICS LETTERS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

    文件中的档案:

    档案 描述 大小格式浏览次数
    index.html0KbHTML565检视/开启


    在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈  - 隱私權政策聲明