High-thermal-stability and low-resistance p-GaN contact for thin-GaN light emitting diodes structure

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題名:	High-thermal-stability and low-resistance p-GaN contact for thin-GaN light emitting diodes structure
作者:	Lin,CL;Wang,SJ;Liu,CY
貢獻者:	材料科學與工程研究所
關鍵詞:	LASER LIFT-OFF;FILMS;SIDE
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 15:59:46 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	For thin-GaN LED, Al layer is often incorporated with NiO-Au to form a highly reflective NiO-Au/Al p-GaN contact. Both electrical and optical characteristics of NiO-Au/Al contact exhibited poor thermal stability. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) res
關聯:	ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 期刊論文

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