中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/30752
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 70585/70585 (100%)
造訪人次 : 23046408      線上人數 : 460
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/30752


    題名: Retarding growth of Ni3P crystalline layer in Ni(P) substrate by reacting with Cu-bearing Sn(Cu) solders
    作者: Wang,SJ;Liu,CY
    貢獻者: 化學工程與材料工程研究所
    關鍵詞: BUMP METALLIZATION
    日期: 2003
    上傳時間: 2010-07-06 16:26:35 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: The formation of Ni3P layers in Sn(Cu)/Ni(P) reaction couples were limited compared to Sn/Ni(P). The sluggish growth of the Ni3P layer was Attributed to a Cu-Sn compound layer formed on the Ni(P) substrate, and it depended on the Ni diffusion in the Cu-Sn
    關聯: SCRIPTA MATERIALIA
    顯示於類別:[化學工程與材料工程研究所] 期刊論文

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML283檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋  - 隱私權政策聲明