Enhanced normal-incident absorption of quantum-dot infrared photodetectors with smaller quantum dots

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題名:	Enhanced normal-incident absorption of quantum-dot infrared photodetectors with smaller quantum dots
作者:	Tseng,Chi-Che;Chou,Shu-Ting;Chen,Yi-Hao;Chen,Cheng-Nan;Lin,Wei-Hsun;Chung,Tung-Hsun;Lin,Shih-Yen;Chiu,Pei-Chin;Chyi,Jen-Inn;Wu,Meng-Chyi
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	HIGH-TEMPERATURE OPERATION
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 18:12:34 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Ten-period InAs-GaAs quantum-dot (QD) infrared photodetectors grown under different In adatom supply procedures are investigated. Two In adatom supply procedures of In shutter 1) always opened and 2) periodically opened/closed are adopted in this letter.
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS????
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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