Photoexcitation effects on charge transports of Ge quantum-dot resonant tunneling diodes

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題名:	Photoexcitation effects on charge transports of Ge quantum-dot resonant tunneling diodes
作者:	Li,P. W.;Kuo,David M. T.;Hsu,Y. C.
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR;CONFINEMENT;FABRICATION
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-06 18:21:27 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The authors have experimentally investigated photoexcitation effects on carrier transports through a Ge quantum-dot (QD)/SiO2 system via a resonant tunneling diode (RTD). Features of resonant oscillation and negative differential conductance are observed
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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