中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/32278
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    题名: Collector doping design for improving DC and RF performance in InGaP/GaAs HBTs before onset of kirk effect
    作者: Wang,CM;Hsueh,KP;Hsin,YM
    贡献者: 電機工程研究所
    日期: 2005
    上传时间: 2010-07-06 18:23:00 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: A thin high-doping layer was inserted in the uniform doped collector to extend the operational current before current gain and cut-off frequency roll-off. Two times higher collector current before onset of Kirk effect was obtained and the resulted John fi
    關聯: IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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