Demonstration of a dual-depletion-region electroabsorption modulator at 1.55-mu m wavelength for high-speed and low-driving-voltage performance

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题名:	Demonstration of a dual-depletion-region electroabsorption modulator at 1.55-mu m wavelength for high-speed and low-driving-voltage performance
作者:	Shi,JW;Hsieh,CA;Shiao,AC;Wu,YS;Huang,RH;Chen,SH;Tsai,YT;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	BANDWIDTH;MODULES;INP
日期:	2005
上传时间:	2010-07-06 18:23:10 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We demonstrate a novel structure of electroabsorption modulator (EAM) at a 1.55-mu n wavelength: the dual-depletion-region EAM. After an n(+) delta-doped layer was inserted into the thick intrinsic region (550 nm) of a tradition p-i-n modulator, the trade
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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