Improvements of AlGaN/GaN p-i-n UV sensors with graded AlGaN layer for the UV-B (280-320 nm) detection

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32318

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32318

題名:	Improvements of AlGaN/GaN p-i-n UV sensors with graded AlGaN layer for the UV-B (280-320 nm) detection
作者:	Liu,SS;Li,PW;Lan,WH;Lin,WJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	SCHOTTKY-BARRIER PHOTODETECTORS;CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;GAN CAP LAYER;DARK CURRENT;PHOTODIODES;ALXGA1-XN
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:23:57 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	AlxGa1-xN/GaN p-i-n UV sensors grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) were fabricated for the UV-B (280-320nm) detection. With a proper structure design by including a thin top p-layer and a graded Al,Ga1-xN(x = 0.26 -> 0.13) layer, the
關聯:	MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	359	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing