Low resistance WSix-based ohmic contacts on n-type GaN

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題名:	Low resistance WSix-based ohmic contacts on n-type GaN
作者:	Pan,CC;Chen,MS;Lee,CM;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	THERMAL-STABILITY;DIODES
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:24:06 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Low contact resistance, high reflectivity, and high thermal stability Ti/WSix/Ti/\Au multilayer ohmic contact to n-type GaN has been demonstrated. Specific contact resistivity as low as 1 X 10(-6) Omega cm(2) is obtained in a metallization scheme of Ti/WS
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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