DC characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors on freestanding GaN substrates

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题名:	DC characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors on freestanding GaN substrates
作者:	Irokawa,Y;Luo,B;Ren,F;Pan,CC;Chen,GT;Chyi,JI;Park,SS;Park,YJ;Pearton,SJ
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	HIGH-ELECTRON-MOBILITY;VAPOR-PHASE EPITAXY;BULK GAN;MICROWAVE NOISE;HEMTS;PERFORMANCE;PASSIVATION;TEMPLATES;OXIDE
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:26:06 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) were grown by metallorganic chemical vapor deposition on either sapphire or freestanding GaN substrates. The devices in the latter case show consistently lower knee voltage, higher output resistan
關聯:	ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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