GalGaN HEMTs grown by hydride vapor phase epitaxy on AlN/SiC substrates

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題名:	GalGaN HEMTs grown by hydride vapor phase epitaxy on AlN/SiC substrates
作者:	LaRoche,JR;Luo,B;Ren,F;Baik,KH;Stodilka,D;Gila,B;Abernathy,CR;Pearton,SJ;Usikov,A;Tsvetkov,D;Soukhoveev,V;Gainer,G;Rechnikov,A;Dimitriev,V;Chen,GT;Pan,CC;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS;ALGAN/GAN HEMTS;PERFORMANCE;GAN
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:26:35 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	GalGaN high electron mobility transistors (HEMTs) were fabricated on layer structures grown by metal organic chemical vapor deposition on hydride vapor phase epitaxy grown AlN epi-layers on 6H-SiC substrates. The presence of the AlN provides an insulat
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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