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    题名: Performance enhancement by the In0.65Ga0.35As pseudomorphic channel on the In0.5Al0.5As metamorphic buffer layer
    作者: Lin,CK;Wu,JC;Wang,WK;Chan,YJ;Wu,JS;Pan,YC;Tsai,CC;Lai,JT
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: GAAS SUBSTRATE;HEMTS;TRANSISTORS;MODFETS
    日期: 2004
    上传时间: 2010-07-06 18:27:26 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: We have developed the 1-mum gate-length devices of In0.65Ga0.65As pseudomorphic channel (PC) on the In0.5Al0.5As metamorphic buffer layer to improve the device performance, as compared with the In0.5Ga0.5As lattice matched ones. The dc maximum drain-to-so
    關聯: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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