Reduction of surface-induced current collapse in AlGaN/GaN HFETs on freestanding GaN substrates

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题名:	Reduction of surface-induced current collapse in AlGaN/GaN HFETs on freestanding GaN substrates
作者:	Irokawa,Y;Luo,B;Ren,F;Gila,BP;Abernathy,CR;Pearton,SJ;Pan,CC;Chen,GT;Chyi,JI;Park,SS;Park,YJ
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS;VAPOR-PHASE EPITAXY;MOLECULAR-BEAM EPITAXY;GALGAN/GAN HEMTS;MICROWAVE NOISE;PASSIVATION;DISLOCATIONS;PERFORMANCE;FILMS;DEFECTS
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:27:30 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Unpassivated AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) on freestanding GaN substrates show less electron accumulation in the gate-drain surface region than do comparable devices on Al2O3 substrates. This suggests that a significant portio
關聯:	ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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