Surface oxygen implantation for GaAs MESFETs passivation

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题名:	Surface oxygen implantation for GaAs MESFETs passivation
作者:	Hsueh,KP;Hsu,HT;Wu,CH;Hsin,YM
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	GATE;BREAKDOWN;LAYER
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:27:51 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Ion-implanted GaAs MESFETs with and without extra oxygen implantation have been fabricated, studied and compared. The extra oxygen implantation was employed after the channel implantation to form a high-resistance layer near the surface of GaAs MESFETs an
關聯:	SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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