中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/32460
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 70585/70585 (100%)
造訪人次 : 23160941      線上人數 : 487
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32460


    題名: A novel double-recessed 0.2-mu m T-gate process for heterostructure InGaP-InGaAs doped-channel FET fabrication
    作者: Hwu,MJ;Chiu,HC;Yang,SC;Chan,YJ
    貢獻者: 電機工程研究所
    日期: 2003
    上傳時間: 2010-07-06 18:28:36 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: A double-recessed T-gate process has been successfully developed to fabricate 0.2-mum gate-length heterostructure InGaP-InGaAs doped-channel FETs (DCFETs) to increase the gate-to-drain breakdown voltage. This technology uses direct electron-beam lithograp
    關聯: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML402檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋  - 隱私權政策聲明