中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/32476
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    題名: Effects of annealing on the hydrogen concentration and the performance of InGaP/InGaAsN/GaAs heterojunction bipolar transistors
    作者: Hsin,YM;Hsu,HT;Hseuh,KP;Tang,WB;Fan,CC;Wang,CH;Chen,CW;Li,NY
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: BASE
    日期: 2003
    上傳時間: 2010-07-06 18:29:07 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: The effects of rapid thermal annealing (RTA) on InGaP/InGaAsN heterojunction bipolar transistors (HBTs) with a carbon-doped base have been studied. The hydrogen and nitrogen concentrations in the base, as well as the direct current (DC) and radio frequenc
    關聯: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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